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제1 다공성 전극; 제2 다공성 전극; 및 상기 제1 다공성 전극 및 상기 제2 다공성 전극 사이에 유전체층; 을 포함하는 커패시터 구조이며, 상기 유전체층의 크기 변형에 따른 정전용량 변화로 기체 화합물을 감지하는 것인, 정전식 가스 센서
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제1항에 있어서,상기 다공성 전극은 직조물 형태, 다공성 필름 형태 및 메쉬 형태 중 적어도 하나 이상을 포함하고,상기 다공성 전극의 기공율은 30 % 내지 90 %인 것인,정전식 가스 센서
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제1항에 있어서,상기 유전체층은 필름 형태, 3차원 구조체 또는 이 둘을 포함하고, 상기 3차원 구조체는 구형, 타원형, 다각형 기둥, 원기둥, 실린더 및 로드 중 적어도 하나 이상의 형태를 포함하고, 상기 3차원 구조체의 크기는 10 nm 내지 1000 mm인 것인,정전식 가스 센서
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제1항에 있어서,상기 유전체층의 두께는 10 nm 내지 10 mm이고, 상기 유전체층은 PMMA (폴리메틸메타크릴레이트), PDMS (폴리디메틸실록산), PMPS (폴리메틸페닐실록산), PAA (폴리아크릴릭애시드), PVP (폴리비닐피롤리돈), PVC (폴리비닐클로라이드), PS (폴리스타이렌), PVP (폴리비닐페놀), PVA (폴리비닐알콜), 폴리이미드, CYTOP (폴리(퍼플루오로부테닐비닐에테르)) 및 이의 공중합체로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나 이상을 포함하고,상기 유전체층은 다공성 구조이거나 금속 나노입자가 결합된 p-type 반도체 나노 필러를 더 포함하는 것인, 정전식 가스 센서
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제1항의 정전식 가스 센서;를 포함하는, 웨어러블 디바이스
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