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기판 상에 형성되며 2차원 물질을 포함하는 채널;상기 채널의 일부 상에 형성된 게이트 절연막;상기 게이트 절연막 상에 형성된 게이트 전극; 상기 채널의 일부 상에 각각 형성되며, 전이 금속의 탄화물을 포함하는 제1 및 제2 콘택 패턴들; 및상기 제1 및 제2 콘택 패턴들 상에 각각 형성되며 금속을 포함하는 제1 및 제2 소스/드레인 층들을 구비하는 반도체 장치
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제 1 항에 있어서, 상기 전이 금속은 몰리브덴(Mo), 텅스텐(W), 레늄(Re), 니오븀(Nb), 바나듐(V), 탄탈륨(Ta), 티타늄(Ti), 지르코늄(Zr), 하프늄(Hf), 테크네튬(Tc) 중 적어도 하나를 포함하는 반도체 장치
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제 2 항에 있어서, 상기 전이 금속의 탄화물은 레늄 탄화물(RexC: x는 1 혹은 2)을 포함하는 반도체 장치
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제 1 항에 있어서, 상기 채널은 전이 금속 디칼코게나이드(TMD)를 포함하는 반도체 장치
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제 4 항에 있어서, 상기 채널과 상기 각 제1 및 제2 콘택 패턴들은 서로 동일한 전이 금속을 포함하는 반도체 장치
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제 1 항에 있어서,상기 게이트 전극 상에 형성된 제1 콘택 플러그; 및상기 제1 및 제2 소스/드레인 전극들 상에 각각 형성된 제1 및 제2 콘택 플러그들을 더 포함하는 반도체 장치
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기판 상에 형성되며 2차원 물질을 포함하는 채널;상기 채널의 일부 상에 형성된 게이트 절연막;상기 게이트 절연막 상에 형성된 게이트 전극; 상기 채널의 일부 상에 각각 형성되며, 전이 금속의 탄화물, 전이 금속의 질화물, 혹은 전이 금속의 탄질화물을 포함하는 제1 및 제2 콘택 패턴들; 및상기 제1 및 제2 콘택 패턴들 상에 각각 형성되며 금속을 포함하는 제1 및 제2 소스/드레인 층들을 구비하는 반도체 장치
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8
제 7 항에 있어서, 상기 전이 금속은 몰리브덴(Mo), 텅스텐(W), 레늄(Re), 니오븀(Nb), 바나듐(V), 탄탈륨(Ta), 티타늄(Ti), 지르코늄(Zr), 하프늄(Hf), 테크네튬(Tc) 중 적어도 하나를 포함하는 반도체 장치
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제 8 항에 있어서, 상기 전이 금속의 탄화물은 레늄 탄화물(RexC: x는 1 혹은 2)을 포함하는 반도체 장치
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기판 상에 형성된 절연막;상기 절연막 상에 형성되며 2차원 물질을 포함하는 채널;상기 채널의 양 가장자리들 상면에 각각 형성되며, 전이 금속의 탄화물을 포함하는 제1 및 제2 콘택 패턴들;상기 제1 및 제2 콘택 패턴들 상에 각각 형성되며, 금속을 포함하는 제1 및 제2 소스/드레인 층들;상기 채널의 중앙부 상면, 상기 제1 및 제2 콘택 패턴들의 측벽, 및 상기 제1 및 제2 소스/드레인 층들의 측벽 및 상면에 형성된 게이트 절연막;상기 채널의 중앙부 상면에 형성된 상기 게이트 절연막 부분 상에 형성되어, 상기 게이트 절연막에 의해 저면 및 측벽이 커버된 게이트 전극; 상기 게이트 전극의 상면에 접촉하는 제1 콘택 플러그; 및상기 게이트 절연막을 관통하여 상기 제1 및 제2 소스/드레인 전극들의 상면에 각각 접촉하는 제2 및 제3 콘택 플러그들을 포함하는 반도체 장치
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