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기판(10);상기 기판(10) 상에 형성되는 열전 소자(20);상기 열전 소자(20) 상에 형성되고, 상기 열전 소자(20)의 길이 방향을 따라 소정의 간격을 두고 이격되는 복수의 하부 전극을 포함하는 제1 전극층(30);상기 열전 소자(20) 상의 상기 복수의 하부 전극 사이의 제1 공간과 상기 제1 전극층(30) 상에 형성되되, 상기 길이 방향을 따라 소정의 간격을 두고 이격되는 복수의 광흡수부를 포함하는 광흡수층(40);상기 광흡수층(40) 상에 형성되며, 상기 광흡수층(30)과 접하는 면에서 P-N 접합면 또는 N-P 접합면을 형성하는 버퍼층(50); 및상기 제1 전극층(30) 상의 상기 복수의 광흡수층 사이의 제2 공간과, 상기 버퍼층(50)의 복수의 버퍼층 사이의 공간 및 상기 버퍼층(50) 상에 형성되되, 상기 길이 방향을 따라 소정의 간격을 두고 이격되는 복수의 상부 전극을 포함하는 제2 전극층(60);을 포함하는,박막태양전지 모듈
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2
제1항에 있어서,상기 복수의 하부 전극 사이의 제1 공간은 P1 가공 영역이고,상기 복수의 광흡수부 사이의 제2 공간은 P2 가공 영역이고,상기 복수의 상부 전극 사이의 제3 공간은 P3 가공 영역인,박막태양전지 모듈
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제1항에 있어서,상기 열전 소자(20)는,상기 기판(10) 상에 형성되며 서로에 대해 소정 간격 이격되는 다수의 전극(21a, 21b)을 포함하는 제3 전극층(21);상기 제3 전극층(21)의 다수의 전극(21a, 21b) 각각에 형성되는 반도체 기둥(22);상기 반도체 기둥(22) 상에 형성되는 제4 전극층(23);상기 제4 전극층(23) 상에 형성되는 제1 절연층(24);상기 제1 절연층(24) 상에 형성되는 제5 전극층(25); 및상기 제5 전극층(25) 상에 형성되는 제2 절연층(26);을 포함하는,박막태양전지 모듈
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제3항에 있어서,상기 제3 전극층(21)의 일단은 접지되어 있고,상기 제3 전극층(21)의 타단과 상기 제5 전극층(25)을 서로 전기적으로 연결하는 연결부(W);를 더 포함하는,박막태양전지 모듈
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5
제4항에 있어서,상기 열전 소자(20)는, 외부로부터 입사되는 유입광에 따라 상기 제3 전극층(21)과 상기 제4 전극층(23) 사이에 전위차가 형성되고, 상기 연결부(W)를 통해 상기 전위차에 의한 전계(Electric Field)가 상기 복수의 하부 전극 사이의 공간에 인가되는,박막태양전지 모듈
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6
제4항에 있어서,상기 반도체 기둥(22)은,N형 반도체 기둥(22a) 및 P형 반도체 기둥(22b)을 포함하며,상기 N형 반도체 기둥(22a) 및 상기 P형 반도체 기둥(22b)은 서로에 대해 소정 간격 이격되면서 상기 제3 전극층(21) 상에 교차 형성되는,박막태양전지 모듈
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7
제4항에 있어서,상기 제3 전극층(21)에 포함된 다수의 전극(21a, 21b)은 서로에 대해 소정 간격 이격되면서 상기 기판(10) 상에 형성되며,상기 제4 전극층(23)에 포함된 다수의 전극(23a, 23b)은 서로에 대해 소정 간격 이격되면서 상기 반도체 기둥(22) 상에 형성되는,박막태양전지 모듈
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8
제7항에 있어서,상기 제3 전극층(21)에 포함된 다수의 전극(21a, 21b)과 상기 제4 전극층(23)에 포함된 다수의 전극(23a, 23b)은 좌우 방향으로 일부 중첩되면서 배열되는,박막태양전지 모듈
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9
제8항에 있어서,상기 기판(10)과 상기 제1 절연층(24) 사이의 빈 공간에는 제3 절연층(27)이 형성되는,박막태양전지 모듈
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제3항에 있어서,상기 제1 전극층(50)은 가시광선 및 적외선 영역대의 파장을 투과시키는 재질로 이루어지고,상기 제2 전극층(60)은 적외선 영역대의 파장을 투과시키는 재질로 이루어진,박막태양전지 모듈
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11
제10항에 있어서,상기 제3 전극층(21), 상기 제4 전극층(23) 및 상기 제5 전극층(25)은 적외선 영역대의 파장을 흡수하는 재질로 이루어진,박막태양전지 모듈
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제1항에 있어서,상기 광흡수층(30)과 상기 버퍼층(40)은 각각 P형 반도체 또는 N형 반도체이되, 서로에 대해 반대 극성을 갖는 반도체인,박막태양전지 모듈
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제3항에 있어서,상기 제1 절연층(24)의 열전도성은 상기 제2 절연층(26)의 열전도성보다 높은,박막태양전지 모듈
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제3항에 있어서,상기 제3 전극층(21) 상에 형성되는 상기 N형 반도체 기둥(22a) 및 상기 P형 반도체 기둥은(22b) 온도 변화에 따라 전계를 형성하는 재질로 이루어지되, 상기 복수의 하부 전극 사이의 공간의 광흡수층(40)의 전자 에너지 준위를 낮추는 전계를 형성하는,박막태양전지 모듈
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제14항에 있어서,상기 열전 소자(20)에 의해 형성되는 전압(VTE)은 아래의 수식 1을 만족하는 것인,[수식 1]VTE 003e#VFB +2△Ф여기서, VFE는 광흡수층(40)의 flat-band voltage이고, △Ф는 광흡수층(40)의 페르미 에너지 준위(EF)와 intrinsic 에너지 준위(Ei)의 차이인,박막태양전지 모듈
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제10항에 있어서,상기 기판(10)과 상기 열전 소자(20) 사이에 형성되는 열 발산층(70)을 더 포함하는,박막태양전지 모듈
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기판(10);상기 기판(10) 상에 형성되는 전계형성층(80);상기 전계형성층(80) 상에 형성되고, 상기 전계형성층(80)의 길이 방향을 따라 소정의 간격을 두고 이격되는 복수의 하부 전극을 포함하는 제1 전극층(30);상기 전계형성층(80) 상의 상기 복수의 하부 전극 사이의 제1 공간과 상기 제1 전극층(30) 상에 형성되되, 상기 길이 방향을 따라 소정의 간격을 두고 이격되는 복수의 광흡수층을 포함하는 광흡수층(40);상기 광흡수층(40) 상에 형성되며, 상기 광흡수층(30)과 접하는 면에서 P-N 접합면 또는 N-P 접합면을 형성하는 버퍼층(50); 및상기 제1 전극층(30) 상의 상기 복수의 광흡수층 사이의 제2 공간과, 상기 버퍼층(50)의 복수의 버퍼층 사이의 공간 및 상기 버퍼층(50) 상에 형성되되, 상기 길이 방향을 따라 소정의 간격을 두고 이격되는 복수의 상부 전극을 포함하는 제2 전극층(60);을 포함하는,박막태양전지 모듈
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제17항에 있어서,상기 전계형성층(80)은,상기 기판(10) 상에 형성되는 게이트 전극(81); 및상기 게이트 전극(81) 상에 형성되는 게이트 절연체(82);를 포함하고,상기 게이트 전극(81)에 문턱 전압(VT)보다 높은 게이트 전압(VG)이 인가되는 경우, 상기 광흡수층(40)의 전자 에너지 준위를 낮추는 전계를 형성하는,박막태양전지 모듈
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제18항에 있어서,상기 게이트 전극(81)에 인가되는 상기 게이트 전압(VG)은 아래의 수식 2를 만족하는 것인,[수식 2]VG 003e#VFB +2△Ф여기서, VFE는 광흡수층(40)의 flat-band voltage이고, △Ф는 광흡수층(40)의 페르미 에너지 준위(EF)와 intrinsic 에너지 준위(Ei)의 차이인,박막태양전지 모듈
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