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IPC분류
MOSFET 웨이퍼 전자조사 기술
도입희망 기술개요
- 관리번호
- : 333383-20180001
- 담당센터(부서)
- : 서울동부혁신센터
- 담당팀
- : 기술혁신1팀
- 전화번호
- :
| 기술명 | MOSFET 웨이퍼 전자조사 기술 | ||
|---|---|---|---|
| 업종분류 | (26111) 메모리용 전자집적회로 제조업 | 기술분류 | (NB0607) 반도체 |
| IPC 코드 | (H01L-/) 반도체 장치; 다른 곳에 속하지 않는 전기적 고체 장치(측정에 반도체 장치를 사용 G01; 저항 일반 H01C; 자석, 인덕터, 변성기 H01F; 컨덴서 일반 H01G; 전해장치 H01G 9/00; 전지, 축전지 H01M; 도파관, 도파관형의 공진기 또는 선로 H01P; 전선접속기, 집전장치 H01R; 유도방출 소자 H01S; 전기기계적 공진기 H03H; 확성기, 마이크로폰, 축음기의 픽엎 또는 음향의 전기기계적 변환기 H04R; 전기적 광 | ||
| 핵심키워드 | 전자조사,MOSFET전자조사 | ||
| 핵심키워드 (영문) | electron exposure,MOSFER electron exposure | ||
| 기술개요 | MOSFET 반도체의 스위칭 속도를 높여 효율을 증가 시킬 목적으로 높은 에너지를 갖는 전자를 조사하여 결정구조를 변환하는 방법으로 적정한 에너지와 전자조사 후 고온 어니닐링을 통하여 일정 수준의 회복속도를 ( Reverse Recovery Time) 유지 시키도록 하는 기술 | ||
| 도입희망 금액 | ***** 원 | 자체부담 가능금액 | ***** 원 |
도입희망 상세내용
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도입기술의 요구성능 |
***** | ||
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| 활용분야 | ***** | ||
| 사업화 계획 | ***** | ||
| 도입희망 유형 | ***** | ||
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도입희망기술 관련제품 |
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도입희망기술 영위기업 |
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