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1
표시패널에 포함된 화소들은 각각 초기화 및 샘플링 단계, 프로그래밍 단계, 및 발광 단계에 따라 구동되는 화소 구동 회로 및 발광소자를 포함하고, 상기 화소 구동 회로는 게이트 노드, 소스 노드, 및 드레인 노드를 포함하는 구동 트랜지스터;데이터 전압의 제공 유무를 제어하는 데이터 트랜지스터;상기 구동 트랜지스터의 상기 게이트 노드 및 상기 드레인 노드에 연결된 산화물 트랜지스터;상기 구동 트랜지스터의 상기 게이트 노드 및 상기 산화물 트랜지스터에 연결된 제1 전극 및 A 노드에 연결된 제2 전극을 포함하는 제1 커패시터; 및상기 데이터 트랜지스터에 연결된 제3 전극 및 상기 A 노드에 연결된 제4 전극을 포함하는 제2 커패시터를 포함하며,상기 초기화 및 샘플링 단계는 상기 산화물 트랜지스터 및 상기 구동 트랜지스터가 턴-온되어 상기 구동 트랜지스터의 상기 게이트 노드 및 상기 드레인 노드에 초기화 전압이 인가되고, 상기 제2 커패시터의 제3 전극에 고전위 전압이 제공되며, 상기 데이터 트랜지스터가 턴-오프되는 초기화 단계; 및상기 제1 커패시터에 상기 구동 트랜지스터의 문턱전압이 저장되는 샘플링 단계를 포함하고,상기 프로그래밍 단계는 상기 데이터 트랜지스터가 턴-온되어 상기 데이터 전압을 제공하는 데이터 전압 전달 단계; 및상기 산화물 트랜지스터가 턴-오프되고 상기 제1 커패시터에 구동 전압이 저장되는 데이터 전압 유지 단계를 포함하고,상기 발광 단계는 상기 데이터 트랜지스터가 턴-오프되고 상기 구동 전압에 따른 구동 전류가 상기 발광소자에 제공되는 단계를 포함하며,상기 초기화 및 샘플링 단계의 기간은 상기 프로그래밍 단계의 기간과 서로 다른, 전계발광 표시패널의 구동방법
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2 |
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제1항에 있어서,상기 초기화 및 샘플링 단계에서 상기 산화물 트랜지스터를 턴-온시키기 위한 에미션 신호가 제공되고, 상기 데이터 트랜지스터를 턴-오프시키기 위한 스캔 신호가 제공되는, 전계발광 표시패널의 구동방법
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3 |
3
제1항에 있어서,상기 데이터 전압 전달 단계에서 상기 에미션 신호는 게이트-온 신호를 유지하고 상기 스캔 신호는 게이트-오프 신호에서 게이트-온 신호로 전환되며,상기 데이터 전압 유지 단계에서 상기 에미션 신호는 상기 게이트-온 신호에서 게이트-오프 신호로 전환되고 상기 스캔 신호는 게이트-온 신호를 유지하는, 전계발광 표시패널의 구동방법
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4 |
4
제1항에 있어서,상기 발광 단계에서 상기 에미션 신호는 상기 게이트-오프 신호를 유지하고 상기 스캔 신호는 상기 게이트-온 신호에서 게이트-오프 신호로 전환되는, 전계발광 표시패널의 구동방법
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5 |
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제1항에 있어서,상기 초기화 및 샘플링 단계에서 상기 A 노드의 전압은 상기 초기화 전압과 상기 구동 트랜지스터의 문턱전압의 차이로 수렴되는, 전계발광 표시패널의 구동방법
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6 |
6
제1항에 있어서,상기 데이터 전압 전달 단계에서 상기 A 노드의 전압은 VINIT-VT+CPR/(CST+CPR)*(VDAT-ELVDD) 이고,이 경우 VINIT는 상기 초기화 전압, VT는 상기 구동 트랜지스터의 문턱 전압, CST는 상기 제1 커패시터, CPR은 상기 제2 커패시터, VDAT는 상기 데이터 전압, ELVDD는 상기 고전위 전압인, 전계발광 표시패널의 구동방법
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7
제1항에 있어서,상기 데이터 전압 유지 단계에서 상기 A 노드의 전압은 VT+CPR/(CST+CPR)*(ELVDD-VDAT) 이고,이 경우 VT는 상기 구동 트랜지스터의 문턱 전압, CST는 상기 제1 커패시터, CPR은 상기 제2 커패시터, VDAT는 상기 데이터 전압, ELVDD는 상기 고전위 전압인, 전계발광 표시패널의 구동방법
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8 |
8
제1항에 있어서,상기 초기화 및 샘플링 단계는 상기 프로그래밍 단계보다 긴 기간을 갖는, 전계발광 표시패널의 구동방법
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9
제8항에 있어서,상기 프로그래밍 단계는 1 수평기간만큼 유지되고, 상기 초기화 및 샘플링 단계는 1 수평기간보다 긴 기간만큼 유지되는, 전계발광 표시패널의 구동방법
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10
표시패널에 포함된 화소들은 각각 초기화 및 샘플링 기간, 프로그래밍 기간, 및 발광 기간에 따라 구동되는 화소 구동 회로 및 발광소자를 포함하고, 상기 화소 구동 회로는 게이트 노드, 소스 노드, 및 드레인 노드를 포함하는 구동 트랜지스터;A 노드에 각각 일 전극이 연결된 제1 커패시터 및 제2 커패시터;스캔 신호에 의해 제어되는 제1 스위칭 회로;상기 스캔 신호의 반전 신호인 스캔 바 신호에 의해 제어되는 제2 스위칭 회로;에미션 신호에 의해 제어되는 제3 스위칭 회로; 및상기 에미션 신호의 반전 신호인 에미션 바 신호에 의해 제어되는 제4 스위칭 회로를 포함하며,상기 제2 스위칭 회로 및 상기 제3 스위칭 회로는 상기 A 노드를 통해 서로 연결된, 전계발광 표시패널
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제10항에 있어서,상기 제3 스위칭 회로는 NMOS 트랜지스터 및 PMOS 트랜지스터를 포함하는, 전계발광 표시패널
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제10항에 있어서,상기 초기화 및 샘플링 기간에서 상기 스캔 신호는 로직 하이 전압으로 상기 제1 스위칭 회로는 턴-오프되고, 상기 스캔 바 신호는 로직 로우 전압으로 상기 제2 스위칭 회로는 턴-온되고,상기 에미션 신호는 로직 하이 전압으로 상기 제3 스위칭 회로 중 일부는 턴-온되며,상기 에미션 바 신호는 로직 로우 전압으로 상기 제4 스위칭 회로는 턴-온되는, 전계발광 표시패널
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13
제10항에 있어서,상기 프로그래밍 기간은 데이터 전압 전달 기간 및 데이터 전압 유지 기간을 포함하고,상기 데이터 전압 전달 기간에서상기 스캔 신호는 로직 로우 전압으로 상기 제1 스위칭 회로는 턴-온되고, 상기 스캔 바 신호는 로직 하이 전압으로 상기 제2 스위칭 회로는 턴-오프되고,상기 에미션 신호는 로직 하이 전압이 유지되며,상기 에미션 바 신호는 로직 로우 전압이 유지되는, 전계발광 표시패널
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14
제13항에 있어서,상기 데이터 전압 유지 기간에서상기 스캔 신호는 로직 로우 전압이 유지되고, 상기 스캔 바 신호는 로직 하이 전압이 유지되고,상기 에미션 신호는 로직 로우 전압으로 상기 제3 스위칭 회로 중 일부는 턴-오프되며,상기 에미션 바 신호는 로직 하이 전압으로 상기 제4 스위칭 회로는 턴-오프되는, 전계발광 표시패널
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15
제10항에 있어서,상기 발광 기간에서상기 스캔 신호는 로직 하이 전압으로 상기 제1 스위칭 회로는 턴-오프되고, 상기 스캔 바 신호는 로직 로우 전압으로 상기 제2 스위칭 회로는 턴-온되고,상기 에미션 신호는 로직 로우 전압이 유지되며,상기 에미션 바 신호는 로직 하이 전압이 유지되는, 전계발광 표시패널
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16
제10항에 있어서,상기 초기화 및 샘플링 기간은 상기 프로그래밍 기간보다 길고, 상기 프로그래밍 기간은 1 수평기간인, 전계발광 표시패널
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제10항에 있어서,상기 제1 스위칭 회로는 데이터 전압이 제공되는 데이터 전압 배선 및 상기 제2 커패시터에 연결된, 전계발광 표시패널
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18
제10항에 있어서,상기 제2 스위칭 회로는 고전위 전압이 제공되는 고전위 전압 배선, 상기 제2 커패시터, 및 상기 구동 트랜지스터에 연결된, 전계발광 표시패널
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19
제10항에 있어서,상기 제3 스위칭 회로는 고전위 전압이 제공되는 고전위 전압 배선, 상기 제1 커패시터, 및 상기 발광소자의 애노드에 연결된, 전계발광 표시패널
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제10항에 있어서,상기 제4 스위칭 회로는 초기화 전압이 제공되는 초기화 전압 배선 및 상기 발광소자의 애노드에 연결된, 전계발광 표시패널
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