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복수개의 일차입자가 응집되어 형성된 이차입자를 포함하고,상기 이차입자는 층상구조를 갖고, 나트륨, 전이금속 및 제1 이종원소를 포함하고,상기 전이금속은 Mn, Ni, Co 및 Fe 중 적어도 하나 이상을 포함하고,상기 제1 이종원소는 W, Nb, Ta, Mo, Zr 및 Ti 중 적어도 하나 이상을 포함하고,결정구조는 삼방정계(trigonal system)이고, 공간군은 R-3m인 것이며, 상기 제1 이종원소는 상기 전이금속을 포함하는 1차 예비입자를 제조한 후, 상기 1차 예비입자와 볼밀에 의하여 혼합되는 것인, 나트륨 이차전지용 양극활물질
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제1항에 있어서,상기 제1 이종원소가 구비된 1차 예비입자는 상기 나트륨을 포함하는 나트륨화합물과 소성되어 BET 비표면적이 0
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제1항에 있어서,상기 전이금속 중 적어도 하나 이상은 상기 이차입자의 적어도 일부에서 상기 이차입자의 중심부에서 표면부를 향하는 방향으로 농도구배를 갖도록 구비되고, 상기 제1 이종원소는 상기 이차입자에 도핑되어 구비되는 나트륨 이차전지용 양극활물질
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제1항에 있어서,상기 나트륨 이차전지용 양극활물질은 화학식 1로 나타나는 나트륨 이차전지용 양극활물질:[화학식 1]Na1+a[(M1xMn1-x)1-b(M2)b]O2상기 화학식 1에서, -0
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제4항에 있어서,상기 화학식 1에서, b는 0
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제1항에 있어서,상기 이차입자는 제2 이종원소를 더 포함하고,상기 제2 이종원소는 Al, Ta, Sc, V, Cr, Cu, Zn, Y, Zr, Nd, Tc, Ru, Rh, Pd, Pb, Ag, Cd, Ga, In, Sn, 및 Bi 중 어느 하나 이상을 포함하는 나트륨 이차전지용 양극활물질
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제6항에 있어서,상기 제1 이종원소는 상기 이차입자에 도핑되어 구비되고,상기 제2 이종원소는 상기 이차입자의 표면부의 적어도 일부를 감싸도록 코팅되어 구비되는 나트륨 이차전지용 양극활물질
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제7항에 있어서,상기 코팅층은 Al2O3 또는 AlF3를 포함하고,상기 제2 이종원소를 구비시키기 전의 BET 비표면적이 0
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제1항에 있어서,상기 나트륨 이차전지용 양극활물질은 순차적으로 제1 단계, 제2 단계 및 제3 단계에 의하여 제조되고,상기 제1 단계는 상기 전이금속 중 어느 하나 이상을 포함하는 금속수용액을 이용하여 공침반응에 의하여 수행되고, 상기 제2 단계는 제1 이종원소를 포함하는 분말을 이용하여 상온에서 볼밀로 혼합하여 수행되고,상기 제3 단계는 볼밀이 완료된 후 Na를 포함하는 나트륨화합물과 혼합한 후 소성하여 수행되는 것인, 나트륨 이차전지용 양극활물질
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제9항에 있어서,상기 나트륨 이차전지용 양극활물질은 제2 이종원소를 포함하는 코팅층을 더 포함하고,상기 제2 이종원소는 화학식 1에 기재된 원소와는 상이한 원소이며,상기 코팅층은 상기 제3 단계 이후에 상기 제2 이종원소를 포함하는 화합물과 첨가한 후 열처리하여 수행되고,상기 소성은 600℃ 내지 850℃의 온도범위에서 5시간 내지 30시간 동안 수행되고,상기 열처리는 400℃ 내지 700℃의 온도범위에서 3시간 내지 8시간 동안 수행되되, 상기 소성 시의 온도보다 낮은 온도에서 수행되고,상기 제2 이종원소는 Al, Ta, Sc, V, Cr, Cu, Zn, Y, Zr, Nd, Tc, Ru, Rh, Pd, Pb, Ag, Cd, Ga, In, Sn, 및 Bi 중 어느 하나 이상을 포함하는 나트륨 이차전지용 양극활물질
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제1항에 있어서,상기 나트륨 이차전지용 양극활물질을 포함하는 양극을 채용한 나트륨이차전지에서, 상온에서 하프셀로 2
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제1항 내지 제11항 중 어느 한 항에 따른 나트륨 이차전지용 양극활물질을 포함하는 양극; 음극; 및전해질;을 포함하는 나트륨이차전지
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