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샌드위치 혼합된 이중 발광호스트를 이용한 고효율 인광 유기발광다이오드 및 그의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2014000883
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 샌드위치 혼합된 이중 발광호스트를 이용한 고효율 인광 유기발광다이오드 및 그의 제조 방법에 관한 것이다. 상기 인광 유기발광 소자는 기판 위에 형성된 제1 전극, 상기 제1 전극과 마주하는 제2 전극, 및 상기 제1 전극과 제2 전극 사이에 위치하는 발광층을 포함하고, 상기 발광층은 정공전달성 발광호스트, 정공전달성 발광호스트 및 전자전달성 발광호스트로 이루어진 샌드위치 혼합구조를 갖는 이중 발광호스트를 포함한다. 본 발명에 따르면 기존 유기발광 소자의 낮은 효율, 짧은 수명 등의 문제점들을 해결할 수 있고, 간단한 공정으로 발광효율이 크게 개선된 인광 유기 발광 소자를 제공하는 효과가 있다. PhOLED, 인광유기발광다이오드, 발광 효율, 샌드위치 혼합, 이중 발광 호스트
Int. CL H01L 51/52 (2006.01)
CPC H01L 51/5056(2013.01) H01L 51/5056(2013.01) H01L 51/5056(2013.01) H01L 51/5056(2013.01)
출원번호/일자 1020080041790 (2008.05.06)
출원인 단국대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-0990451-0000 (2010.10.21)
공개번호/일자 10-2009-0116091 (2009.11.11) 문서열기
공고번호/일자 (20101029) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항 심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.05.06)
심사청구항수 17

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 단국대학교 산학협력단 대한민국 경기도 용인시 수지구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 장지근 대한민국 충남 천안시

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 유미특허법인 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 서림빌딩 **층 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 단국대학교 산학협력단 대한민국 경기도 용인시 수지구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2008.05.06 수리 (Accepted) 1-1-2008-0321336-00
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2009.11.04 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2009.12.08 수리 (Accepted) 9-1-2009-0066598-72
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2010.02.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0078306-01
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2010.04.23 수리 (Accepted) 1-1-2010-0264048-32
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2010.04.23 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2010-0264049-88
7 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2010.08.04 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0337691-17
8 [법정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Extension of Legal Period] Request for Extension of Period (Reduction, Expiry Reconsideration)		 2010.09.02 수리 (Accepted) 7-1-2010-0037080-10
9 명세서 등 보정서(심사전치)
Amendment to Description, etc(Reexamination)		 2010.09.08 보정승인 (Acceptance of amendment) 7-1-2010-0038075-60
10 등록결정서
Decision to grant		 2010.10.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0455318-36
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.03.07 수리 (Accepted) 4-1-2012-5047629-25
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.01.06 수리 (Accepted) 4-1-2014-0000870-18
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.10.26 수리 (Accepted) 4-1-2020-5239146-54
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판 위에 형성된 제1 전극, 상기 제1 전극과 마주하는 제2 전극, 및 상기 제1 전극과 제2 전극 사이에 위치하는 발광층을 포함하는 인광 유기발광다이오드이고, 상기 발광층의 각각은 정공전달성 발광호스트, 혼합 발광호스트 및 전자전달성 발광호스트로 이루어진 발광 호스트를 포함하되, 상기 발광 호스트는 상기 정공전달성 발광호스트 및 전자전달성 발광호스트 사이에 이들 호스트가 혼합된 혼합 발광호스트가 위치하는 샌드위치 혼합구조를 이루고 있으며, 상기 정공전달성 발광호스트는 TCTA, CBP, NPB, PPP 및 PPV로 이루어진 군에서 선택된 적어도 어느 하나를 포함하고, 상기 전자전달성 발광호스트는 TAZ, TPBI, Balq, PH1, Bphen, Bebq2, PPP 및 PPV로 이루어진 군에서 선택된 적어도 어느 하나를 포함하고, 상기 인광 유기발광다이오드는 상기 제1 전극과 상기 발광층 사이에 위치하는 정공수송층, 및 상기 제2 전극과 상기 발광층 사이에 위치하는 전자수송층 중 적어도 어느 하나를 더 포함하고, 상기 전자수송층과 발광층 사이에 위치하는 정공차단층, 및 상기 정공수송층과 제1 전극 사이에 위치하는 정공주입층을 포함하며, 상기 혼합 발광호스트는 3:1 내지 1:3 의 중량비로 혼합된 정공전달성 발광호스트와 전자전달성 발광호스트의 혼합물을 포함하는 것을 특징으로 하는, 인광 유기발광다이오드
2 2
삭제
3 3
제 1항에 있어서, 상기 정공전달성 발광호스트, 혼합 발광호스트 및 전자전달성 발광호스트는 각각 균일한 농도의 인광 도펀트를 포함하는 것을 특징으로 하는 인광 유기발광다이오드
4 4
제 1항에 있어서, 상기 정공전달성 발광호스트, 혼합 발광호스트 및 전자전달성 발광호스트는 각각 불균일한 농도의 인광 도펀트를 포함하는 것을 특징으로 하는 인광 유기발광다이오드
5 5
제 3항 또는 제 4항에 있어서, 상기 정공전달성 발광호스트, 혼합 발광호스트 및 전자전달성 발광호스트는 각각 형광 물질이고, 상기 도펀트는 인광 물질인 것인, 인광 유기발광다이오드
6 6
제 3항 또는 제 4항에 있어서, 상기 정공전달성 발광호스트, 혼합 발광호스트 및 전자전달성 발광호스트 및 도펀트는 각각 인광 물질인 것인, 인광 유기발광다이오드
7 7
삭제
8 8
삭제
9 9
제 3항 또는 제 4항에 있어서, 상기 도펀트는 유기 발광 저분자 물질, 유기 발광 고분자 및 유기 발광 올리고머로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나인 것인, 인광 유기발광다이오드
10 10
제 9항에 있어서, 상기 도펀트는 Ir(ppy)3, Ir(tpy)3, Ir(thpy)3, Ir(piq)3, Ir(fliq)3, Ir(tiq)3, Ir(flpy)3, Ir(btpy)3, (pq)2Ir(acac), (btp)2Ir(acac), (F2ppy)2Ir(pic), FIr(pic) 및 PtOEP로 이루어진 군에서 선택된 적어도 어느 하나를 포함하는 것인, 인광 유기발광다이오드
11 11
제 1항에 있어서, 상기 발광층은 두께가 10 nm 내지 100nm 인 것을 특징으로 하는, 인광 유기발광다이오드
12 12
제 1항에 있어서, 상기 제1 전극은 양극이고, 제2 전극은 음극인 것을 특징으로 하는, 인광 유기발광다이오드
13 13
제 1항에 있어서, 녹색 인광 유기발광다이오드인 것을 특징으로 하는 인광 유기발광다이오드
14 14
제 1항에 있어서, 적색 인광 유기발광다이오드인 것을 특징으로 하는 인광 유기발광다이오드
15 15
제 1항에 있어서, 청색 인광 유기발광다이오드인 것을 특징으로 하는 인광 유기발광다이오드
16 16
제 1항에 있어서, 황색 인광 유기발광다이오드인 것을 특징으로 하는 인광 유기발광다이오드
17 17
삭제
18 18
기판 위에 제1 전극을 형성하는 단계; 상기 제1 전극 위에 발광층을 형성하는 단계; 및 상기 발광층 위에 제2 전극을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 발광층을 형성하는 단계는 제1 전극 위에 정공전달성 발광호스트층, 혼합 발광호스트층 및 전자전달성 발광호스트층을 차례로 적층하는 단계를 포함하며, 상기 제1 전극을 형성하는 단계 및 상기 발광층을 형성하는 단계 사이에 정공주입층 및 정공수송층을 형성하고, 상기 발광층을 형성하는 단계 및 상기 제2 전극을 형성하는 단계 사이에 정공차단층 및 전자수송층을 형성하는 단계를 더 포함하며, 상기 정공전달성 발광호스트는 TCTA, CBP, NPB, PPP 및 PPV로 이루어진 군에서 선택된 적어도 어느 하나를 포함하고, 상기 전자전달성 발광호스트는 TAZ, TPBI, Balq, PH1, Bphen, Bebq2, PPP 및 PPV로 이루어진 군에서 선택된 적어도 어느 하나를 포함하는 제1항에 따른 인광 유기발광다이오드의 제조방법
19 19
제 18항에 있어서, 상기 혼합 발광호스트층은 3:1 내지 1:3 의 중량비로 혼합된 정공전달성 발광호스트 및 전자전달성 발광호스트의 혼합물을 포함하는 것인 인광 유기발광다이오드의 제조방법
20 20
제 18항에 있어서, 상기 발광층은 진공 증착법, 스핀코팅법 및 잉크젯 인쇄법으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나의 방법으로 형성된 것인, 인광 유기발광다이오드의 제조방법
21 21
제 18항에 있어서, 상기 정공수송층은 DNTPD, NPD, NPB, TCTA 및 CBP로 이루어진 군에서 선택된 적어도 1종의 물질을 포함하고, 상기 전자 수송층은 SFC137, Alq3, BCP, Balq 및 Bphen 으로 이루어진 군에서 선택된 적어도 1종의 물질을 포함하는, 인광 유기발광다이오드의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.