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태양전지의 제조방법

  • 기술번호 : KST2014000636
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 태양전지의 제조방법이 개시된다. 본 발명에 따른 태양전지의 제조방법은 (a) 말단에 히드록시기를 포함하는 폴리스티렌-폴리메틸메타크릴레이트의 랜덤공중합체를 이용하여 석영기판의 상부면에 표면개질층을 적층하고 뉴트럴 브러쉬(neutral brush)를 형성하는 단계; (b) 상기 뉴트럴 브러쉬의 상부면에 폴리스티렌-폴리메틸메타크릴레이트의 블록공중합체막을 적층하고, 어닐링함으로써 상 분리하는 단계; (c) 상기 상 분리된 블록공중합체막중 폴리메틸메타크릴레이트 영역을 제거함으로써 나노패턴으로 이루어진 나노템플레이트를 형성하는 단계; (d) 태양전지의 표면에 상기 나노템플레이트가 형성된 석영기판의 하부를 부착하는 단계; (e) 상기 나노템플레이트를 이용하여 상기 석영기판을 식각하는 단계; 및 (f) 상기 석영기판을 이용하여 상기 태양전지의 표면을 식각하는 단계를 포함하며, 본 발명에 따르면, 제조비용을 절감하면서도 태양전지의 표면에 수직방향으로 복수개의 나노크기 홈을 규칙적으로 형성시킬 수 있어서 광전변환 효율이 우수하고 태양전지에는 열에 의한 악영향을 미치지 않기 때문에 장수명을 갖는 태양전지를 제조할 수 있다.
Int. CL H01L 31/18 (2014.01) H01L 31/0216 (2014.01) H01L 31/04 (2014.01)
CPC H01L 31/02363(2013.01) H01L 31/02363(2013.01) H01L 31/02363(2013.01)
출원번호/일자 1020070017204 (2007.02.20)
출원인 고려대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-0968241-0000 (2010.06.29)
공개번호/일자 10-2008-0077532 (2008.08.25) 문서열기
공고번호/일자 (20100706) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.02.22)
심사청구항수 13

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김지현 대한민국 서울 성북구
2 방준하 대한민국 서울 성북구
3 신규순 대한민국 서울 관악구
4 김성현 대한민국 서울 강남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인충현 대한민국 서울특별시 서초구 동산로 **, *층(양재동, 베델회관)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2007.02.20 수리 (Accepted) 1-1-2007-0151714-22
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2007.03.22 수리 (Accepted) 4-1-2007-5043540-16
3 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2008.02.22 수리 (Accepted) 1-1-2008-0134142-18
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.03.05 수리 (Accepted) 4-1-2008-5034712-96
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.06.09 수리 (Accepted) 4-1-2009-5111177-32
6 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2009.10.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
7 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2009.11.13 수리 (Accepted) 9-1-2009-0062449-95
8 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2009.12.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0537446-59
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2010.02.02 수리 (Accepted) 1-1-2010-0071974-14
10 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2010.02.02 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2010-0071973-79
11 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2010.03.30 불수리 (Non-acceptance) 1-1-2010-0203397-98
12 서류반려이유통지서
Notice of Reason for Return of Document		 2010.04.01 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2010-0029130-71
13 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2010.04.05 수리 (Accepted) 1-1-2010-0215566-33
14 서류반려통지서
Notice for Return of Document		 2010.04.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2010-0033411-45
15 등록결정서
Decision to grant		 2010.05.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0234118-39
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.08.12 수리 (Accepted) 4-1-2010-5149278-93
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.11 수리 (Accepted) 4-1-2014-5018243-16
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.04.22 수리 (Accepted) 4-1-2014-5049934-62
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.10.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5210941-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
(a) 말단에 히드록시기를 포함하는 폴리스티렌-폴리메틸메타크릴레이트의 랜덤공중합체를 이용하여 석영기판의 상부면에 표면개질층을 적층하고 뉴트럴 브러쉬(neutral brush)를 형성하는 단계; (b) 상기 뉴트럴 브러쉬의 상부면에 폴리스티렌-폴리메틸메타크릴레이트의 블록공중합체막을 적층하고, 어닐링함으로써 상 분리하는 단계; (c) 상기 상 분리된 블록공중합체막 중 폴리메틸메타크릴레이트 영역을 제거함으로써 나노패턴으로 이루어진 나노템플레이트를 형성하는 단계; (d) 태양전지의 표면과 상기 나노템플레이트가 형성된 석영기판의 하부를 부착하는 단계; (e) 상기 나노템플레이트를 이용하여 상기 석영기판을 식각하는 단계; 및 (f) 상기 석영기판을 이용하여 상기 태양전지의 표면을 식각하는 단계를 포함하는 태양전지의 제조방법
2 2
제 1항에 있어서, 상기 랜덤공중합체는 하기 식 1로 표시되고, 하기 식 1에서 x, y는 몰분율로서, x는 0
3 3
제 1항에 있어서, 상기 랜덤공중합체는 500~1500rpm의 속도로 스핀코팅하여 상기 석영기판에 형성되는 것을 특징으로 하는 태양전지의 제조방법
4 4
제 1항에 있어서, 상기 뉴트럴 브러쉬를 형성하는 단계는, 상기 랜덤공중합체를 진공하에서 130~170℃의 온도로 열처리하여 뉴트럴 브러쉬를 형성하는 것을 특징으로 하는 태양전지의 제조방법
5 5
제 1항에 있어서, 상기 블록공중합체막은 2000~6000rpm의 속도로 스핀코팅하여 도포되는 것을 특징으로 하는 태양전지의 제조방법
6 6
제 1항에 있어서, 상기 블록공중합체막의 두께는 25~40nm인 것을 특징으로 하는 태양전지의 제조방법
7 7
제 1항에 있어서, 상기 블록공중합체막을 상 분리하는 단계는, 상기 블록공중합체막을 진공하에서 150~190℃의 온도로 열처리하여 상 분리하는 것을 특징으로 하는 태양전지의 제조방법
8 8
제 1항에 있어서, 상기 블록공중합체막을 이루는 폴리스티렌과 폴리메틸메타크릴레이트의 몰비는 7:3인 것을 특징으로 하는 태양전지의 제조방법
9 9
제 1항에 있어서, 상기 블록공중합체막에 포함된 블록공중합체의 수평균분자량은 50,000~ 90,000인 것을 특징으로 하는 태양전지의 제조방법
10 10
제 1항에 있어서, 상기 나노템플레이트를 형성하는 단계는, 상기 상 분리된 블록공중합체막의 상부에서 200∼300nm의 파장을 갖는 UV를 조사하여 상기 블록공중합체막에 포함된 폴리메틸메타크릴레이트 영역을 제거하는 것에 의하는 것을 특징으로 하는 태양전지의 제조방법
11 11
제 1항에 있어서, 상기 나노 패턴의 형상은 실린더 또는 라멜라 형상인 것을 특징으로 하는 태양전지의 제조방법
12 12
제 1항에 있어서, 상기 나노템플레이트를 이용하여 상기 석영기판을 식각하는 단계는, 불소계 가스를 사용하여 식각하는 것을 특징으로 하는 태양전지의 제조방법
13 13
제 1항에 있어서, 상기 석영기판을 이용하여 상기 태양전지의 표면을 식각하는 단계는, 클로린계 가스를 사용하여 식각하는 것을 특징으로 하는 태양전지의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.