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열전발전용 p-n 모듈 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2014001114
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 솔더링이 필요없고 p/n 접합면에서 원소의 상호확산거리를 최소화하여 p/n 계면저항을 최소화할 수 있는 열전발전용 p-n 모듈 및 그 제조방법에 관한 것으로, p형 반도체 빌렛/n형 반도체 빌렛의 2층으로 구성되고, p형 반도체/n형 반도체 사이의 계면은 상기 p형 반도체 빌렛 및 n형 반도체 빌렛을 서로 밀착한 상태에서 스파크플라즈마소결 본딩법에 의해 접합되어져서 솔더링에 의해 제작된 열전발전 모듈에서 발생되는 열반복응력에 의한 접합부의 균열, 열전 특성저하 및 고온부 열원의 활용성 한계를 극복할 수 있으며, 열간프레스법에서 발생하는 p, n형 원소상호확산으로 인한 p/n접합 계면층의 크기 증대에 의한 p-n 모듈의 열전특성 저하문제를 해결할 수 있다.열전발전, p/n 접합 모듈, 솔더링, n형 원소상호확산, 스파크플라즈마소결
Int. CL H01L 35/32 (2006.01.01) H01L 35/16 (2006.01.01) H01L 35/18 (2006.01.01) H01L 35/34 (2006.01.01)
CPC H01L 35/32(2013.01) H01L 35/32(2013.01) H01L 35/32(2013.01) H01L 35/32(2013.01)
출원번호/일자 1020050096918 (2005.10.14)
출원인 전주대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-0811012-0000 (2008.02.29)
공개번호/일자 10-2007-0041120 (2007.04.18) 문서열기
공고번호/일자 (20080311) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2005.10.14)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 전주대학교 산학협력단 대한민국 전라북도 전주시 완산구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김상석 대한민국 부산 금정구
2 이종빈 대한민국 경북 경주시
3 강성수 대한민국 부산 동래구
4 최대곤 대한민국 부산 서구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 최종원 대한민국 서울특별시 금천구 벚꽃로 ***, 에이스하이엔드*차 ***호 한텍국제특허법률사무소 (가산동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 전주대학교 산학협력단 대한민국 전라북도 전주시 완산구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2005.10.14 수리 (Accepted) 1-1-2005-0581107-78
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2006.08.09 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2006.09.14 수리 (Accepted) 9-1-2006-0060814-07
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2006.11.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0669133-77
5 의견서
Written Opinion
2006.11.20 수리 (Accepted) 1-1-2006-0846065-76
6 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.
2006.11.20 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2006-0846073-31
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2007.05.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0261294-96
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2007.07.13 수리 (Accepted) 1-1-2007-0512103-69
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2007.07.13 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2007-0512114-61
10 등록결정서
Decision to grant
2007.11.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0643518-88
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2008.01.31 수리 (Accepted) 4-1-2008-5017757-96
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2008.02.22 수리 (Accepted) 4-1-2008-5027589-01
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2008.02.22 수리 (Accepted) 4-1-2008-5027590-47
14 [출원인변경]권리관계변경신고서
[Change of Applicant] Report on Change of Proprietary Status
2008.02.29 수리 (Accepted) 1-1-2008-0150588-21
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.05.01 수리 (Accepted) 4-1-2012-5093220-89
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.01.27 수리 (Accepted) 4-1-2014-0005471-76
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.01.23 수리 (Accepted) 4-1-2015-5010171-75
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.04.07 수리 (Accepted) 4-1-2015-5045417-10
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2016.03.15 수리 (Accepted) 4-1-2016-5032594-13
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.04.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5080107-86
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
p형 반도체 빌렛/n형 반도체 빌렛의 2층으로 구성되고 p형 반도체/n형 반도체 사이의 계면은 상기 p형 반도체 빌렛 및 n형 반도체 빌렛을 거울상 표면으로 연마한 후 서로 밀착한 상태에서 스파크플라즈마소결 본딩법에 의해 접합되어지는 것을 특징으로 하는 열전발전용 p-n 모듈
2 2
제1항에 있어서, 상기 p, n 형 반도체 소자는 Bi(99
3 3
제1항에 있어서, 상기 스파크플라즈마소결 본딩온도는 450K 내지 523K에서 진행되고, 인가되는 압력은 5㎫ 내지 15㎫에서 진행되고, 그 소요되는 시간은 10분이내인 것을 특징으로 하는 열전발전용 p-n 모듈
4 4
제1항에 있어서, p형 반도체 빌렛과 n형 반도체 빌렛 사이에 금속막을 개재시켜 p형 반도체 빌렛/금속막/n형 반도체 빌렛의 3층으로 구성하고 p형 반도체 빌렛/금속막 및 금속막/n형 반도체 빌렛 사이의 계면은 스파크플라즈마소결 본딩법에 의해 접합되어져서 금속화되어 p/n형 반도체 계면에 캐리어 궁핍층을 제거한 것을 특징으로 하는 열전발전용 p-n 모듈
5 5
제4항에 있어서, 상기 금속막은 무전해 니켈도금된 50㎛의 구리필름인 것을 특징으로 하는 열전발전용 p-n 모듈
6 6
삭제
7 7
분말분쇄법을 통한 합금화 및 전단압출법으로 고밀도/성형화된 Bi-Te계 p, n 형 열전반도체 빌렛을 사용하여 접합될 표면을 거울상으로 연마하는 단계와; 상기 p, n 형 열전반도체 빌렛 사이에 금속막(metal film)을 삽입시키는 단계와; 상기 금속막이 삽입된 p, n 형 열전반도체의 양단에 고전압 펄스를 가하여 스파크플라즈마 소결과정에 의해 p/금속/n형 접합빌렛을 제작하는 단계와; 상기 접합된 p/금속/n형 접합빌렛을 원하는 사이즈로 절단 후, 쐐기 가공하여 열전발전용 p-n 모듈로 제작하는 단계로 구성되는 것을 특징으로 하는 열전발전용 p-n 모듈의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.