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관통 비아(through via)에 형성된 Cu 상에 Sn계 물질을 도금하여 마이크로 범프(microbump)를 형성하는 단계;Sn계 물질의 녹는점 이하의 온도에서 열처리를 진행하여 Cu6Sn5 금속간 화합물을 형성하는 단계; 및상기 열처리된 마이크로 범프끼리 맞닿게 한 후 확산 접합 공정을 수행하는 단계를 포함하는,금속간화합물을 통한 고상 접합 방법
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제 1 항에 있어서,상기 확산 접합 공정은 열압착 본딩(Thermal Compression Bonding; TCB) 공정인,금속간화합물을 통한 고상 접합 방법
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제 2 항에 있어서,상기 열압착 본딩 공정에 의해 Cu의 확산에 의해 Cu3Sn 금속간 화합물이 접합부에서 형성되는,금속간화합물을 통한 고상 접합 방법
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제 3 항에 있어서,상기 접합부에서는 Cu3Sn 금속간 화합물 및 Cu6Sn5 금속간 화합물이 공존할 수 있는,금속간화합물을 통한 고상 접합 방법
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제 1 항에 있어서,상기 확산 접합 공정은 대기압 하에서 수행되는,금속간화합물을 통한 고상 접합 방법
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다이(die)의 관통 비아에 형성된 Cu 상에 Sn계 물질을 도금하여 마이크로 범프를 형성하는 단계;Sn계 물질의 녹는점 이하의 온도에서 열처리를 진행하여 Cu6Sn5 금속간 화합물을 형성하는 단계; 및다이를 적층하여 상기 열처리된 마이크로 범프끼리 맞닿게 한 후 확산 접합 공정을 수행하는 단계를 포함하는,금속간화합물을 통한 고상 접합 방법
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7
제 6 항에 있어서,상기 확산 접합 공정은 열압착 본딩(TCB) 공정인,금속간화합물을 통한 고상 접합 방법
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8
제 7 항에 있어서,상기 열압착 본딩 공정에 의해 Cu의 확산에 의해 Cu3Sn 금속간 화합물이 접합부에서 형성되는,금속간화합물을 통한 고상 접합 방법
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9
제 8 항에 있어서,상기 접합부에서는 Cu3Sn 금속간 화합물 및 Cu6Sn5 금속간 화합물이 공존할 수 있는,금속간화합물을 통한 고상 접합 방법
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10
제 6 항에 있어서,상기 확산 접합 공정은 대기압 하에서 수행되는,금속간화합물을 통한 고상 접합 방법
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제 6 항 내지 제 10 항 중 어느 한 항의 방법에 따라 접합된, 둘 이상의 적층된 다이 구조체
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둘 이상의 적층된 다이를 포함하고,상기 다이의 관통 비아에 형성된 마이크로 범프끼리 맞닿아 적층된 다이끼리 접합이 이루어져 있으며,상기 접합은, 다이의 관통 비아에 형성된 Cu 상에 Sn계 물질을 도금하여 마이크로 범프를 형성하는 단계; Sn계 물질의 녹는점 이하의 온도에서 열처리를 진행하여 Cu6Sn5 금속간 화합물을 형성하는 단계; 및 다이를 적층하여 상기 열처리된 마이크로 범프끼리 맞닿게 한 후 확산 접합 공정을 수행하는 단계를 포함하는,금속간화합물을 통한 고상 접합 방법에 의해 접합된 다이 구조체
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13 |
13
제 12 항에 있어서,상기 확산 접합 공정은 열압착 본딩(TCB) 공정인,금속간화합물을 통한 고상 접합 방법에 의해 접합된 다이 구조체
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14
제 13 항에 있어서,상기 열압착 본딩 공정에 의해 Cu의 확산에 의해 Cu3Sn 금속간 화합물이 접합부에서 형성되는,금속간화합물을 통한 고상 접합 방법에 의해 접합된 다이 구조체
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제 14 항에 있어서,상기 접합부에서는 Cu3Sn 금속간 화합물 및 Cu6Sn5 금속간 화합물이 공존할 수 있는,금속간화합물을 통한 고상 접합 방법에 의해 접합된 다이 구조체
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제 12 항에 있어서,상기 확산 접합 공정은 대기압 하에서 수행되는,금속간화합물을 통한 고상 접합 방법에 의해 접합된 다이 구조체
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