| 1 |
1
기판; 및상기 기판의 일면에 증착된 HZO 박막(하프늄-지르코늄-산화물 박막, hafnium-zirconium-oxide thin films)을 포함하며,상기 HZO 박막은 400℃ 이하의 온도에서 증착되고, 후 어닐링 공정 없이 증착되는강유전성 박막 구조체
|
| 2 |
2
제1항에 있어서, 상기 HZO 박막은 오존 및 하기 화학식 1로 표시되는 전구체 조성물을 주입하여 증착되는 것인강유전성 박막 구조체:[화학식 1]여기서, M은 주기율표상 4A족 또는 4B족에 속하는 금속원소이다
|
| 3 |
3
제2항에 있어서, 상기 화학식 1로 표시되는 전구체 조성물은 하기 화학식 2로 표시되는 전구체 조성물 및 하기 화학식 3으로 표시되는 전구체 조성물인강유전성 박막 구조체:[화학식 2][화학식 3]
|
| 4 |
4
제3항에 있어서,상기 전구체 조성물은 하프늄(Hf) 및 지르코늄(Zr)의 몰비가 1:9 내지 5:5로 포함하는강유전성 박막 구조체
|
| 5 |
5
제1항에 있어서,상기 HZO 박막은 사방정계(Orthorhombic) 결정 구조를 가지고, 상기 사방정계 상(111) 평면에서 2
|
| 6 |
6
제1항에 있어서, 상기 HZO 박막은 원자층 증착법(Atomic Layer Deposition, ALD)에 의해 형성되는강유전성 박막 구조체
|
| 7 |
7
제1항에 있어서, 상기 기판은 타이타늄, 탄탈늄, 루세늄, 텅스텐, 몰리브데넘 또는 이들의 질화막 또는 이들의 산화막 중 선택되는 것인강유전성 박막 구조체
|
| 8 |
8
제1항에 있어서, 상기 강유전성 하프늄-지르코늄-옥사이드 박막은 45 내지 50 μc/cm-2의 2Pr(double remanent polarization) 값을 갖는강유전성 박막 구조체
|
| 9 |
9
기판; 상기 기판 상에 마련되는 게이트 전극; 및 상기 기판과 상기 게이트 전극 사이에 마련되는 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 따른 강유전성 박막 구조체를 포함하는전자 소자
|
| 10 |
10
제9항에 있어서, 상기 기판에는 상기 게이트 전극과 대응하는 위치에 채널 요소가 마련되어 있으며, 상기 채널 요소의 양측에는 소스 및 드레인이 마련되어 있는 전자 소자
|
| 11 |
11
제9항에 있어서,상기 채널 요소는 Si, Ge, SiGe, Ⅲ-Ⅴ족 반도체, 산화물 반도체, 질화물 반도체, 질산화물 반도체, 이차원 물질(2D material), 양자점(quantum dot) 및 유기 반도체 중 적어도 하나를 포함하는 전자 소자
|
| 12 |
12
원자층 증착(ALD)에 의해 강유전 박막 구조체를 제조하는 방법에 있어서, 하기 화학식 1로 표시되는 전구체 조성물 및 산화제인 오존을 주입하여 기판의 일면에 HZO 박막(하프늄-지르코늄-옥사이드 박막, hafnium-zirconium-oxide thin films) 증착하는 단계를 포함하며,상기 증착하는 단계는 400℃ 이하의 온도에서 진행하는 것인강유전성 박막 구조체의 제조 방법:[화학식 1]여기서, M은 주기율표상 4A족 또는 4B족에 속하는 금속원소이다
|
| 13 |
13
제12항에 있어서, 상기 화학식 1로 표시되는 전구체 조성물은 하기 화학식 2로 표시되는 전구체 조성물 및 하기 화학식 3으로 표시되는 전구체 조성물인강유전성 박막 구조체의 제조 방법:[화학식 2][화학식 3]
|
| 14 |
14
제12항에 있어서, 상기 증착 단계는 Ar 가스를 캐리어 가스로 사용하는 것인강유전성 박막 구조체의 제조 방법
|
| 15 |
15
제12항에 있어서, 상기 기판은 타이타늄, 탄탈늄, 루세늄, 텅스텐, 몰리브데넘 또는 이들의 질화막 또는 이들의 산화막 중 선택되는 것인강유전성 박막 구조체의 제조 방법
|
