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전력반도체 소자

  • 기술번호 : KST2022019843
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 전력반도체 소자에 관한 것을 제공한다. 전력반도체 소자는 기판, 상기 기판 상의 채널층, 상기 채널층 상에 제공되는 게이트 유전층, 상기 채널층의 상면이 함몰된 소스 및 드레인 영역들 상에 제공되는 에피택시얼 패턴들, 상기 게이트 유전층 상에 제공되고, 상기 소스 및 드레인 영역들 사이에 배치되는 게이트 전극, 상기 에피택시얼 패턴들 상에 제공되는 소스 및 드레인 전극들 및 상기 기판을 관통하여 상기 소스 및 드레인 영역들 중 하나에 연결되는 써멀 비아홀 방열 패턴을 포함하되, 상기 채널층은 상기 에피택시얼 패턴들과 인접하는 상기 소스 및 드레인 영역들에 산소 공공을 포함하고, 상기 소스 및 드레인 전극들은 상기 에피택시얼 패턴들을 덮는다.
Int. CL H01L 29/66 (2006.01.01) H01L 29/812 (2006.01.01) H01L 29/24 (2006.01.01) H01L 29/45 (2006.01.01)
CPC H01L 29/66969(2013.01) H01L 29/812(2013.01) H01L 29/24(2013.01) H01L 29/45(2013.01)
출원번호/일자 1020220045638 (2022.04.13)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2022-0141759 (2022.10.20) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020210047756   |   2021.04.13
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 국내출원/신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2022.08.22)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 문재경 대전광역시 유성구
2 장우진 대전광역시 유성구
3 조규준 대전광역시 유성구
4 김성복 대전광역시 유성구
5 김인규 대전광역시 유성구
6 유성욱 대전광역시 유성구
7 장유진 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 고려 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 *길 ** *층(역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
최종권리자 정보가 없습니다
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2022.04.13 수리 (Accepted) 1-1-2022-0394037-15
2 [심사청구]심사청구서·우선심사신청서
 2022.08.22 수리 (Accepted) 1-1-2022-0877426-13
3 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2022.08.22 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2022-0877425-78
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2022.09.15 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
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번호 청구항
1 1
기판;상기 기판 상의 채널층;상기 채널층 상에 제공되는 게이트 유전층;상기 채널층의 상면이 함몰된 소스 및 드레인 영역들 상에 제공되는 에피택시얼 패턴들;상기 게이트 유전층 상에 제공되고, 상기 소스 및 드레인 영역들 사이에 배치되는 게이트 전극;상기 에피택시얼 패턴들 상에 제공되는 소스 및 드레인 전극들; 및상기 기판을 관통하여 상기 소스 및 드레인 영역들 중 하나에 연결되는 써멀 비아홀 방열 패턴을 포함하되,상기 채널층은 상기 에피택시얼 패턴들과 인접하는 상기 소스 및 드레인 영역들에 산소 공공을 포함하고, 상기 소스 및 드레인 전극들은 상기 에피택시얼 패턴들을 덮는 전력반도체 소자
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 과학기술정보통신부 한국전자통신연구원 나노·소재기술개발(R＆D) 2.5 kV급 고효율 초소형 산화갈륨 전력반도체 소자 기술 개발