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제1 반도체층, 희생층 및 제2 반도체층이 순서대로 위치하는 반도체 기판에 중심으로부터 동일한 거리로 이격된 복수의 홀들을 포함하는 홀 그룹을 복수개 형성하는 패턴 마스크를 형성하는 단계와,이방성 식각을 수행하여 상기 제2 반도체 층에 상기 복수의 홀 그룹에 상응하는 복수의 홀들을 형성하는 단계 및상기 희생층을 제거하는 단계를 포함하며, 단일한 상기 홀 그룹에 포함된 상기 복수의 홀들은 서로 동일한 거리만큼 이격된 양자 광원 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 제1 반도체층 및 상기 제2 반도체층은 III-V 반도체 및 II-VI 반도체 중 어느 하나인 양자 광원 제조 방법
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제2항에 있어서, 상기 III-V 반도체는 InP, GaAs, GaN 중 어느 하나이며, 상기 II-VI 반도체는 ZnO, CdSe 중 어느 하나인 양자 광원 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 제2 반도체 층은 양자점(quantum dot), 고체 점 결함(defect center structure), 도핑 이온 및 이차원 물질 중 어느 하나 이상을 포함하는 양자 광원 제조 방법
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제4항에 있어서, 상기 양자점은 InAs,InGaAs, GaN, InGaN 양자점 중 어느 하나이고, 상기 도핑 이온은 어븀(Er) 이온이며,상기 이차원 물질은 텅스텐다이셀레나이드(WSe2) 및 육방정 질화 불소(hBN, hexagonal boron nitride) 중 어느 하나인 양자 광원 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 패턴 마스크를 형성하는 단계는, 상기 반도체 기판에 하드 마스크층과 e 빔 레지스트 층을 순서대로 형성하는 단계와,e 빔 리소그래피를 수행하여 상기 복수의 홀 그룹이 형성된 e 빔 레지스트 패턴을 형성하는 단계와, 상기 e 빔 레지스트 패턴으로 상기 복수의 홀 그룹이 형성된 하드 마스크 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 양자 광원 제조 방법
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제6항에 있어서, 상기 하드 마스크 층을 형성하는 단계는,실리콘 질화막층, 실리콘 산화막층, 금(gold)층 및 은(silver) 층 중 어느 하나로 형성하는 양자 광원 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 제2 반도체 층에 상기 복수의 홀들을 형성하는 단계는, 플라즈마를 이용한 이방성 식각으로 수행되는 양자 광원 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 희생층을 제거하는 단계는, 습식각(wet etch) 및 플라즈마를 이용한 등방성 식각(isotropic etch) 중 어느 하나로 수행되는 양자 광원 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 희생층은,AlInAs 층, AlGaAs, SiO2, Si 중 어느 한 층인 양자 광원 제조 방법
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광 섬유(optical fiber);반도체 베이스의 중심으로부터 동일한 거리로 이격된 복수의 홀들을 포함하는 홀 그룹을 복수개 포함하며, 상기 광 섬유의 일 단부에 위치하는 양자 광원;상기 양자 광원이 상기 광섬유를 마주보는 제1 면과 상기 제1 면과 반대면인 제2 면에 각각 위치하여 상기 양자 광원에 에너지를 전달하는 제1 전극 및 제2 전극을 포함하며, 단일한 상기 홀 그룹에 포함된 상기 복수의 홀들은 서로 동일한 거리만큼 이격된 양자광 전송 장치
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제11항에 있어서,상기 제2 면에 위치하는 제2 전극은 금으로 이루어진 양자 광 전송 장치
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제11항에 있어서,상기 제2 면에 위치하는 제2 전극은 방출된 양자 광을 반사하는 양자광 전송 장치
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제11항에 있어서,상기 양자광 전송 장치는단일한 칩에 복수의 양자광 전송장치가 결합된 양자광 전송 장치
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