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코어부, 쉘부, 및 리간드를 포함하고,상기 리간드는 하기 화학식 1 내지 3 중 적어도 하나로 표시되는 화합물인, 양자점
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제1항에 있어서,상기 양자점은, 상기 리간드; 및 적어도 하나의 Si-O 결합을 포함하는 실리콘 화합물이 반응하여 형성된 가교를 포함하는 것인, 양자점
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제1항에 있어서,상기 코어부 및 쉘부는 각각 독립적으로 Si, Ge, SiC, CdS, CdSe, CdTe, ZnS, ZnSe, ZnTe, ZnSeTe, PbS, PbSe, PbTe, AlP, AlAs, AlSb, InN
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코어부, 쉘부 및 상기 쉘부의 표면에 결합된 한자리 리간드를 포함하는 양자점을 준비하는 단계, 및상기 한자리 리간드를 하기 화학식 1 내지 3으로 표시되는 적어도 하나의 화합물로 치환하는 단계를 포함하는, 양자점 제조방법
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제4항에 있어서,상기 리간드; 및 적어도 하나의 Si-O 결합을 포함하는 실리콘 화합물을 반응시켜 가교를 형성하는 단계를 더 포함하는, 양자점 제조방법
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제4항에 있어서,상기 코어부 및 쉘부는 각각 독립적으로 Si, Ge, SiC, CdS, CdSe, CdTe, ZnS, ZnSe, ZnTe, ZnSeTe, PbS, PbSe, PbTe, AlP, AlAs, AlSb, InN
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