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앰플-튜브 법을 이용한 인과 비소 도핑 피형 산화아연 박막제조방법

  • 기술번호 : KST2014001019
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 앰플-튜브법을 이용한 인과 비소 도핑 피형 산화아연 박막 제조방법에 관한 것으로, 본 발명은 기판 위에 성장된 도핑되지 않은 ZnO계 박막 또는 ZnO계 단결정 기판을 고진공의 앰플 튜브안에서 도펀트로서 P와 As을 기상 확산시키는 것을 특징으로 한다. 이와 같은 본 발명에 따르면 매우 어려운 문제로 알려져 있는 피형 전도특성을 갖는 ZnO 박막 제조의 문제를 해결할 수 있어 현재 단파장 영역의 LEDs나 LDs에 널리 사용되고 있는 GaN와 구조적으로나 광학적으로 비슷한 특성을 가지고 있어 광소자 재료로서 많은 주목을 받고 있는 ZnO를 활용할 수 있다는 장점을 가지고 있다.피형 ZnO, 스퍼터링, 확산, 앰플 튜브
Int. CL C23C 16/40 (2006.01)
CPC C23C 16/404(2013.01) C23C 16/404(2013.01) C23C 16/404(2013.01) C23C 16/404(2013.01)
출원번호/일자 1020050045764 (2005.05.30)
출원인 원광대학교산학협력단
등록번호/일자 10-0698588-0000 (2007.03.15)
공개번호/일자 10-2006-0124041 (2006.12.05) 문서열기
공고번호/일자 (20070322) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2005.05.30)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 원광대학교산학협력단 대한민국 전라북도 익산시

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 소순진 대한민국 전북 익산시
2 김호걸 중국 전북 익산시
3 왕민성 대한민국 전북 정읍시
4 박춘배 대한민국 서울 강남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이상문 대한민국 서울시 강남구 역삼로 *** 남경빌딩 ***호(삼오국제특허법률사무소)
2 박천도 대한민국 서울시 강남구 역삼로 *** 남경빌딩 ***호(삼오국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 원광대학교산학협력단 대한민국 전북 익산시
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2005.05.30 수리 (Accepted) 1-1-2005-0287015-57
2 서지사항보정서
Amendment to Bibliographic items
2005.06.03 수리 (Accepted) 1-1-2005-0297966-20
3 공지예외적용주장대상(신규성,출원시의특례)증명서류제출서
Submission of Document Verifying Exclusion from Being Publically Known (Novelty, Special Provisions for Application)
2005.06.10 수리 (Accepted) 1-1-2005-5072080-67
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2006.06.07 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2006.07.12 수리 (Accepted) 9-1-2006-0043900-82
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2006.09.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0532400-95
7 의견서
Written Opinion
2006.11.13 수리 (Accepted) 1-1-2006-0829349-94
8 등록결정서
Decision to grant
2007.03.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0122959-78
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2008.01.03 수리 (Accepted) 4-1-2008-0000099-25
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.01.02 수리 (Accepted) 4-1-2014-0000035-11
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.01.07 수리 (Accepted) 4-1-2014-5003340-96
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.09.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-5117489-19
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2016.06.10 수리 (Accepted) 4-1-2016-5075701-65
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판 위에 상정된 도핑되지 않은 ZnO계 박막 또는 ZnO계 단결정 기판을 고진공의 앰플 튜브안에서 도펀트로서 P와 As을 기상 확산시키는 것을 특징으로 하는 앰플-튜브법을 이용한 인과 비소 도핑 피형 ZnO 박막 제조방법
2 2
제 1항에 있어서, 상기 기상 확산 시 확산 온도가 400℃ 이상인 것을 특징으로 하는 앰플-튜브법을 이용한 인과 비소 도핑 피형 ZnO 박막 제조방법
3 3
제 1항 또는 제 2항에 있어서, 상기 앰플 튜브 안의 진공도가 10-3토르 이하인 것을 특징으로 하는 앰플-튜브법을 이용한 인과 비소 도핑 피형 ZnO 박막 제조방법
4 4
제 1항 또는 제 2항에 있어서, 상기 도펀트는 Zn3P2와 ZnAs2와 같은 인과 비소화합물 또는 인이나 비소 자체인 것을 특징으로 하는 앰플-튜브법을 이용한 인과 비소 도핑 피형 ZnO 박막 제조방법
5 5
제 1항 또는 제 2항에 있어서, 상기 기판이 Si, 사파이어, SiC 및 산화물 재료 계열의 기판을 사용하거나, 이들 기판 위에 인 또는 비소가 함유된 에피택셜층(epitaxial layer)가진 것을 특징으로 하는 앰플-튜브법을 이용한 인과 비소 도핑 피형 ZnO 박막 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.