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하기 화학식 1 및 화학식 2를 포함하는 화합물:003c#화학식 1003e# 003c#화학식 2003e# 상기에서, 1) 화학식1이 화학식2의 D, E 및F 고리의 오르토 위치에 1개 이상 치환되며,2) 화학식 2에 도입된 화학식 1은 2개 이상일 때 서로 같거나 다를 수 있으며,3) X1 또는 X2는 서로 독립적으로 O 또는 S이고,4) a1~4, b1~4, c1~4, d1~4, e1~4 및 f1~4는 서로 독립적으로 질소 또는 치환 탄소 또는 비치환 탄소이고,5) a1~4, b1~4, c1~4, d1~4, e1~4 및 f1~4의 치환기는 서로 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐기; 시아노기; 치환 또는 비치환된 C1-C9의 알킬기; 치환 또는 비치환된 C5-C30의 사이클로알킬기; 치환 또는 비치환된 C6-C30의 아릴기; 치환 또는 비치환된 C6-C30의 알킬아릴기; 치환 또는 비치환된 C3-C30의 헤테로아릴기; 치환 또는 비치환된 C1-C9의 알킬옥시기; 치환 또는 비치환된 -NRcRd; 치환 또는 비치환된 실릴기; 치환 또는 비치환된 포스핀기; 치환 또는 비치환된 포스핀 옥사이드기; 치환 또는 비치환된 싸이올기; 치환 또는 비치환된 설폭사이드; 치환 또는 비치환된 설폰기; 치환 또는 비치환된 C5-C30의 아릴실릴기; 치환 또는 비치환된 C5-C30의 아릴티오기; 치환 또는 비치환된 C5-C30의 아릴옥시기; 치환 또는 비치환된 C5-C30의 아릴아민기; 또는, 치환 또는 비치환된 C5-C30의 아르알킬기이며,6) Rc 및 Rd는 서로 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐기; 시아노기; 치환 또는 비치환된 C1-C9의 알킬기; 치환 또는 비치환된 C5-C30의 사이클로알킬기; 치환 또는 비치환된 C6-C30의 아릴기; 치환 또는 비치환된 C6-C30의 알킬아릴기; 치환 또는 비치환된 C3-C30의 헤테로아릴기; 치환 또는 비치환된 C1-C9의 알킬옥시기; 치환 또는 비치환된 실릴기; 치환 또는 비치환된 포스핀기; 치환 또는 비치환된 포스핀 옥사이드기; 치환 또는 비치환된 싸이올기; 치환 또는 비치환된 설폭사이드; 치환 또는 비치환된 설폰기; 치환 또는 비치환된 C5-C30의 아릴실릴기; 치환 또는 비치환된 C5-C30의 아릴티오기; 치환 또는 비치환된 C5-C30의 아릴옥시기; 치환 또는 비치환된 C5-C30의 아릴아민기; 또는, 치환 또는 비치환된 C5-C30의 아르알킬기이거나; 또는 인접한 기끼리 결합하여 고리를 형성할 수 있다
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제 1 항에 있어서, 상기 화학식 1의 구조가 하기 구조 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 화합물:
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제 1 항에 있어서, 상기 화학식 1 및 화학식 2를 포함하는 화합물이 아래 화합물 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 화합물:
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애노드; 캐소드; 및 상기 애노드와 캐소드 사이에 형성된 유기층을 포함하고,상기 유기층은 제1항의 화학식 1 및 화학식 2를 포함하는 화합물을 단독 또는 혼합하여 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드
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제 4 항에 있어서,상기 유기층은 정공주입층, 정공수송층, 엑시톤블로킹층, 발광층 및 전자주입층 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드
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제 4 항에 있어서,상기 유기층은 상기 발광층을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드
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제 4 항에 있어서,상기 유기층은 상기 애노드 상에 순차적으로 형성된 정공수송층, 발광층 및 전자수송층을 포함하는 스택을 둘 이상 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드
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제 4 항의 유기 발광 다이오드를 포함하는 디스플레이장치; 및 상기 디스플레이장치를 구동하는 제어부;를 포함하는 전자장치
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