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회전식 플라즈마 용사법에 의한 집적회로 패키지용 히트싱크 제조방법

  • 기술번호 : KST2014001188
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 IC 패키지의 하나인 기밀형 4측면 밀봉 타입에 응용하기 위한 히프싱크 기판을 회전식 플라즈마 용사법에 의한 제조방법이 개시된다. IC 패키지용 히트싱크 제조방법에 있어서, 모재로서 무산소동을 준비하는 단계; 상기 모재의 일면에 Ni 도금을 실시하는 단계; 상기 모재의 다른 쪽면에 절연성, 내식성 및 열전도성을 부여하기 위해 다음 (a) 내지 (d)의 공정을 실시하는 단계; (a)인위적인 표면 거칠기를 부여하기 위해 그리트 블라스팅을 실시하는 단계; (b)상기 모재 표면을 흑화처리하는 단계; (c)상기 흑화처리된 표면을 Ni 도금하는 단계; (d)상기 Ni 도금 위에 알루미나를 용사 코팅하는 단계를 포함하며, 상기 용사는 회전식 플라즈마 용사법에 의해 용사 거리 70-120㎜, 용사각도 90°, 아크가스(Ar) 유량 50-130 scfh, 보조가스(H2) 유량 6∼100 scfh, 캐리어 가스(Ar) 유량 21-40 scfh, 분말공급율 3.5lb/hr, 아크(Ar) 가스압 6.2 kg/㎠, 보조가스(H2) 압력 4.5 kg/㎠, 캐리어 가스(Ar) 압력 4.5 kg/㎠의 조건에서 이루어지는 것을 특징으로 하는 IC 패키지용 히트싱크 제조방법.
Int. CL H01L 23/373 (2006.01.01)
CPC H01L 23/3736(2013.01) H01L 23/3736(2013.01)
출원번호/일자 1020020011105 (2002.02.28)
출원인 한국교통대학교산학협력단, (주)세원하드페이싱
등록번호/일자 10-0710431-0000 (2007.04.16)
공개번호/일자 10-2003-0071418 (2003.09.03) 문서열기
공고번호/일자 (20070424) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2005.08.22)
심사청구항수 1

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국교통대학교산학협력단 대한민국 충청북도 충주시 대
2 (주)세원하드페이싱 대한민국 전라북도 전주시 덕진구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 어순철 대한민국 충청북도충주시
2 김일호 대한민국 충청북도충주시
3 이영근 대한민국 충청북도충주시
4 이정일 대한민국 충청북도충주시

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인다울 대한민국 서울 강남구 봉은사로 ***, ***호(역삼동, 혜전빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국교통대학교산학협력단 대한민국 충청북도 충주시 대
2 (주)세원하드페이싱 대한민국 전라북도 전주시 덕진구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2002.02.28 수리 (Accepted) 1-1-2002-0062427-85
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.06.11 수리 (Accepted) 4-1-2002-0050511-34
3 대리인변경신고서
Agent change Notification		 2005.07.18 수리 (Accepted) 1-1-2005-0386080-59
4 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2005.08.22 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2005-0459255-32
5 출원심사청구서
Request for Examination		 2005.08.22 수리 (Accepted) 1-1-2005-0459256-88
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2005.11.21 수리 (Accepted) 4-1-2005-5122609-74
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2006.10.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0611511-30
8 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2006.12.04 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2006-0898462-41
9 의견서
Written Opinion		 2006.12.04 수리 (Accepted) 1-1-2006-0898457-12
10 등록결정서
Decision to grant		 2007.03.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0156688-30
11 출원인변경신고서
Applicant change Notification		 2007.04.10 수리 (Accepted) 1-1-2007-0274776-48
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.03.09 수리 (Accepted) 4-1-2012-5050068-93
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.08.09 수리 (Accepted) 4-1-2013-0036542-01
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.05.30 수리 (Accepted) 4-1-2014-0066279-79
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.02.21 수리 (Accepted) 4-1-2020-5039896-32
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
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IC 패키지용 히트싱크 제조방법에 있어서,모재로서 무산소동을 준비하는 단계; 상기 모재의 일면에 Ni 도금을 실시하는 단계; 상기 모재의 다른 쪽면에 절연성, 내식성 및 열전도성을 부여하기 위해 아래 공정을 실시하는 단계; (a)인위적인 표면 거칠기를 부여하기 위해 그리트 블라스팅을 실시하는 단계; (b)상기 모재 표면을 흑화처리하는 단계; (c)상기 흑화처리된 표면을 Ni 도금하는 단계; (d)상기 Ni 도금 위에 알루미나를 용사 코팅하는 단계를 포함하며,상기 용사는 회전식 플라즈마 용사법에 의해 용사 거리 70-120㎜, 용사각도 90°, 아크가스(Ar) 유량 50-130 scfh, 보조가스(H2) 유량 6∼100 scfh, 캐리어 가스(Ar) 유량 21-40 scfh, 분말공급율 3
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IC 패키지용 히트싱크 제조방법에 있어서,모재로서 무산소동을 준비하는 단계; 상기 모재의 일면에 Ni 도금을 실시하는 단계; 상기 모재의 다른 쪽면에 절연성, 내식성 및 열전도성을 부여하기 위해 아래 공정을 실시하는 단계; (a)인위적인 표면 거칠기를 부여하기 위해 그리트 블라스팅을 실시하는 단계; (b)상기 모재 표면을 흑화처리하는 단계; (c)상기 흑화처리된 표면을 Ni 도금하는 단계; (d)상기 Ni 도금 위에 알루미나를 용사 코팅하는 단계를 포함하며,상기 용사는 회전식 플라즈마 용사법에 의해 용사 거리 70-120㎜, 용사각도 90°, 아크가스(Ar) 유량 50-130 scfh, 보조가스(H2) 유량 6∼100 scfh, 캐리어 가스(Ar) 유량 21-40 scfh, 분말공급율 3
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.