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1
기판의 상부방향으로 각각 연장되고 횡방향으로 다수개 배치된 분자선들을 구비하되,각 분자선은 다수의 무기 단분자들과 상기 무기 단분자들 중 적어도 일부의 무기 단분자들 사이에 개재된 유기 단분자가 결합에 의해 연결된 것인 다층 분자막 포토레지스트
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청구항 1에 있어서,상기 분자선들 중 횡방향으로 인접하는 분자선들 내의 상기 유기 단분자들 사이에 반데르발스 상호작용이 존재하는 다층 분자막 포토레지스트
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청구항 2에 있어서,상기 반데르발스 상호작용은 π-π 결합인 다층 분자막 포토레지스트
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청구항 1에 있어서,상기 각 분자선은 상기 무기 단분자와 상기 유기 단분자가 교호 적층되어 결합된 것인 다층 분자막 포토레지스트
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청구항 1에 있어서,상기 분자선들에 구비된 무기 단분자들은 횡방향으로 동일하게 배치되어 무기 단분자층을 구성하고,상기 분자선들에 구비된 무기 단분자들은 횡방향으로 동일하게 배치되어 유기단분자층을 구성하는 다층 분자막 포토레지스트
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6
청구항 5에 있어서,상기 다층 분자막 포토레지스트는 광흡수 무기단분자를 구비하는 광흡수층, 광반응 무기 단분자를 구비하는 광반응층, 및 내에칭 무기 단분자를 구비하는 내에칭성층 중 적어도 하나의 층을 갖는 다층 분자막 포토레지스트
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7
청구항 6에 있어서,상기 광흡수 무기단분자는 d 오비탈을 구비하는 금속원소를 갖는 무기단분자인 다층 분자막 포토레지스트
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8
청구항 7에 있어서,상기 금속원소는 Sn, Sb, Te, 또는 Bi인 다층 분자막 포토레지스트
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9
청구항 6에 있어서,상기 광반응 무기단분자는 Zr, Al, Hf, Zn, 또는 In의 금속원소를 갖는 무기단분자인 다층 분자막 포토레지스트
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10
청구항 6에 있어서,상기 내에칭 무기 단분자는 , Al, Ti, W, Zn, 또는 Cu의 금속원소를 갖는 무기단분자인 다층 분자막 포토레지스트
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11
기판의 상부방향으로 각각 연장되고 횡방향으로 다수개 배치된 분자선들을 구비하되,상기 각 분자선은 하기 화학식 1로 나타낸 층을 갖는 다층 분자막 포토레지스트:[화학식 1]상기 화학식 1에서, *들 중 하나는 하부층 내 작용기와의 결합이고, 나머지 하나는 상부층 내의 작용기와의 결합이고,MM는 금속원소를 포함하는 무기 단분자이고,OM는 유기 단분자이고,m는 1 내지 2이고, n는 1 내지 2이고, l는 1 내지 1000이다
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12
청구항 11에 있어서,상기 유기 단분자는 하기 화학식 3으로 표시되는 다층 분자막 포토레지스트:[화학식 3]상기 화학식 3에서, *들 중 하나는 하부층 내 작용기와의 결합이고, 나머지 하나는 상부층 내의 작용기와의 결합이고,Xb은 O, S, Se, NR(R은 H 또는 CH3) 또는 PR(R은 H 또는 CH3)이고,MR은 치환 또는 비치환된 방항족 고리, 또는 C1 내지 C18의 치환 또는 비치환된 그리고 선형 또는 분지형 알킬렌기이고,MR이 상기 방향족 고리인 경우에, Z3 및 Z4는 서로에 관계없이 결합 혹은 C1 내지 C5의 치환 또는 비치환된 그리고 선형 또는 분지형 알킬렌기이고,MR이 상기 알킬렌기인 경우에, Z3 및 Z4는 결합이다
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13
청구항 11에 있어서,M은 d 오비탈을 구비하는 금속원소를 포함하는 광흡수 무기 단분자, Zr, Al, Hf, Zn, 또는 In를 포함하는 광반응 무기 단분자, 혹은 Al, Ti, Cu, W, 또는 Zn를 포함하는 내에칭 무기 단분자인 다층 분자막 포토레지스트
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청구항 11에 있어서,상기 화학식 1로 나타낸 층은 하기 화학식 1A로 나타낸 층인 다층 분자막 포토레지스트:[화학식 1A]상기 화학식 1A에서, *들 중 하나는 하부층 내 작용기와의 결합이고, 나머지 하나는 상부층 내의 작용기와의 결합이고,M1는 d 오비탈을 구비하는 금속원소를 포함하는 광흡수 무기 단분자이고,O1는 유기 단분자이고,m1는 1 내지 2이고, n1는 1 내지 2이고, l1는 1 내지 1000이다
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청구항 14에 있어서,상기 각 분자선은 상기 화학식 1A로 나타낸 층의 상부 또는 하부에 하기 화학식 1B로 나타낸 층을 구비하는 다층 분자막 포토레지스트:[화학식 1B]상기 화학식 1B에서, *들 중 하나는 하부층 내 작용기와의 결합이고, 나머지 하나는 상부층 내의 작용기와의 결합이고,M2는 Zr, Al, Hf, Zn, 또는 In를 포함하는 광반응 무기 단분자이고,O2는 유기 단분자이고,m2는 1 내지 2이고, n2는 1 내지 2이고, l2는 1 내지 1000이다
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16
청구항 14에 있어서,상기 각 분자선은 상기 화학식 1A로 나타낸 층의 상부 또는 하부에 하기 화학식 1C로 나타낸 층을 구비하는 다층 분자막 포토레지스트:[화학식 1C]상기 화학식 1C에서, *들 중 하나는 하부층 내 작용기와의 결합이고, 나머지 하나는 상부층 내의 작용기와의 결합이고,M3는 Al, Ti, Cu, W, 또는 Zn를 포함하는 내에칭 무기 단분자이고,O3는 유기 단분자이고,m3는 1 내지 2이고, n3는 1 내지 2이고, l3는 1 내지 1000이다
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청구항 1 또는 청구항 11에 있어서,상기 다층 분자막 포토레지스트는 EUV용 포토레지스트인 다층 분자막 포토레지스트
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기판의 상부방향으로 각각 연장되고 횡방향으로 다수개 배치된 분자선들을 구비하되, 상기 각 분자선은 하기 화학식 1로 나타낸 층을 갖는 다층 분자막 포토레지스트를 제조하되,상기 화학식 1로 나타낸 층은 기판 상에 금속 단분자층을 형성하는 단계와 유기 분자층을 형성하는 단계를 포함하는 사이클을 다수회 수행하여 형성하는 다층 분자막 포토레지스트 증착장비:[화학식 1]상기 화학식 1에서, *들 중 하나는 하부층 내 작용기와의 결합이고, 나머지 하나는 상부층 내의 작용기와의 결합이고,MM는 금속원소를 포함하는 무기 단분자이고,OM는 유기 단분자이고,m는 1 내지 2이고, n는 1 내지 2이고, l는 1 내지 1000이다
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청구항 18에 있어서,M은 d 오비탈을 구비하는 금속원소를 포함하는 광흡수 무기 단분자, Zr, Al, Hf, Zn, 또는 In를 포함하는 광반응 무기 단분자, 혹은 Al, Ti, Cu, W, 또는 Zn를 포함하는 내에칭 무기 단분자인 다층 분자막 포토레지스트 증착장비
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청구항 18에 있어서,상기 유기 단분자는 하기 화학식 3으로 표시되는 다층 분자막 포토레지스트 증착장비:[화학식 3]상기 화학식 3에서, *들 중 하나는 하부층 내 작용기와의 결합이고, 나머지 하나는 상부층 내의 작용기와의 결합이고,Xb은 O, S, Se, NR(R은 H 또는 CH3) 또는 PR(R은 H 또는 CH3)이고,MR은 치환 또는 비치환된 방항족 고리, 또는 C1 내지 C18의 치환 또는 비치환된 그리고 선형 또는 분지형 알킬렌기이고,MR이 상기 방향족 고리인 경우에, Z3 및 Z4는 서로에 관계없이 결합 혹은 C1 내지 C5의 치환 또는 비치환된 그리고 선형 또는 분지형 알킬렌기이고,MR이 상기 알킬렌기인 경우에, Z3 및 Z4는 결합이다
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