| 1 |
1
탄소나노튜브 및 파라핀을 포함하는 전도성 복합재를 타겟 기판 상에 인쇄하는 방법에 있어서,상기 전도성 복합재를 가열된 지지체 상에 도포하여 상기 파라핀을 용융시키는 제1 단계;상기 전도성 복합재 상에 음각 패턴 홈을 구비하는 스탬프를 배치시켜 상기 음각 패턴 홈에 상기 전도성 복합재를 충진시키는 제2 단계;상기 전도성 복합재가 충진된 스탬프를 타겟 기판의 일면 상에 접촉시켜 상기 음각 패턴 홈에 충진된 전도성 복합재를 상기 타겟 기판의 일면에 전사시키는 제3 단계; 및상기 파라핀을 고화시키는 제4 단계;를 포함하는,전도성 패턴 인쇄 방법
|
| 2 |
2
제1항에 있어서,상기 음각 패턴 홈을 구비하는 스탬프는 표면 에너지가 파라핀과 동일하거나 파라핀보다 낮은 물질로 이루어진 것을 특징으로 하는,전도성 패턴 인쇄 방법
|
| 3 |
3
제2항에 있어서,상기 음각 홈이 패터닝된 스탬프는 아크릴, 우레탄, 비닐, 실록산, 실리콘화, 불소화, 염소불소화, 에폭시, 스티렌, 엘라스토머 수지 및 이들의 혼합물로 구성된 군에서 선택되는 적어도 하나 이상의 수지로 이루어진 것을 특징으로 하는,전도성 패턴 인쇄 방법
|
| 4 |
4
제1항에 있어서,상기 타겟 기판은,종이; 잎; 피부; Li, B, Na, Mg, Al, Si, K, Ca, Ti, V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Zn, Ga, Ge, As, Se, Zr, Mo, Pd, Ag, In, Sn, Sb, Te, Ba, W, Ir, Pt, Au, Bi 및 이들의 합금 중에서 선택되는 무기물 또는 이의 산화물; 및, 고무, 라텍스, 폴리에틸렌 테레프탈레이트(polyethylene terephthalate, PET), 퍼플루오로알콕시 알칸(perfluoroalkoxy, PFA), 불소화 에틸렌 프로필렌(fluorinated ethylene propylene, FEP), 폴리이미드(polyimide, PI) 및 폴리아마이드(polyamide, PA) 중에서 선택되는 고분자 중합체 중에서 선택된 물질로 이루어진 것을 특징으로 하는,전도성 패턴 인쇄 방법
|
| 5 |
5
제1항에 있어서,상기 제3 단계에서, 상기 타겟 기판의 일면에 전사는 스탬프를 상기 타겟 기판 일면의 반대 방향으로 굽히면서 변형을 가하여 수행하는 것을 특징으로 하는,전도성 패턴 인쇄 방법
|
| 6 |
6
제5항에 있어서,상기 제3 단계에서, 상기 타겟 기판의 일면에 전사는 상기 전도성 복합재가 충진된 스탬프에 타겟 기판 일면의 방향으로 압력을 인가하면서 수행하는 것을 특징으로 하는,전도성 패턴 인쇄 방법
|
| 7 |
7
제1항에 있어서,상기 전도성 복합재는 전체 중량 대비 탄소나노튜브를 4 내지 6 wt% 으로 포함하는 것을 특징으로 하는,전도성 패턴 인쇄 방법
|
| 8 |
8
제1항에 있어서,상기 제2 단계 후, 상기 전도성 복합재가 충진된 스탬프의 표면을 파라핀으로 세척하여 잔류물을 제거하는 단계;를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는,전도성 패턴 인쇄 방법
|
| 9 |
9
제1항에 있어서,상기 전도성 패턴이 균열 또는 분리되는 경우,상기 전도성 패턴을 파라핀의 융점보다 높은 온도로 가열하여 접합시키는 단계;를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는,전도성 패턴 인쇄 방법
|
| 10 |
10
기판;상기 기판 상에 제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 따른 방법으로 인쇄되며, 소정의 폭 및 간격을 두고 이격된 복수의 브랜치들이 상호 교대로 맞물린 패턴을 구비하는 한 쌍의 전극; 및상기 한 쌍의 전극 상에 배치된 유전층;을 포함하고,상기 한 쌍의 전극은, 파라핀; 및 상기 파라핀에 분산되어 네트워크를 형성하는 탄소나노튜브 클러스터;를 포함하는,커패시턴스 센서
|
| 11 |
11
제10항에 있어서,상기 전극 전체 중량 대비 탄소나노튜브 클러스터의 함량은 12 내지 18 wt% 인 것을 특징으로 하는,커패시턴스 센서
|
| 12 |
12
제10항에 있어서,상기 탄소나노튜브 클러스터의 평균 크기는 5 ㎛ 이하인 것을 특징으로 하는,커패시턴스 센서
|
| 13 |
13
제10항에 있어서,상기 복수의 브랜치의 폭(width) 및 간격은 125 ㎛ 이하인 것을 특징으로 하는,커패시턴스 센서
|
| 14 |
14
마찰층;상기 마찰층의 일면에 제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 따른 방법으로 인쇄되며, 소정의 폭 및 간격을 두고 이격된 복수의 브랜치들이 상호 교대로 맞물린 패턴을 구비하는 한 쌍의 전극층; 및상기 한 쌍의 전극층 상에 배치된 유전층;을 포함하고,상기 한 쌍의 전극층은, 파라핀; 및 상기 파라핀에 분산되어 네트워크를 형성하는 탄소나노튜브 클러스터;를 포함하는,마찰 전기 나노발전기
|
| 15 |
15
제14항에 있어서,상기 전극층 전체 중량 대비 탄소나노튜브 클러스터의 함량은 12 내지 18 wt% 인 것을 특징으로 하는,마찰 전기 나노발전기
|
| 16 |
16
제14항에 있어서,상기 탄소나노튜브 클러스터의 평균 크기는 5 ㎛ 이하인 것을 특징으로 하는,마찰 전기 나노발전기
|
| 17 |
17
제14항에 있어서,상기 복수의 브랜치의 폭(width) 및 간격은 125 ㎛ 이하인 것을 특징으로 하는,마찰 전기 나노발전기
|
