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리튬금속전지에 사용되는 집전체로서,도전성 박막; 및상기 도전성 박막 상에 형성된 금속의 도트 패턴(dot pattern)을 포함하는 리튬금속전지용 집전체
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청구항 1에 있어서,상기 금속 도트 패턴에서의 각 도트는 평균 직경이 250 내지 450nm, 평균 높이가 30 내지 80nm인 리튬금속전지용 집전체
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청구항 1에 있어서,상기 금속 도트 패턴에서의 인접한 두 개의 도트는 각 도트의 중심간의 평균 거리로서 0
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청구항 1에 있어서,상기 도전성 박막은 구리, 니켈, 알루미늄, 티타늄 및 이들의 합금체로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 하나를 포함하는 리튬금속전지용 집전체
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청구항 1에 있어서,상기 금속 도트 패턴에서의 금속은 금, 은, 주석, 아연, 마그네슘, 인듐, 갈륨 및 이들의 합금체로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 하나를 포함하는 것인 리튬금속전지용 집전체
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(ⅰ) 제1 기재상에 형성된 제1 금속층 상에 제1 고분자 함유층을 형성하는 단계;(ⅱ) 음각의 도트 패턴을 갖는 제2 고분자 함유 몰드를 이용하여 상기 제1 고분자 함유층에 상기 음각의 도트 패턴에 대응되는 양각의 도트 패턴을 형성하는 단계;(ⅲ) 상기 제1 고분자 함유층 유래의 양각의 도트 패턴으로 피복되지 않고 노출되어 있는 상기 제1 금속층의 부분을 식각하는 단계;(ⅳ) 상기 양각의 도트 패턴으로 피복되어 있는 제1 고분자 함유층의 부분을 제거하여서, 제1 기재 상에 제1 금속의 도트 패턴을 형성하는 단계;(ⅴ) 상기 제1 금속의 도트 패턴 측에 제3 고분자 함유층을 형성하고 제1 기재를 제거하여서, 상기 제1 금속의 도트 패턴이 표면 측에 삽입되어 있는 제3 고분자 함유층을 형성하는 단계;(ⅵ) 상기 제3 고분자 함유층의 상기 제1 금속의 도트 패턴 측에, 제2 금속층이 형성된 도전성 박막을 배치하는 단계; (ⅶ) 상기 제3 고분자 함유층을 제거하여서, 상기 도전성 박막 상의 제2 금속층 상에 제1 금속의 도트 패턴을 전사하는 단계; 및 (ⅷ) 상기 도전성 박막 상의 제2 금속층을 식각하여, 제1 금속의 도트 패턴이 형성된 도전성 박막을 수득하는 단계;를 포함하는 리튬금속전지용 집전체의 제조방법
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청구항 6에 있어서,상기 제1 기재는 실리콘 또는 실리콘 산화물을 포함하는 것인 리튬금속전지용 집전체의 제조방법
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청구항 6에 있어서,상기 제1 고분자는 폴리스티렌(polystyrene,PS), 폴리에틸렌(polyethylene, PE), 폴리프로필렌(polypropylene, PP), 폴리메틸메타아크릴레이트(polymethyl methacrylate, PMMA)로 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 하나를 포함하는 것인 리튬금속전지용 집전체의 제조방법
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청구항 6에 있어서,상기 제2 고분자는 폴리디메틸실록산(polydimethylsiloxane, PDMS)을 포함하는 것인 리튬금속전지용 집전체의 제조방법
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청구항 6에 있어서,상기 제3 고분자는 폴리스티렌(polystyrene,PS), 폴리에틸렌(polyethylene, PE), 폴리프로필렌(polypropylene, PP), 폴리메틸메타아크릴레이트(polymethyl methacrylate, PMMA)로 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 하나를 포함하는 것인 리튬금속전지용 집전체의 제조방법
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청구항 6에 있어서,상기 도전성 박막은 구리, 니켈, 알루미늄, 티타늄 및 이들의 합금체로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 하나를 포함하는 것인 리튬금속전지용 집전체의 제조방법
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청구항 6에 있어서,상기 (ⅱ) 단계는, 음각의 도트 패턴을 갖는 제2 고분자 함유 몰드를 상기 제1 고분자 함유층에 배치하고 120℃ 이상의 온도에서 열처리를 하여서 수행되는 것인 리튬금속전지용 집전체의 제조방법
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청구항 6에 있어서,상기 (ⅲ) 단계 및 (ⅷ) 단계에서의 금속의 식각은 이온 식각 공정을 통해 수행되는 것인 리튬금속전지용 집전체의 제조방법
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청구항 6에 있어서,상기 금속 도트 패턴에서의 금속은 금, 은, 주석, 아연 및 이들의 합금체로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 하나를 포함하는 것인 리튬금속전지용 집전체의 제조방법
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청구항 6에 있어서,상기 금속 도트 패턴에서의 각각의 도트는 평균 직경이 250 내지 450nm, 평균 높이가 30 내지 80nm인 리튬금속전지용 집전체의 제조방법
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청구항 6에 있어서,상기 금속 도트 패턴에서의 인접한 두 개의 도트는 각 도트의 중심간의 평균 거리로서 0
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청구항 1 내지 청구항 5 중 어느 한 항의 리튬금속전지용 집전체를 포함하는 리튬금속전지
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