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리튬금속전지에 사용되는 집전체로서,적어도 일측의 표면에 동일한 형상의 구조체가 반복해서 배치되어 있는 음각의 패턴이 형성된 도전성 박막을 포함하는 리튬금속전지용 집전체
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청구항 1에 있어서,상기 음각의 패턴에서의 구조체는 주상 구조 형태의 음각의 오목부를 포함하는 것인 리튬금속전지용 집전체
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청구항 1에 있어서,상기 음각의 패턴에서의 구조체는 실린더형의 음각의 오목부를 포함하는 것인 리튬금속전지용 집전체
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청구항 1에 있어서,상기 음각의 패턴에서의 구조체는 평균 피치가 30 내지 50㎚이고, 평균 깊이는 20 내지 30nm인 리튬금속전지용 집전체
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청구항 1에 있어서,상기 음각의 패턴에서 인접한 두 개의 구조체 사이에 양각의 볼록부가 존재하고, 인접한 두 개의 양각의 볼록부의 중심간의 평균 거리는 80 내지 110㎚인 리튬금속전지용 집전체
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청구항 1에 있어서,상기 도전성 박막은 구리, 니켈, 알루미늄, 티타늄 및 이들의 합금체로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 하나를 포함하는 리튬금속전지용 집전체
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(ⅰ) 기판상에 제1 고분자 블록과 제2 고분자 블록을 포함하는 자기 조립 블록 공중합체의 함유층을 형성하는 단계;(ⅱ) 상기 자기 조립 블록 공중합체의 함유층을 기판으로부터 분리하여서 도전성 박막 상에 배치하는 단계;(ⅲ) 상기 도전성 박막상의 자기 조립 블록 공중합체의 함유층으로부터 상기 제1 고분자 블록을 선택적으로 제거하여서, 상기 제2 고분자 블록으로 이루어진 개구부의 패턴을 형성하고, 상기 개구부의 패턴에 상당하는 도전성 박막의 표면의 부분이 외부에 노출되는 단계;(ⅳ) 상기 개구부의 패턴을 마스크로 하여서 상기 도전성 박막에 이온빔을 조사하여 상기 도전성 박막에 음각의 패턴을 형성하는 단계; 및(ⅴ) 상기 음각의 패턴이 형성된 도전성 박막으로부터 상기 제2 고분자 블록으로 이루어진 개구부의 패턴을 제거하는 단계;를 포함하는 리튬금속전지용 집전체의 제조방법
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청구항 7에 있어서,상기 기판은 실리콘 또는 실리콘 산화물을 포함하는 것인 리튬금속전지용 집전체의 제조방법
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청구항 7에 있어서,상기 제1 고분자 및 제2 고분자는 각각 독립적으로 폴리스티렌(polystyrene,PS), 폴리메틸메타크릴레이트(polymethyl methacrylate, PMMA), 폴리에틸렌(polyethylene, PE), 폴리프로필렌(polypropylene, PP), 폴리메틸아크릴레이트(polymethyl acrylate, PMA), 폴리부틸메타크릴레이트(polybutyl methacrylate, PBuMA), 폴리터트부틸메타크릴레이트(poly(tert-butyl) methacrylate, PtBMA), 폴리터트부틸아크릴레이트(poly(tert-butyl) acrylate, PtBA), 폴리하이드록시에틸메타크릴레이트(poly(hydroxylethyl methacrylate, PHEMA), 폴리아크릴로나이트릴(polyacrylonitrile, PAN), 폴리디메틸실록산(polydimethylsiloxane, PDMS), 폴리에틸렌옥사이드(poly(ethylene oxide), PEO), 폴리(2-비닐피리딘)(poly(2-vinylpyridine), P2VP), 폴리(4-비닐피리딘)(poly(4-vinylpyridine, P4VP), 폴리이소부틸렌(polyisobutylene, PIB), 폴리이소프렌(polyisopyrene, PI), 폴리클로로프렌(polychloroprene, PCP), 폴리비닐클로라이드(poly(vinyl chloride), PVC), 폴리비닐아세테이트(poly(vinyl acetate, PVA) 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 하나를 포함하는 것인 리튬금속전지용 집전체의 제조방법
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청구항 7에 있어서,상기 (ⅰ) 단계는 제1 고분자 블록과 제2 고분자 블록을 혼합한 후 기판상에 스핀코팅하여 블록 공중합체의 함유층을 형성하고, 상기 블록 공중합체의 함유층을 용매 처리하여 블록 공중합체의 자기 조립(self-assembly)을 유도하는 것인, 리튬금속전지용 집전체의 제조방법
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청구항 10에 있어서,상기 용매는 벤젠, 톨루엔, 자일렌, 클로로포름, 테트라하이드로퓨란, 아세톤, 시클로헥산, 디옥산 및 클로로벤젠으로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 하나인 것인 리튬금속전지용 집전체의 제조방법
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청구항 7에 있어서,상기 (ⅱ) 단계에서의 블록 공중합체 함유층의 분리는 강산 또는 강염기에 의해 수행되는 것인 리튬금속전지용 집전체의 제조방법
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청구항 7에 있어서,상기 (ⅲ) 단계에서의 제1 고분자 블록의 선택적 제거는 반응성 이온 식각(RIE)에 의해 수행되는 것인 리튬금속전지용 집전체의 제조방법
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청구항 13에 있어서,상기 반응성 이온 식각(RIE)은 20 내지 50초 동안 수행되는 것인 리튬금속전지용 집전체의 제조방법
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청구항 7에 있어서,상기 (ⅳ) 단계에서의 이온빔의 소스는 아르곤, 헬륨, 네온 및 질소로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 하나를 포함하는 것인 리튬금속전지용 집전체의 제조방법
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청구항 7에 있어서,상기 (ⅳ) 단계에서의 이온빔 조사는 250 내지 350초 동안 수행되는 것인 리튬금속전지용 집전체의 제조방법
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청구항 7에 있어서,상기 (ⅴ) 단계에서의 제2 고분자 블록으로 이루어진 개구부 패턴의 제거는 톨루엔, 아세톤, 벤젠, 자일렌, n-부틸 아세테이트, 사염화탄소(CCl4) 및 시클로헥산으로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 하나의 용매에 의해 제거되는 것인 리튬금속전지용 집전체의 제조방법
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청구항 1 내지 청구항 6 중 어느 한 항의 리튬금속전지용 집전체를 포함하는 리튬금속전지
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