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가시광에서 투명한 저손실 수소화 비정질 실리콘 및 이의 제조방법

  • 기술번호 : KST2022021668
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명의 일 측면에 따르면, 기판을 제공하는 단계; 수소(H2) 가스와 실라인(SiH4) 가스를 챔버에 투입하는 플라즈마 강화 화학 기상 증착법을 이용하여 상기 기판 상에 유전체층을 증착시키는 단계를 포함하고, 상기 플라즈마 강화 화학 기상 증착법이 실행되는 상기 챔버 내부의 공정온도는 170℃내지 180℃이고, 공정압력은 20 mTorr 내지 30 mTorr로 제공되는 가시광에서 투명한 저손실 수소화 비정질 실리콘의 제조방법이 제공될 수 있다.
Int. CL C23C 16/24 (2006.01.01) C23C 16/505 (2006.01.01) C23C 16/56 (2006.01.01) C23C 14/18 (2006.01.01) C23C 14/58 (2006.01.01) C23C 14/04 (2006.01.01) G02B 1/00 (2022.01.01) G02B 26/06 (2006.01.01) C23C 14/30 (2006.01.01) B82Y 40/00 (2017.01.01)
CPC C23C 16/24(2013.01) C23C 16/505(2013.01) C23C 16/56(2013.01) C23C 14/18(2013.01) C23C 14/5873(2013.01) C23C 14/042(2013.01) G02B 1/002(2013.01) G02B 26/06(2013.01) C23C 14/30(2013.01) B82Y 40/00(2013.01)
출원번호/일자 1020210034708 (2021.03.17)
출원인 포항공과대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2022-0129855 (2022.09.26) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 국내출원/신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2021.03.17)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 포항공과대학교 산학협력단 대한민국 경상북도 포항시 남구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 양영환 제주특별자치도 제주시
2 윤관호 경상북도 포항시 남구
3 노준석 경상북도 포항시 남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 유장현 대한민국 서울특별시 서초구 논현로 ***(양재동) *층(로드맵특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2021.03.17 수리 (Accepted) 1-1-2021-0314308-06
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2021.05.18 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 [출원서 등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2022.03.02 수리 (Accepted) 1-1-2022-0229474-28
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번호 청구항
1 1
기판을 제공하는 단계;수소(H2) 가스와 실라인(SiH4) 가스를 챔버에 투입하는 플라즈마 강화 화학 기상 증착법을 이용하여 상기 기판 상에 유전체층을 증착시키는 단계를 포함하고,상기 플라즈마 강화 화학 기상 증착법이 실행되는 상기 챔버 내부의 공정온도는 170℃ 내지 180℃이고, 공정압력은 20 mTorr 내지 30 mTorr로 제공되는 가시광에서 투명한 저손실 수소화 비정질 실리콘의 제조방법
2 2
제1 항에 있어서,상기 챔버 내부의 공정온도(TP)는 173℃ 내지 178℃ 이고, 공정압력(Pc)은 23 mTorr 내지 27 mTorr로 제공되는가시광에서 투명한 저손실 수소화 비정질 실리콘의 제조방법
3 3
기판을 제공하는 단계;수소(H2) 가스와 실라인(SiH4) 가스를 챔버에 투입하는 플라즈마 강화 화학 기상 증착법을 이용하여 상기 기판 상에 유전체층을 증착시키는 단계를 포함하고,상기 플라즈마 강화 화학 기상 증착법이 실행되는 상기 챔버 내부의 공정압력은 30 mTorr 내지 50 mTorr이고, 공정온도는 195℃ 내지 205℃로 제공되는가시광에서 투명한 저손실 수소화 비정질 실리콘의 제조방법
4 4
제1 항에 있어서,상기 챔버 내부의 공정압력(Pc)은 35 mTorr 내지 45 mTorr이고, 공정온도(TP)는 200℃로 제공되는가시광에서 투명한 저손실 수소화 비정질 실리콘의 제조방법
5 5
제1 항에 있어서,상기 챔버에는 전력(radio-frequency power, WRF) 800 W가 제공되고, 유량비(flow-rate ratio, γ)는 7
6 6
제4 항에 있어서,상기 챔버에는 전력(radio-frequency power, WRF)이 800 W로 제공되고, 유량비(flow-rate ratio, γ)는 7
7 7
제1 항에 있어서,수소(H2) 가스와 실라인(SiH4) 가스를 챔버에 투입하는 플라즈마 강화 화학 기상 증착법을 이용하여 상기 기판 상에 유전체층을 증착시키는 단계 이후에, 상기 유전체층을 복수 개의 나노구조체를 포함하는 메타표면으로 형성하는 단계를 더 포함하는가시광에서 투명한 저손실 수소화 비정질 실리콘의 제조방법
8 8
제7 항에 있어서,상기 유전체층을 복수 개의 나노구조체를 포함하는 메타표면으로 형성하는 단계는,상기 유전체층에 레지스트를 코팅하는 단계(S31);상기 레지스트에 전자빔을 조사하여 복수 개의 나노구조체가 형성될 수 있는 패턴을 형성하는 단계(S32);상기 레지스트에 크롬층을 증착하고, 리프트오프 공정과 식각 공정을 실행하여 상기 레지스트와 상기 크롬층을 제거하여 상기 복수 개의 나노구조체가 형성된 메타표면을 형성하는 단계(S33)를 포함하는가시광에서 투명한 저손실 수소화 비정질 실리콘의 제조방법
9 9
기판과 수소화 비정질 실리콘으로 적층된 가시광에서 투명한 저손실 수소화 비정질 실리콘에 있어서, 상기 가시광에서 투명한 저손실 수소화 비정질 실리콘에 450nm 파장을 갖는 빛을 투과 시켰을때 소멸계수는 0
10 10
제9 항에 있어서,상기 가시광에서 투명한 저손실 수소화 비정질 실리콘에 450nm 파장을 갖는 빛을 투과시켰을 때, 조정가능한 굴절률의 범위는 1
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1 WO2022196915 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 과학기술정보통신부 포항공과대학교 중견연구 디스퍼션 엔지니어링 기반 하이퍼볼릭 메타물질 개발 및 광소자 응용
2 과학기술정보통신부 포항공과대학교 산학협력단 선도연구센터사업(RLRC) 자율형 자동차 부품소재 청색기술 선도연구센터
3 과학기술정보통신부 포항공과대학교 산학협력단 미래소재디스커버리사업 ZERC 통합 플랫폼 구축 및 smart ZERC 시스템 개발