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배선 형성 방법

  • 기술번호 : KST2022023319
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명의 일 실시예에 의한 배선 형성 방법은 제 1 금속원소를 도펀트로 함유하는 코발트 금속 모상을 준비하는 제 1 단계; 및 상기 제 1 금속원소를 도펀트로 함유하는 코발트 금속 모상을 열처리하여 상기 제 1 금속원소가 상기 코발트 금속 모상의 표면으로 확산되어 확산방지막을 형성하는 제 2 단계;를 포함한다.
Int. CL H01L 21/768 (2006.01.01) H01L 21/3205 (2006.01.01) H01L 21/321 (2006.01.01)
CPC H01L 21/76864(2013.01) H01L 21/32051(2013.01) H01L 21/321(2013.01) H01L 21/7682(2013.01) H01L 21/76843(2013.01) H01L 2221/1047(2013.01)
출원번호/일자 1020220062948 (2022.05.23)
출원인 서울대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2022-0159281 (2022.12.02) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020210066788   |   2021.05.25
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 국내출원/신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2022.05.23)
심사청구항수 11

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김철 서울특별시 관악구
2 강거산 서울특별시 관악구
3 이윤구 서울특별시 관악구
4 주영창 서울특별시 관악구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김남식 대한민국 서울특별시 서초구 남부순환로***길 *-*, *층 (양재동, 가람빌딩)(율민국제특허법률사무소)
2 김한 대한민국 서울특별시 서초구 남부순환로***길 *-*, *층 (양재동, 가람빌딩)(율민국제특허법률사무소)
3 이인행 대한민국 서울특별시 서초구 남부순환로***길 *-*, *층 (양재동, 가람빌딩)(율민국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2022.05.23 수리 (Accepted) 1-1-2022-0543497-55
2 특허고객번호 정보변경(경정)신고서·정정신고서
2022.08.11 수리 (Accepted) 4-1-2022-5189083-38
3 특허고객번호 정보변경(경정)신고서·정정신고서
2022.10.07 수리 (Accepted) 4-1-2022-5235636-01
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번호 청구항
1 1
크롬 원소를 도펀트로 함유하는 코발트 금속 모상을 준비하는 제 1 단계; 및상기 크롬 원소를 도펀트로 함유하는 코발트 금속 모상을 열처리하여 상기 크롬 원소가 상기 코발트 금속 모상의 표면으로 확산됨으로써, 코발트 금속 및 상기 코발트 금속의 표면에 크롬 산화물로 이루어진 확산방지막을 형성하는 제 2 단계;를 포함하는,배선 형성 방법
2 2
제 1 항에 있어서,상기 제 2 단계에서 상기 열처리는 200 ~ 400℃에서 수행하는 것을 특징으로 하는, 배선 형성 방법
3 3
제 1 금속원소를 도펀트로 함유하는 코발트 금속 모상을 준비하는 제 1 단계; 및상기 제 1 금속원소를 도펀트로 함유하는 코발트 금속 모상을 열처리하여 상기 제 1 금속원소가 상기 코발트 금속 모상의 표면으로 확산되어 확산방지막을 형성하는 제 2 단계;를 포함하는,배선 형성 방법
4 4
제 3 항에 있어서,상기 제 2 단계는 상기 금속 모상의 표면으로 확산된 상기 제 1 금속원소가 산소와 반응하여 제 1 금속원소의 산화물로 이루어진 확산방지막을 형성하는 것을 특징으로 하는,배선 형성 방법
5 5
제 4 항에 있어서,상기 제 2 단계는 순수한 코발트 금속 및 상기 순수한 코발트 금속의 표면에 형성된 상기 확산방지막을 형성하는 단계를 포함하는,배선 형성 방법
6 6
제 4 항에 있어서,상기 제 1 단계는 산소 원소를 함유하는 절연 구조체에 인접하여 상기 제 1 금속원소를 도펀트로 함유하는 코발트 금속 모상을 준비하는 단계를 포함하고,상기 제 2 단계에서 상기 제 1 금속원소와 반응하는 상기 산소는 적어도 일부가 상기 산소 원소를 함유하는 절연 구조체에서 제공되는 것을 특징으로 하는,배선 형성 방법
7 7
제 6 항에 있어서,상기 산소 원소를 함유하는 절연 구조체는 산소 원소를 함유하는 절연막인 것을 특징으로 하는,배선 형성 방법
8 8
제 6 항에 있어서,상기 산소 원소를 함유하는 절연 구조체는 에어 갭(air gap)인 것을 특징으로 하는,배선 형성 방법
9 9
제 3 항에 있어서,상기 제 1 금속원소는 크롬(Cr)인 것을 특징으로 하는,배선 형성 방법
10 10
제 1 항에 있어서,상기 제 1 금속원소는 주석(Sn), 철(Fe), 니켈(Ni) 또는 아연(Zn)인 것을 특징으로 하는,배선 형성 방법
11 11
제 1 항에 있어서,상기 제 2 단계에서 상기 열처리는 200 ~ 400℃에서 수행하는 것을 특징으로 하는,배선 형성 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.