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반도체 기판의 상면에 다이어프램을 형성하는 단계;상기 다이어프램의 상면 중앙부에 1차 전극을 형성하는 단계;상기 1차 전극의 상면과 상기 다이어프램의 노출된 상면 상에 압전 박막을 형성하는 단계;상기 1차 전극과 대응되는 상기 압전 박막의 상면 영역에 전기적으로 분리된 형태의 2개의 2차 전극을 형성하는 단계; 및상기 반도체 기판의 하면을 제거하여 상기 다이어프램의 하면 중앙부를 노출시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는, 저전압 구동형 압전 마이크로스피커 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 2차 전극의 상면과 상기 압전 박막의 노출된 상면 상에 지지층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는, 저전압 구동형 압전 마이크로스피커 제조 방법
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제 2 항에 있어서,상기 지지층의 형성 단계 이전에, 상기 압전 박막의 상면 가장자리 영역에 상기 2차 전극에 전기적으로 연결되는 구동 전압 인가 단자를 형성하는 단계를 포함하며, 상기 지지층은 상기 구동 전압 인가 단자를 노출시키기 위한 홀을 구비하도록 형성되는 것을 특징으로 하는, 저전압 구동형 압전 마이크로스피커 제조 방법
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제 3 항에 있어서,상기 2차 전극 형성 단계는, 동일한 전극 재료를 패터닝하여 상기 중앙부의 중심에 2차 중앙 전극을 형성하고 상기 2차 중앙 전극을 둘러싸도록 2차 주변 전극을 형성하는 단계인 것을 특징으로 하는, 저전압 구동형 압전 마이크로스피커 제조 방법
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제 4 항에 있어서,상기 2차 전극 형성 단계는, 상기 2차 중앙 전극과 상기 2차 주변 전극을 동심원 형상과 동심 사각형 형상 중 적어도 하나의 형태로 형성하는 단계인 것을 특징으로 하는, 저전압 구동형 압전 마이크로스피커 제조 방법
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제 5 항에 있어서,상기 다이어프램 형성 단계는 상기 반도체 기판의 상면과 하면에 다이어프램을 형성하는 단계인 것을 특징으로 하는, 저전압 구동형 압전 마이크로스피커 제조 방법
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제 1 항 내지 제 6항 중 어느 한 항의 방법으로 제조되는 저전압 구동형 압전 마이크로스피커
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중앙부가 제거된 반도체 기판;상기 반도체 기판 상면에 형성된 다이어프램;상기 다이어프램의 상면 중앙부에 형성된 1차 전극;상기 1차 전극의 상면과 상기 다이어프램의 노출된 상면 상에 형성된 압전 박막; 및상기 1차 전극과 대응되는 상기 압전 박막의 중앙부의 상면 영역에 전기적으로 분리된 형태로 형성된 2개의 2차 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는, 저전압 구동형 압전 마이크로스피커
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제 8 항에 있어서,상기 2차 전극은 상기 압전 박막의 중앙부의 중심에 형성된 2차 중앙 전극과 상기 2차 중앙 전극을 둘러싸도록 상기 압전 박막의 중앙부의 주변에 형성된 2차 주변 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는, 저전압 구동형 압전 마이크로스피커
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제 9 항에 있어서,상기 2차 중앙 전극과 상기 2차 주변 전극에는 반대 극성의 전압이 인가되며, 상기 전압 인가시에 상기 압전 박막의 상기 2차 중앙 전극에 대응하는 부분과 상기 2차 주변 전극에 대응하는 부분은 서로 반대 방향의 스트레인을 발생시키는 것을 특징으로 하는, 저전압 구동형 압전 마이크로스피커
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제 10 항에 있어서,상기 2차 중앙 전극과 상기 2차 주변 전극은 상호 간에 동심원 형상과 동심 사각형 형상 중 적어도 하나의 형태로 형성된 것을 특징으로 하는, 저전압 구동형 압전 마이크로스피커
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제 11 항에 있어서,상기 2차 전극의 상면과 상기 압전 박막의 노출된 상면 상에 형성된 지지층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는, 저전압 구동형 압전 마이크로 스피커
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제 12 항에 있어서,상기 1차 전극은 접지되는 것을 특징으로 하는, 저전압 구동형 압전 마이크로스피커
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제 8 항 내지 제 13 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 압전 박막은 ZnO, AlN 및 PVDF 중 하나의 재료로 형성되며, 상기 1차 전극 및 상기 2차 전극은 Al과 Mo/Ti 중 하나의 재료로 형성되며, 상기 다이어프램은 비화학당량적 실리콘 질화막과 ONO막 중 하나의 재료로 형성되며, 상기 지지층은 패럴린 막으로 형성되며, 상기 비화학당량적 실리콘 질화막은 SixNy(단, x≠3, y≠4)인 것을 특징으로 하는, 저전압 구동형 압전 마이크로 스피커
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