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이온건을 이용하여 박막이 성장할 기판의 표면을 처리하는 표면처리 단계; 및상기 표면이 처리된 기판상에 세라믹 타겟과 고분자 타겟을 마그네트론 코스퍼터링(Co-sputtering)법을 이용하여 세라믹 및 고분자를 포함하는 전극으로 증착하는 전극 증착 단계를 포함하는 신축성 하이브리드 투명 전극의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 표면처리 단계 및 상기 전극 증착 단계는 하나의 챔버 내에서 수행되는 것을 특징으로 하는 신축성 하이브리드 투명 전극의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 표면처리 단계 및 상기 전극 증착 단계는 진공상태에서 수행되는 것을 특징으로 하는 신축성 하이브리드 투명 전극의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 이온건은 마그네트론 코스퍼터링 시스템과 하나의 챔버 내에 장착된 것을 특징으로 하는 신축성 하이브리드 투명 전극의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 표면처리 단계 및 상기 전극 증착 단계는 하나의 챔버 내에서 진공도 변화 없이 연속적으로 수행하는 것을 특징으로 하는 신축성 하이브리드 투명 전극의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 표면처리 단계 및 상기 전극 증착 단계 간에 기판 및 타겟이 외부와 접촉 없이 수행되는 것을 특징으로 하는 신축성 하이브리드 투명 전극의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 표면처리 단계에서, 상기 기판의 표면에 이온건이 조사됨으로써 상기 기판 표면의 기능기가 친수성기로 바뀌는 것을 특징으로 하는 신축성 하이브리드 투명 전극의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 표면처리 단계에서, 상기 기판의 표면에 이온건이 조사됨으로써 상기 기판 표면의 표면 에너지가 제어되는 것을 특징으로 하는 신축성 하이브리드 투명 전극의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 세라믹 타겟은, InSnO(ITO), InGaTiO(IGTO), InZnO(IZO), Al-doped ZnO(AZO), ZnO, InGaZnO(IGZO), InZnSnO(IZTO), InSnTiO(ISTO), InZnSiO(IZSO), InTiNO(ITNO), W-doped InZnO(WIZO), InZnAlO(IZAO) 중 어느 하나를 포함하는 신축성 하이브리드 투명 전극의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 고분자 타겟은, Polytetrafluoroethylene(PTFE), Perfluoroalkoxy alkane (PFA), polyarylates, polyimides, polyethylene, polyetherimide, polypropylene 및 Nylon 중 어느 하나를 포함하는 신축성 하이브리드 투명 전극의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 세라믹 타겟은 DC 파워를 이용하고 고분자 타겟은 RF 파워를 이용하며 상기 전극 증착 단계는 상기 DC파워 밀도와 RF 파워 밀도를 조절함으로써 상기 하이브리드 투명 전극의 세라믹과 고분자 함량 비율을 제어하는 것을 특징으로 하는 신축성 하이브리드 투명 전극의 제조방법
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제1항의 제조방법에 따라 제조된 것을 특징으로 하는 신축성 하이브리드 투명 전극
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제12항에 있어서,상기 전극에 증착된 세라믹은 InGaTiO(IGTO)이고 상기 전극에 증착된 고분자는 Polytetrafluoroethylene(PTFE)인 것을 특징으로 하는 신축성 하이브리드 투명 전극
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제12항에 있어서,증착된 상기 세라믹 및 고분자를 포함하는 전극은 두께가 5nm 내지 30nm인 것을 특징으로 하는 신축성 하이브리드 투명 전극
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