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IPC분류
대기압 플라즈마를 이용한 실리콘카바이드(SiC) 에칭장치 및 방법
도입희망 기술개요
- 관리번호
- : 438425-20200001
- 담당센터(부서)
- : 대전혁신센터
- 담당팀
- : 기술혁신1팀
- 전화번호
- : 042-610-2273
| 기술명 | 대기압 플라즈마를 이용한 실리콘카바이드(SiC) 에칭장치 및 방법 | ||
|---|---|---|---|
| 업종분류 | (70119) 기타 자연과학 연구개발업 | 기술분류 | (NB0499) 달리 분류되지 않는 유체/플라즈마 |
| IPC 코드 | (H01L-21/67) 반도체 장치; 다른 곳에 속하지 않는 전기적 고체 장치(측정에 반도체 장치를 사용 G01; 저항 일반 H01C; 자석, 인덕터, 변성기 H01F; 컨덴서 일반 H01G; 전해장치 H01G 9/00; 전지, 축전지 H01M; 도파관, 도파관형의 공진기 또는 선로 H01P; 전선접속기, 집전장치 H01R; 유도방출 소자 H01S; 전기기계적 공진기 H03H; 확성기, 마이크로폰, 축음기의 픽엎 또는 음향의 전기기계적 변환기 H04R; 전기적 광 | ||
| 핵심키워드 | 플라즈마,대기압 | ||
| 핵심키워드 (영문) | plasma,atmospheric pressure | ||
| 기술개요 |
● 대기압에서 안정적인 단일 필라멘트 플라즈마를 발생시켜 SiC 또는 Si를 에칭함
● 에칭프로파일은 Gaussian Shape의 일정한 Tool Shape를 가지며 플라즈마 발생파라미터(전압주파수, 공정가스 조성, 전극의 규격)를 제어하여 다양한 Tool Function의 에칭공정을 구현함 |
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| 도입희망 금액 | ***** 원 | 자체부담 가능금액 | ***** 원 |
도입희망 상세내용
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도입기술의 요구성능 |
***** | ||
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| 활용분야 | ***** | ||
| 사업화 계획 | ***** | ||
| 도입희망 유형 | ***** | ||
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도입희망기술 관련제품 |
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도입희망기술 영위기업 |
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