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반도체 메모리 장치의 비트라인 센스앰프 및 비트라인 센싱방법

  • 기술번호 : KST2023005329
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 개시된 일 실시예에 따른 비트라인 센스앰프는 비트라인으로부터 입력 신호을 입력 받고 제1 신호를 제1 노드로 출력하는 제1 인버터; 상기 제1 신호를 입력 받고 제2 신호를 제2 노드로 출력하는 제2 인버터;및 상기 제1 신호를 포지티브 입력(Positive input)으로 하고, 상기 제2 신호를 네거티브 입력(Negative input)으로 하는 차동 증폭기;및 상기 제1 신호의 상기 차동 증폭기에 대한 입력을 조절하는 제1 스위치 및 상기 제2 신호의 상기 차동 증폭기에 대한 입력을 조절하는 제2 스위치를 포함하되, 상기 제1 인버터와 상기 제2 인버터는 풀업(Pull-up) 전류를 제공함으로써 상기 제1 신호를 조절하는 제1 전류원 및 풀다운(Pull-down) 전류를 제공함으로써 상기 제1 신호를 조절하는 제2 전류원을 통하여 연결된다.
Int. CL G11C 7/06 (2021.01.01) G11C 7/12 (2006.01.01) H03F 3/45 (2006.01.01)
CPC G11C 7/065(2013.01) G11C 7/12(2013.01) H03F 3/45475(2013.01)
출원번호/일자 1020220067700 (2022.06.02)
출원인 삼성전자주식회사, 성균관대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2023-0121525 (2023.08.18) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020220018468   |   2022.02.11
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 국내출원/신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 N
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 삼성전자주식회사 대한민국 경기도 수원시 영통구
2 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박채환 경기도 수원시 영통구
2 권기원 경기도 수원시 장안구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 리앤목특허법인 대한민국 서울 강남구 언주로 **길 **, *층, **층, **층, **층(도곡동, 대림아크로텔)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2022.06.02 수리 (Accepted) 1-1-2022-0581631-68
2 보정요구서
Request for Amendment
2022.06.08 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2022-0085743-65
3 [출원서 등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2022.06.30 수리 (Accepted) 1-1-2022-0684483-34
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
비트라인으로부터 입력 신호을 입력 받고 제1 신호를 제1 노드로 출력하는 제1 인버터;상기 제1 신호를 입력 받고 제2 신호를 제2 노드로 출력하는 제2 인버터;및 상기 제1 신호를 포지티브 입력(Positive input)으로 하고, 상기 제2 신호를 네거티브 입력(Negative input)으로 하는 차동 증폭기;및상기 제1 신호의 상기 차동 증폭기에 대한 입력을 조절하는 제1 스위치 및 상기 제2 신호의 상기 차동 증폭기에 대한 입력을 조절하는 제2 스위치를 포함하되,상기 제1 인버터와 상기 제2 인버터는 풀업(Pull-up) 전류를 제공함으로써 상기 제1 신호를 조절하는 제1 전류원 및 풀다운(Pull-down) 전류를 제공함으로써 상기 제1 신호를 조절하는 제2 전류원을 통하여 연결되는 비트라인 센스앰프
2 2
제1 항에 있어서, 상기 제1 전류원 및 상기 제2 전류원은 종속 전류원이고, 상기 제1 전류원은 상기 입력 신호에 의하여 상기 제1 신호를 조절하고, 상기 제2 전류원은 상기 차동 증폭기의 출력 신호에 의하여 상기 제1 신호를 조절하는 비트라인 센스앰프
3 3
제1 항에 있어서, 상기 제1 전류원 및 상기 제2 전류원은 종속 전류원이고, 상기 제1 전류원은 상기 차동 증폭기의 출력 신호에 의하여 상기 제1 신호를 조절하고, 상기 제2 전류원은 상기 입력 신호에 의하여 상기 제1 신호를 조절하는 비트라인 센스앰프
4 4
제1 항에 있어서, 상기 제1 전류원은 독립 전류원이고 상기 제2 전류원은 종속 전류원이되, 상기 제2 전류원은 상기 차동 증폭기의 출력 신호에 의하여 상기 제1 신호를 조절하는 비트라인 센스앰프
5 5
제1 항에 있어서, 상기 제1 전류원은 종속 전류원이고 상기 제2 전류원은 독립 전류원이되, 상기 제1 전류원은 상기 차동 증폭기의 출력 신호에 의하여 상기 제1 신호를 조절하는 비트라인 센스앰프
6 6
제1 항에 있어서, 상기 제1 스위치 및 상기 제2 스위치가 닫히는 경우, 상기 차동 증폭기의 출력에 의하여 상기 제2 전류원의 출력이 조절되고, 상기 제2 전류원의 출력에 기초하여 상기 제2 신호를 조절하는 비트라인 센스앰프
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비트라인 센스앰프에 의하여 수행되는 비트라인 센싱 방법에 있어서,비트라인으로부터 입력 신호가 입력되는 단계; 상기 입력 신호가 제1 인버터에 입력되면 제1 신호가 제1 노드로 출력되는 단계;상기 제1 신호가 제2 인버터에 입력되고, 상기 제2 인버터에 의하여 제2 신호가 제2 노드로 출력되는 단계;상기 입력 신호를 포지티브 입력(Positive input)으로 하고, 상기 제2 신호를 네거티브 입력(Negative input)으로 차동 증폭기에 입력 되는 단계;및제1 스위치에 의하여 상기 제1 신호의 상기 차동 증폭기로의 입력이 조절되고, 제2 스위치에 의하여 상기 차동 증폭기로의 상기 제2 신호의 입력이 조절되는 단계를 포함하되,풀업(Pull-up) 전류를 제공하는 제1 전류원 및 풀다운(Pull-down) 전류를 제공하는 제2 전류원에 의하여 상기 제1 신호가 조절되는 비트라인 센싱 방법
8 8
비트라인 센싱 동작을 수행하는 비트라인 센스 앰프에 있어서,입력 신호을 입력 받고 제1 신호를 출력하는 제1 인버터;상기 제1 신호를 입력 받고 제2 노드로 출력하는 제2 인버터;및 상기 입력 신호를 포지티브 입력(Positive input)으로 하고, 상기 제2 신호를 네거티브 입력(Negative input)으로 하는 차동 증폭기;상기 제1 신호의 상기 차동 증폭기에 대한 입력을 조절하는 제1 스위치 및 상기 제2 신호의 상기 차동 증폭기에 대한 입력을 조절하는 제2 스위치;풀업(Pull-up) 전류를 제공함으로써 상기 제1 신호를 조절하는 제1 전류원; 풀다운(Pull-down) 전류를 제공함으로써 상기 제1 신호를 조절하는 제2 전류원;및상기 비트라인 센스앰프를 복수의 비트라인들에 연결하는 스위칭부를 포함하는 비트라인 센스앰프
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제8 항에 있어서, 상기 스위칭부는,더미(Dummy line)들을 포함하지 않는 제1 메모리 블록에 연결되는 제1 스위칭 블록 및 더미들을 포함하는 제2 메모리 블록에 연결되는 제2 스위칭 블록을 포함하는 비트라인 센스앰프
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제9 항에 있어서, 상기 스위칭부는,상기 비트라인 센스앰프가 상기 제2 메모리 블록에 연결되는 경우, 상기 제2 스위칭부를 닫는 비트라인 센스앰프
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.