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SIC다이오드를 이용하여 방사선을 측정하는 장치에 있어서,역 바이어스가 인가되고, 감마방사선이 입사되는 SiC 다이오드와;입사 방사선에 의해 SiC 다이오드 내부에서 발생된 역방향 전류를 증폭하고 출력전압으로 변환하는 전치 증폭기 및 저항과;출력전압 신호의 방향을 PC모드 또는 CM모드로 변경하는 스위치와;상기 스위치의 위치가 PC모드일 경우 접점되어 인가된 출력 전압신호를 재차 증폭하는 증폭기와, 증폭된 펄스를 세는 펄스 카운터로 이루어진 PC모드장치와;상기 스위치의 방향이 CM모드일 경우 접점되어 저항을 거쳐 출력된 전류의 순간 변화값을 제한하는 저역통과필터와, 저역통과필터를 거친 전류값을 측정하는 전류 측정기로 이루어진 CM모드장치로 구성되어 하나의 측정기로 PC모드 선량계(낮은 범위용)와 CM모드(높은 범위용) 선량계를 동시에 사용하는 것을 특징으로 하는 단일 반도체소자를 이용한 광범위 방사선 실시간 측정장치
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제 1항에 있어서,상기 역 바이어스의 인가전압은 -1V ∼ 20V인 것을 특징으로 하는 단일 반도체소자를 이용한 광범위 방사선 실시간 측정장치
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제 1항에 있어서,상기 증폭기 및 펄스 카운터로 이루어진 PC모드장치에서는 18
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제 1항에 있어서,상기 저역통과필터 및 전류 측정기로 이루어진 CM모드장치에서는 600 krad/h에서 12,600 krad/h 범위의 고준위 방사선율을 측정하도록 구성한 것을 특징으로 하는 단일 반도체소자를 이용한 광범위 방사선 실시간 측정장치
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SIC다이오드를 이용하여 방사선을 측정하는 방법에 있어서,SiC다이오드에서 감마방사선을 검출하는 단계와;이후 입사되는 감마선광의 순간 방사선율을 측정하는 PC모드 측정단계와;이후 입사되는 감마방사선을 변환한 펄스 갯수를 측정하여 기준값(PTH)보다 작으면 PC모드로 계속 측정하고, 크면 다음 모드 스위칭 단계로 넘어가는 단계와;이후 입사되는 감마방사선의 펄스 갯수가 기준값보다 클 경우 모드를 전환하는 모드 스위칭 단계와;이후 입사되는 감마선광의 순간 방사선율을 측정하는 모드인 CM모드 측정단계와;이후 입사되는 감마방사선을 변환한 전류값이 일정한 전류값(CTH) 보다 크면 CM모드로 계속 측정하고, 작으면 다시 모드스위칭 단계 후 PC모드 측정단계로 되돌아 가는 단계로 이루어진 것을 특징으로 하는 단일 반도체소자를 이용한 광범위 방사선 실시간 측정방법
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제 5항에 있어서,상기 PC모드에서는 18
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제 5항에 있어서,상기 CM모드에서는 600 krad/h에서 12,600 krad/h 범위의 고준위 방사선율을 측정하는 단계인 것을 특징으로 하는 단일 반도체소자를 이용한 광범위 방사선 실시간 측정방법
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