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탄소-함유막; 및하기 화학식 1로 표시된 발광 그룹;을 포함하고,상기 발광 그룹은 상기 탄소-함유막 표면의 탄소 원자와 화학적으로 결합되어 있는, 발광 소자:003c#화학식 1003e#*-(C≡C)-(A1)m1-(A2)m2상기 화학식 1 중, *는 상기 탄소-함유막 표면의 탄소 원자와의 화학적 결합 사이트이고, A1은 연결기이고, A2는 발광 모이어티이고, m1 및 m2는 서로 독립적으로 1 내지 10의 정수이고, m1이 2 이상일 경우 2 이상의 A1은 서로 동일하거나 상이하고, m2가 2 이상일 경우 2 이상의 A2는 서로 동일하거나 상이하다
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제1항에 있어서, 상기 탄소-함유막이 플렉서블(flexible) 탄소-함유막인, 발광 소자
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제1항에 있어서, 상기 탄소-함유막이 탄소-함유 물질을 포함하고, 상기 탄소-함유 물질이, 탄소나노튜브, 탄소나노로드, 탄소섬유, 그래핀 시트, 탄소나노와이어, 탄소-함유 입자(예를 들면, 그래핀 입자, 활성 탄소 입자, 다공성 탄소 입자 등), 그래파이트(graphite), 유리질 탄소(glassy carbon), 풀러렌(fullerene), 탄소 페이스트(carbon paste), 또는 이의 임의의 조합을 포함한, 발광 소자
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제1항에 있어서, 상기 탄소-함유막이 탄소(C) 외에, 질소(N), 산소(O), 실리콘(Si), 붕소(B), 또는 이의 임의의 조합을 더 포함한, 발광 소자
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제1항에 있어서, 상기 탄소-함유막 표면에 복수의 상기 발광 그룹을 포함한 단분자막(monolayer)이 배치되어 있고, 상기 복수의 발광 그룹을 포함한 단분자막은 상기 탄소-함유막 표면과 직접(directly) 접촉되어 있는, 발광 소자
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제5항에 있어서, 상기 단분자막의 두께는 0
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제6항에 있어서, 상기 단분자막이 자기조립 단분자막(self-assembled monolayer)인, 발광 소자
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제1항에 있어서, 상기 화학식 1의 *가 상기 탄소-함유막 표면의 탄소 원자와의 화학적 결합 사이트인, 발광 소자
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제1항에 있어서, 상기 화학식 1의 A1이 단일 결합, 치환 또는 비치환된 C2-C60알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C2-C60알케닐렌기, 치환 또는 비치환된 C2-C60알키닐렌기, 치환 또는 비치환된 C5-C30카보시클릭 그룹 또는 치환 또는 비치환된 C2-C30헤테로시클릭 그룹인, 발광 소자
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제1항에 있어서, 상기 화학식 1의 A2가 인광성 발광 화합물, 형광성 발광 화합물 또는 양자점로부터 유래된 1가 그룹인, 발광 소자
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제1항에 있어서, 상기 화학식 1의 A2가 전이 금속-함유 유기금속 화합물로부터 유래된 1가 그룹인, 발광 소자
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제1항에 있어서, 상기 화학식 1의 A2가 형광성 발광 화합물로부터 유래된 1가 그룹이고, 상기 형광은 순간 형광(prompt fluorescence) 또는 지연 형광(delayed fluorescence)인, 발광 소자
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제1항에 있어서, 상기 탄소-함유막에 대향된 전도성막을 더 포함하고,상기 화학식 1의 A2는 상기 전도성막을 향해 배치되어 있는, 발광 소자
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제13항에 있어서, 상기 탄소-함유막과 상기 전도성막 사이에 중간층이 배치되고, 상기 중간층은, 정공 수송 물질, 발광 물질, 전자 수송 물질, 또는 이의 임의의 조합; 또는절연 물질, 전해질, 공기 또는 불활성 기체;를 포함한, 발광 소자
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제1항에 있어서, 상기 탄소-함유막에 인가된 전압의 변화에 따라, 상기 발광 그룹의 전자 밀도가 변화하는, 발광 소자
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제1항에 있어서, 상기 탄소-함유막에 인가된 전압의 변화에 따라, 상기 발광 그룹으로부터 방출되는 광의 파장이 변화하는, 발광 소자
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제1항에 있어서, 상기 탄소-함유막에 인가된 전압의 연속적인 변화에 따라, 상기 발광 그룹으로부터 방출되는 광의 파장이 연속적으로 변화하는, 발광 소자
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탄소-함유막을 제공하는 단계; 및상기 탄소-함유막과 하기 화학식 1A로 표시된 화합물을 접촉시켜, 상기 탄소-함유막 표면의 탄소 원자에 하기 화학식 1로 표시된 발광 그룹을 화학적으로 결합시키는 단계;를 포함한, 발광 소자의 제조 방법:003c#화학식 1A003e#A4-(C≡C)-(A1)m1-(A2)m2003c#화학식 1003e#*-(C≡C)-(A1)m1-(A2)m2상기 화학식 1A 및 1 중, A4는 임의의 모이어티이고, *는 상기 탄소-함유막 표면의 탄소 원자와의 화학적 결합 사이트이고, A1은 연결기이고, A2는 발광 모이어티이고, m1 및 m2는 서로 독립적으로 1 내지 10의 정수이고, m1이 2 이상일 경우 2 이상의 A1은 서로 동일하거나 상이하고, m2가 2 이상일 경우 2 이상의 A2는 서로 동일하거나 상이하다
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제1항 내지 제17항 중 어느 한 항의 발광 소자의 탄소-함유막에 인가되는 전압을 제어하는 단계를 포함한, 발광 소자의 구동 방법
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제19항에 있어서,상기 발광 소자의 탄소-함유막에 인가되는 전압을 제어하는 단계가, 상기 발광 소자의 탄소-함유에 인가되는 전압을 연속적으로 또는 불연속적으로 변화시키는 단계를 포함한, 발광 소자의 구동 방법
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