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하기 화학식 1 및 화학식 2를 포함하는 유기 재료:003c#화학식 1003e# 003c#화학식 2003e# 상기에서,1) X1과 X2는 서로 독립적으로 O 또는 S이고,2) Y는 B 또는 N이며,3) E를 기준으로 D 및 F 고리가 오르토(ortho) 위치에 연결되어 있고,4) D, E 및 F는 서로 독립적으로 6원 방향족 고리 또는 헤테로 고리 화합물이고,5) Sub1은 화학식 1 또는 아민 유도체로서 D에 1개 이상 치환되며,6) Sub2는 화학식 1로서 F에 1개 이상 치환되고,7) Sub1 및 Sub2는 종류 및 개수가 동일하거나 상이하고,8) 화학식 1의 C가 화학식 2의 D 및 F에 독립적으로 결합되며,9) a1~a4, b1~b4, c1~c3, d1~d5, e1~e4 및 f1~f5는 서로 독립적으로 치환 탄소 또는 비치환 탄소 또는 질소이며,10) a1~a4, b1~b4, c1~c3, d1~d5, e1~e4 및 f1~f5의 치환기는 서로 독립적으로 치환 또는 비치환된 C5~C30의 사이클로알킬기; 치환 또는 비치환된 C5~C30의 아릴기; 치환 또는 비치환된 C6~C30의 아르알킬기; 치환 또는 비치환된 C3~C30 헤테로아릴기, 치환 또는 비치완된 C5~C30의 아릴옥시기; 치환 또는 비치환된 C5~C30의 아릴아민기; 치환 또는 비치환된 융합된 C5~C30의 아릴아민기; 치환 또는 비치환된 포스핀 또는 포스핀 옥사이드기; 치환 또는 비치환된 싸이올기; 치환 또는 비치환된 설폭사이드; 또는 설폰기이거나; 또는 인접한 기끼리 결합하여 고리를 형성할 수 있다
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제 1 항에 있어서, 상기 화학식 1의 구조가 하기 구조 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 유기 재료:
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제 1 항에 있어서, 상기 화학식 2의 구조가 하기 구조 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 유기 재료:
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제 1 항에 있어서, 상기 아민 유도체가 하기 화학식 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 유기 재료:
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제 1 항에 있어서, 상기 화학식 1 및 화학식 2를 포함하는 유기 재료가 아래 화합물 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 유기 재료:
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애노드; 캐소드; 및 상기 애노드와 캐소드 사이에 형성된 유기층을 포함하고,상기 유기층은 제1항의 유기 재료를 단독 또는 혼합하여 포함하는 것을 특징으로 하는 유기발광 다이오드
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제 6 항에 있어서,상기 유기층은 정공주입층, 정공수송층, 엑시톤블로킹층, 발광층, 전자수송층 및 전자주입층 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기발광 다이오드
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제 7 항에 있어서,상기 유기층은 발광층 및 전자수송층 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기발광 다이오드
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제 6 항에 있어서,상기 유기층은 상기 애노드 상에 순차적으로 형성된 정공수송층, 발광층 및 전자수송층을 포함하는 스택을 둘 이상 포함하는 것을 특징으로 하는 유기발광 다이오드
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제 6 항의 유기발광 다이오드를 포함하는 디스플레이장치; 및 상기 디스플레이장치를 구동하는 제어부;를 포함하는 전자장치
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