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제1 영역 및 제2 영역을 포함하는 보안코드에 있어서,금속층;상기 제1 영역의 상기 금속층 상에 제공되는 제1 유전 패턴;상기 제2 영역의 상기 금속층 상에 제공되는 고분자 패턴;상기 유전 패턴 상에 제공되는 제1 금속 패턴; 및 상기 고분자 패턴 상에 제공되는 제2 금속 패턴을 포함하되, 상기 고분자 패턴은 상기 제1 유전 패턴과 다른 물질을 포함하며, 상기 고분자 패턴의 두께는 상기 제1 유전 패턴의 두께와 다른 보안코드
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제1 항에 있어서,상기 고분자 패턴은 수축 또는 팽창이 가능한 물질을 포함하는 보안코드
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제1 항에 있어서,상기 제2 영역에서 상기 금속층과 상기 제2 금속 패턴 사이에 층간 유전 패턴을 더 포함하되, 상기 층간 유전 패턴은 고분자 패턴 위에 또는 아래에 제공되는 보안코드
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제3 항에 있어서,상기 고분자 패턴과 상기 층간 유전 패턴은 복수로 제공되어, 서로 교대로 반복적으로 적층되는 보안코드
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5
제1 항에 있어서,상기 제1 영역과 이격하는 제3 영역;상기 제3 영역의 금속층 상에 제공되는 제2 유전 패턴; 및상기 제2 유전 패턴 상의 제3 금속 패턴을 더 포함하는 보안코드
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6
제5 항에 있어서,상기 제1 유전 패턴의 두께는 상기 제2 유전 패턴의 두께와 다른 보안코드
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제5 항에 있어서,상기 제1 및 제2 유전 패턴들의 두께들 중 적어도 어느 하나는 상기 고분자 패턴의 두께와 동일한 보안코드
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8
제1 항 에 있어서,상기 고분자 패턴은 실크 단백질, 키토산, 셀룰로오스, PVA, 및 하이드로겔 복합체 중 적어도 어느 하나를 포함하는 보안코드
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9
제5 항에 있어서,상기 제1 유전 패턴은 상기 제2 유전 패턴과 다른 물질을 포함하는 보안코드
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10
제1 항에 있어서,상기 금속층은 Ag, Au, Cu, Al, Ni, Cr, 및 Pb 중 적어도 어느 하나를 포함하는 보안코드
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11
제1 항에 있어서,상기 제1 유전 패턴은 SiO2, Ai2O3, TiO2, SOG, PMMA, 및 PBMA 중 적어도 어느 하나를 포함하는 보안코드
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제1 영역, 제2 영역, 제3 영역, 및 제4 영역을 포함하는 금속층;상기 금속층의 상기 제1 영역 상에 제공되는 제1 유전 패턴;상기 금속층의 상기 제2 영역 상에 제공되는 제2 유전 패턴;상기 금속층의 상기 제3 영역 상에 제공되는 제1 고분자 패턴;상기 금속층의 상기 제4 영역 상에 제공되는 제2 고분자 패턴; 상기 제1 유전 패턴 상에 제공되는 제1 금속 패턴; 상기 제2 유전 패턴 상에 제공되는 제2 금속 패턴;상기 제1 고분자 패턴 상에 제공되는 제3 금속 패턴; 및상기 제2 고분자 패턴 상에 제공되는 제4 금속 패턴을 포함하되,상기 제 1 내지 제4 영역들은 서로 다른 위치에 제공되고, 상기 제1 및 제2 고분자 패턴들은 팽창 또는 수축 가능한 물질을 포함하는 보안코드
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제12 항에 있어서,상기 제1 유전 패턴의 두께는 상기 제2 유전 패턴의 두께와 다르고,상기 제1 고분자 패턴의 두께는 상기 제2 고분자 패턴의 두께와 다른 보안코드
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제12 항에 있어서,상기 제1 및 제2 유전 패턴들의 두께들 중 어느 하나는 상기 제1 및 제2 고분자 패턴들의 두께들 중 어느 하나와 동일한 보안코드
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15
제12 항에 있어서,상기 제 1 고분자 패턴은 상기 제 2 고분자 패턴과 다른 물질을 포함하는 보안코드
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제12 항에 있어서,상기 제3 영역에서 상기 금속층과 상기 제3 금속 패턴 사이에 제공되는 제1 층간 유전 패턴; 및상기 제4 영역에서 상기 금속층과 상기 제4 금속 패턴 사이에 제공되는 제2 층간 유전 패턴을 더 포함하되,상기 제1 층간 유전 패턴은 상기 제1 고분자 패턴 위에 또는 아래에 제공되고, 상기 제2 층간 유전 패턴은 상기 제2 고분자 패턴 위에 또는 아래에 제공되는 보안코드
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제16 항에 있어서,상기 제1 및 제2 층간 유전 패턴들은 SiO2, Ai2O3, TiO2, SOG, PMMA, 및 PBMA 중 적어도 어느 하나를 포함하고,상기 제1 층간 유전 패턴의 두께는 상기 제2 층간 유전 패턴의 두께와 다른 보안코드
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금속층을 형성하는 것;상기 금속층 상에 유전 패턴을 형성하는 것;상기 상기 금속층 상에 고분자 패턴을 형성하는 것; 및상기 유전 패턴 및 상기 고분자 패턴 각각의 상에 금속 패턴을 형성하는 것을 포함하되,상기 고분자 패턴을 형성하는 것은 고분자층을 증착하는 것 및 리프트오프 공정을 수행하는 것을 포함하는 보안코드 제조 방법
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제18 항에 있어서,상기 고분자 패턴을 형성하는 것은:키토산 용액을 준비하는 것;상기 키토산 용액을 필터링 하는 것; 및필터링된 상기 키토산 용액을 이용하여 스핀 코팅 공정을 수행하는 것을 포함하는 보안코드 제조 방법
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제18 항에 있어서,상기 금속 패턴을 형성하는 것은:금속 나노입자 용액을 준비하는 것;상기 금속 나노입자 용액을 이용하여 스핀 코팅 공정을 수행하는 것; 및티오시안산암모늄을 포함하는 용액에 넣는 것을 포함하는 보안코드 제조 방법
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