진공을 이용한 반도체 패키징 보이드(Void) 제거 기술
기술명 | 진공을 이용한 반도체 패키징 보이드(Void) 제거 기술 | ||
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업종분류 | (29271) 반도체 제조용 기계 제조업 | 기술분류 | (ED0210) 반도체장비용 핵심부품/제조장비 |
IPC 코드 | (H01L-21/02) 반도체 장치; 다음의 유에 속하지 않는 전기적 고체 장치 | ||
핵심키워드 | 반도체 ,진공 | ||
핵심키워드 (영문) | Package,Semiconductor | ||
기술개요 |
- 최근 더욱 가속화 되고 있는 전자기기의 경박단소를 달성하기 위한 소형, 고성능을 목적으로 한 패키지 기술이 다양하게 발전하고 있음
- 그 중 하나의 패키지에 복수개의 칩을 탑재하는 MCP(Multi Chip Package)기술은 휴대용 정보 단말기 분야에 수요가 급증하고 있으며, 특히 소형, 대용량의 저장기능을 필요로 하고 있어 메모리의 대용량화가 강하게 요구되는 바 메모리칩의 적층을 중심으로 보급 중임 - 하지만 MCP(Multi Chip Package)는 적층하는 칩의 수가 많아질수록 수율확보가 저하하는 문제가 있음 - 수율 저하의 원인 중 하나는 보이드(Void)의 발생에 따른 패키지 공정의 신뢰성 악화에 있으며 칩의 적층수가 많을수록 보이드에 의한 불량률이 높음 - 본 기술은 적층형 반도체 패키지 공정에서 Die Bonding 이후 Wire Bonding 전의 전처리 공정에 있어 세계 최초로 하나의 진공 시스템 내에서 가열 및 진공을 이용하여 접착층(Adhesive) 내부의 보이드를 제거(De-voiding)한 다음 연속적으로 가열에 의한 경화(Curing)를 거쳐 플라즈마세정(Plasma Cleaning)공정까지 일괄적으로 수행하는 고품위, 고효율, 고신뢰성의 제조 기술임 (기존에는 반도체 메모리칩 제조시에 보이드 제거, 가열 및 경화, 플라즈마 세정 공정들이 개별공정에 의해 이루어져 개별 장비의 증가로 고비용 발생, 스페이스 차지, 제조시간 지연 등 단점이 있었으나, 본 기술은 이러한 공정을 일괄공정에 의해 하나의 장비로 처리할수 있는 기술임) - Mode 1 (De-voiding) : 접착층을 경화온도 직전까지 가열하여 점성을 높여 보이드의 이동성을 높임 : 진공의 압력 차이에 의한 흡인력을 이용하여 보이드 제거 - Mode 2 (Curing) : 보이드 제거이후 경화온도까지 승온하여 접착층 경화 - Mode 3 (Plasma Cleaning & Cooling) : 경화 이후 플라즈마 세정공정 수행 : 플라즈마 세정과 동시에 냉각 |
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도입희망 금액 | ***** 원 | 자체부담 가능금액 | ***** 원 |
도입기술의 요구성능 |
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활용분야 | ***** | ||
사업화 계획 | ***** | ||
도입희망 유형 | ***** | ||
도입희망기술 관련제품 |
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도입희망기술 영위기업 |
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