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기판 상에 위치하는 캐소드 전극;상기 캐소드 전극 상에 위치하는 전자빔 방출을 위한 복수의 에미터;상기 복수의 에미터와 마주하도록 상기 기판에 결합되고, 사파이어, 석영, 수정, 다이아몬드, 칼슘 플로라이드(CaF2), 마그네슘 플로라이드(MgF2), 알루미늄 나이트라이드(AlN), 알루미늄 갈륨 나이트라이드(AlGaN), 및 갈륨 나이트라이드(GaN)로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나를 포함하며, 전자빔을 조사받아 자외선을 방출하는 발광 기판; 및상기 복수의 에미터를 향한 상기 발광 기판의 내면에 위치하는 애노드 전극을 포함하는 자외선 광원 장치
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기판 상에 위치하는 캐소드 전극;상기 캐소드 전극 상에 위치하는 복수의 에미터;상기 캐소드 전극 및 상기 복수의 에미터와 절연을 유지하며 상기 복수의 에미터 상에 위치하고, 직류 또는 펄스 전압을 인가받는 게이트 전극;상기 게이트 전극과 마주하도록 상기 기판에 결합되고, 사파이어, 석영, 수정, 다이아몬드, 칼슘 플로라이드(CaF2), 마그네슘 플로라이드(MgF2), 알루미늄 나이트라이드(AlN), 알루미늄 갈륨 나이트라이드(AlGaN), 및 갈륨 나이트라이드(GaN)로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나를 포함하며, 전자빔을 조사받아 자외선을 방출하는 발광 기판; 및상기 게이트 전극을 향한 상기 발광 기판의 내면에 위치하는 애노드 전극을 포함하는 자외선 광원 장치
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제2항에 있어서,상기 복수의 에미터는 상기 캐소드 전극에 설정된 복수의 에미터 영역에 위치하고,상기 게이트 전극은 상기 복수의 에미터 영역에 대응하는 복수의 개구가 형성된 다공판과, 복수의 개구를 가리도록 상기 다공판에 고정된 복수의 금속망을 포함하는 자외선 광원 장치
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제3항에 있어서,상기 캐소드 전극과 상기 다공판 사이에 지지층이 위치하며,상기 지지층의 두께는 상기 복수의 에미터 각각의 높이보다 크고,상기 복수의 금속망은 상기 복수의 에미터와 일정하게 이격되어 위치하는 자외선 광원 장치
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제4항에 있어서,상기 지지층은 상기 캐소드 전극과 상기 다공판의 가장자리에 대응하여 위치하는 자외선 광원 장치
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제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,상기 발광 기판의 외면에 위치하는 고 굴절률 재료층을 더 포함하는 자외선 광원 장치
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제6항에 있어서,상기 고 굴절률 재료층은 알루미늄 나이트라이드(AlN)를 포함하고,상기 발광 기판은 사파이어, 석영, 수정, 다이아몬드, 칼슘 플로라이드(CaF2), 마그네슘 플로라이드(MgF2), 알루미늄 갈륨 나이트라이드(AlGaN), 및 갈륨 나이트라이드(GaN)로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나를 포함하는 자외선 광원 장치
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제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,상기 발광 기판은 상기 기판과 함께 진공 패널을 구성하고,상기 캐소드 전극 상에 상기 복수의 에미터가 위치하는 에미터 영역과, 상기 발광 기판 중 상기 에미터 영역에서 방출된 전자빔에 의해 자외선을 방출하는 발광 영역이 자외선 모듈을 구성하는 자외선 광원 장치
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제8항에 있어서,상기 진공 패널은 상기 자외선 모듈을 복수 개로 구비하고,상기 복수의 자외선 모듈은 상기 진공 패널의 수평 방향 및 수직 방향을 따라 나란히 배열되는 자외선 광원 장치
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