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자기 복원성 페로브스카이트 박막, 이를 제조하는 방법 및 이를 이용한 전자 소자

  • 기술번호 : KST2022023492
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 자기 복원성 페로브스카이트 박막, 이를 제조하는 방법 및 이를 이용한 전자 소자에 관한 것이다. 본 발명의 자기 복원성 페로브스카이트 박막은 페로브스카이트 물질, 폴리비닐알코올 및 글루코스를 포함하여, 페로브스카이트 물질이 외부의 자극에 의해 이온으로 분해되더라도 자발적으로 다시 페로브스카이트 결정을 형성하는 자기 복원 특성을 구현할 수 있다. 또한, 박막에 수분이 침투하는 경우 박막 내에 포함된 폴리비닐알코올과 글루코스가 수분과 반응하여 보호막이 형성되므로, 결함이 확산되는 것을 효과적으로 방지할 수 있다. 따라서, 본 발명의 페로브스카이트 박막을 이용하면 물리적 및 화학적 자극에 대해 자기 복원 특성을 나타내어, 내구성이 우수하고 수명이 긴 전자 소자를 제공할 수 있다. 또한 페로브스카이트 박막을 보호하기 위한 별도의 보호층이 필요하지 않아 소자의 박막화가 가능하고, 간단한 공정으로 소자를 제조할 수 있다.
Int. CL H01L 51/00 (2006.01.01) H01L 51/42 (2006.01.01)
CPC H01L 51/0007(2013.01) H01L 51/4213(2013.01) H01L 51/0032(2013.01) H01L 51/0034(2013.01)
출원번호/일자 1020210071982 (2021.06.03)
출원인 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2022-0163617 (2022.12.12) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 국내출원/신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2021.06.03)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김태환 서울특별시 강남구
2 김대훈 서울특별시 용산구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 해움특허법인 대한민국 서울특별시 서초구 강남대로 ***, *층(반포동, 세영제이타워)

최종권리자

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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2021.06.03 수리 (Accepted) 1-1-2021-0641997-14
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번호 청구항
1 1
페로브스카이트(perovskite) 물질, 폴리비닐알코올(poly(vinyl alcohol), PVA) 및 글루코스(glucose)를 포함하는, 자기 복원성(self-healable) 페로브스카이트 박막
2 2
제 1 항에 있어서,상기 페로브스카이트 물질이 하기 화학식 1로 표시되는, 자기 복원성 페로브스카이트 박막:[화학식 1]AnA'1-nMX3상기 식에서, 상기 A 및 A'는 각각 독립적으로 탄소수가 1 내지 10인 알킬 암모늄, 포화 나프텐계 암모늄(saturated naphthene-based ammonium), 포화 헤테로사이클계 암모늄(saturated heterocycle-based ammonium), N-메틸-1,4-디아자바이사이클로[2
3 3
제 1 항에 있어서,상기 폴리비닐알코올 및 글루코스의 중량비가 4:1 내지 1:1인, 자기 복원성 페로브스카이트 박막
4 4
(i) 페로브스카이트 전구체, 폴리비닐알코올, 글루코스 및 용매를 포함하는 페로브스카이트 복합체 용액을 제조하는 단계; 및(ii) 상기 페로브스카이트 복합체 용액을 기판 상에 코팅하여 페로브스카이트 박막을 형성하는 단계를 포함하는, 자기 복원성 페로브스카이트 박막의 제조방법
5 5
기판; 상기 기판 상에 위치하는 하부 전극층; 상기 하부 전극층 상에 위치하며, 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 따른 자기 복원성 페로브스카이트 박막; 및 상기 자기 복원성 페로브스카이트 박막 상에 위치하는 상부 전극층을 포함하는, 전자 소자
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 과학기술정보통신부 한양대학교 개인기초연구(과기정통부)(R＆D) 지능형 뉴로모픽 소자와 인체친화적 발광 소자의 연구와 응용