1 |
1
크롬 원소를 도펀트로 함유하는 코발트 금속 모상을 준비하는 제 1 단계; 및상기 크롬 원소를 도펀트로 함유하는 코발트 금속 모상을 열처리하여 상기 크롬 원소가 상기 코발트 금속 모상의 표면으로 확산됨으로써, 코발트 금속 및 상기 코발트 금속의 표면에 크롬 산화물로 이루어진 확산방지막을 형성하는 제 2 단계;를 포함하는,배선 형성 방법
|
2 |
2
제 1 항에 있어서,상기 제 2 단계에서 상기 열처리는 200 ~ 400℃에서 수행하는 것을 특징으로 하는, 배선 형성 방법
|
3 |
3
제 1 금속원소를 도펀트로 함유하는 코발트 금속 모상을 준비하는 제 1 단계; 및상기 제 1 금속원소를 도펀트로 함유하는 코발트 금속 모상을 열처리하여 상기 제 1 금속원소가 상기 코발트 금속 모상의 표면으로 확산되어 확산방지막을 형성하는 제 2 단계;를 포함하는,배선 형성 방법
|
4 |
4
제 3 항에 있어서,상기 제 2 단계는 상기 금속 모상의 표면으로 확산된 상기 제 1 금속원소가 산소와 반응하여 제 1 금속원소의 산화물로 이루어진 확산방지막을 형성하는 것을 특징으로 하는,배선 형성 방법
|
5 |
5
제 4 항에 있어서,상기 제 2 단계는 순수한 코발트 금속 및 상기 순수한 코발트 금속의 표면에 형성된 상기 확산방지막을 형성하는 단계를 포함하는,배선 형성 방법
|
6 |
6
제 4 항에 있어서,상기 제 1 단계는 산소 원소를 함유하는 절연 구조체에 인접하여 상기 제 1 금속원소를 도펀트로 함유하는 코발트 금속 모상을 준비하는 단계를 포함하고,상기 제 2 단계에서 상기 제 1 금속원소와 반응하는 상기 산소는 적어도 일부가 상기 산소 원소를 함유하는 절연 구조체에서 제공되는 것을 특징으로 하는,배선 형성 방법
|
7 |
7
제 6 항에 있어서,상기 산소 원소를 함유하는 절연 구조체는 산소 원소를 함유하는 절연막인 것을 특징으로 하는,배선 형성 방법
|
8 |
8
제 6 항에 있어서,상기 산소 원소를 함유하는 절연 구조체는 에어 갭(air gap)인 것을 특징으로 하는,배선 형성 방법
|
9 |
9
제 3 항에 있어서,상기 제 1 금속원소는 크롬(Cr)인 것을 특징으로 하는,배선 형성 방법
|
10 |
10
제 1 항에 있어서,상기 제 1 금속원소는 주석(Sn), 철(Fe), 니켈(Ni) 또는 아연(Zn)인 것을 특징으로 하는,배선 형성 방법
|
11 |
11
제 1 항에 있어서,상기 제 2 단계에서 상기 열처리는 200 ~ 400℃에서 수행하는 것을 특징으로 하는,배선 형성 방법
|