1 |
1
게이트 전극;상기 게이트 전극과 중첩되어 형성되는 복수의 채널층들;상기 게이트 전극과 상기 채널층들 사이에 형성되는 절연층; 및상기 채널층들의 양측 단부들에 접속하여 형성되는 소스 전극 및 드레인 전극을 포함하고,상기 채널층들 중에서 하나 이상의 채널층의 산소 함유량이 다른 채널층의 산소 함유량과 다르거나, 상기 채널층 중에서 상기 하나 이상의 채널층의 질소 함유량이 상기 다른 채널층의 질소 함유량과 다른, 박막 트랜지스터
|
2 |
2
제1항에 있어서,상기 채널층들은,제1 채널층, 제2 채널층, 및 제3 채널층을 포함하고,상기 제1 채널층은,상기 절연층 상에 형성되고,상기 제2 채널층은,상기 제1 채널층과 상기 제3 채널층 사이에 형성되는, 박막 트랜지스터
|
3 |
3
제2항에 있어서,상기 제1 채널층 및 상기 제3 채널층은,상기 제2 채널층보다 산소 함유량 또는 질소 함유량이 많은, 박막 트랜지스터
|
4 |
4
제1항에 있어서,상기 채널층들 각각은,산화물 반도체층, 질화물 반도체층 및 질화산화물 반도체층 중 적어도 하나를 포함하는, 박막 트랜지스터
|
5 |
5
제4항에 있어서,상기 산화물 반도체층은,IGZO 반도체층, ITZO 반도체층, ZnO 반도체층, InOx 반도체층, GaOx 반도체층, SnOx 반도체층, IZO 반도체층, ITO 반도체층, CuOx 반도체층, NiOx 반도체층, 및 TeOx 반도체층 중 적어도 하나를 포함하고,상기 질화물 반도체층은,GaN 반도체층 또는 hBN 반도체층을 포함하고,상기 질화산화물 반도체층은,ZnON 반도체층을 포함하는, 박막 트랜지스터
|
6 |
6
제1항에 있어서,상기 채널층들, 상기 소스 전극, 및 상기 드레인 전극 상에 형성되는 보호층(passivation layer)을 더 포함하는, 박막 트랜지스터
|
7 |
7
기판위에 형성되는 복수의 채널층들;상기 채널층들과 중첩되도록 형성되는 게이트 전극;상기 채널층들과 상기 게이트 전극 사이에 형성되는 절연층; 및상기 절연층과 중첩되지 않도록 상기 채널층들 중에서 가장 위에 위치하는 채널층 상에 형성되는 소스 전극 및 드레인을 포함하고,상기 채널층들 중에서 하나 이상의 채널층의 산소 함유량이 다른 채널층의 산소 함유량과 다르거나, 상기 채널층들 중에서 상기 하나 이상의 채널층의 질소 함유량이 상기 다른 채널층의 질소 함유량과 다른, 박막 트랜지스터
|
8 |
8
제7항에 있어서,상기 채널층들은,제1 채널층, 제2 채널층, 및 제3 채널층을 포함하고,상기 제1 채널층은,상기 기판 상에 형성되고,상기 제2 채널층은,상기 제1 채널층과 상기 제3 채널층 사이에 형성되는, 박막 트랜지스터
|
9 |
9
제8항에 있어서,상기 제1 채널층 및 상기 제3 채널층은,상기 제2 채널층보다 산소 함유량 또는 질소 함유량이 많은, 박막 트랜지스터
|
10 |
10
제7항에 있어서,상기 채널층들 각각은,산화물 반도체층, 질화물 반도체층, 및 질화산화물 반도체층 중 적어도 하나를 포함하는, 박막 트랜지스터
|
11 |
11
제10항에 있어서,상기 산화물 반도체층은,IGZO 반도체층, ITZO 반도체층, ZnO 반도체층, InOx 반도체층, GaOx 반도체층, SnOx 반도체층, IZO 반도체층, ITO 반도체층, CuOx 반도체층, NiOx 반도체층, 및 TeOx 반도체층 중 적어도 하나를 포함하고,상기 질화물 반도체층은,GaN 반도체층 또는 hBN 반도체층을 포함하고,상기 질화산화물 반도체층은,ZnON 반도체층을 포함하는, 박막 트랜지스터
|
12 |
12
제7항에 있어서,상기 기판과 상기 채널층들 사이에 형성되는 버퍼층을 더 포함하는, 박막 트랜지스터
|
13 |
13
기판 상에 게이트 전극을 형성하는 동작;상기 게이트 전극 상에 절연층을 형성하는 동작;상기 절연층 상에 복수의 채널층들을 형성하는 동작; 및상기 채널층들의 양측 단부들에 접속하는 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 동작을 포함하고,상기 채널층들은,상기 채널층들 중에서 하나 이상의 채널층의 산소 함유량이 다른 채널층의 산소 함유량과 다르거나, 상기 채널층들 중에서 상기 하나 이상의 채널층의 질소 함유량이 상기 다른 채널층의 질소 함유량과 다른, 박막 트랜지스터 제조 방법
|
14 |
14
제13항에 있어서,상기 복수의 채널층들을 형성하는 동작은,제1 채널층, 제2 채널층, 및 제3 채널층을 형성하는 동작을 포함하고,상기 제1 채널층은,상기 절연층 상에 형성되고,상기 제2 채널층은,상기 제1 채널층과 상기 제3 채널층 사이에 형성되는, 박막 트랜지스터 제조 방법
|
15 |
15
제14항에 있어서,상기 제1 채널층, 제2 채널층, 및 제3 채널층을 형성하는 동작은,상기 제1 채널층 및 상기 제3 채널층을 상기 제2 채널층보다 산소 함유량 또는 질소 함유량이 많도록 형성하는 동작을 포함하는, 박막 트랜지스터 제조 방법
|
16 |
16
제13항에 있어서,상기 복수의 채널층들을 형성하는 동작은,복수의 산화물 반도체층들, 복수의 질화물 반도체층들, 및 복수의 질화산화물 반도체층들 중 적어도 하나를 형성하는 동작을 포함하는, 박막 트랜지스터 제조 방법
|
17 |
17
제16항에 있어서,상기 산화물 반도체층은,IGZO 반도체층들, ITZO 반도체층들, ZnO 반도체층들, InOx 반도체층들, GaOx 반도체층들, SnOx 반도체층들, IZO 반도체층들, ITO 반도체층들, CuOx 반도체층들, NiOx 반도체층들, 및 TeOx 반도체층들 중 적어도 하나를 포함하고,상기 질화물 반도체층들은,GaN 반도체층들 또는 hBN 반도체층들을 포함하고,상기 질화산화물 반도체층들은,ZnON 반도체층들을 포함하는을 포함하는, 박막 트랜지스터 제조 방법
|
18 |
18
제13항에 있어서,상기 채널층들, 상기 소스 전극, 및 상기 드레인 전극 상에 보호층을 형성하는 동작을 더 포함하는, 박막 트랜지스터 제조 방법
|