맞춤기술찾기

홈으로 가기
맞춤기술찾기
이전대상기술
프린트하기

이전대상기술

질화물 반도체 발광소자

  • 기술번호 : KST2014002101
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
상담신청 PDF 받기
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 질화물 반도체 발광소자에 관한 것으로서, 관통전위를 줄이기 위해 많은 방법의 하나로 기판상에 꼭지점을 갖는 요철 구조를 형성하여 줌으로써 그 꼭지점 주위로 관통 전위를 집중시킨 후에 여러 가지 방법을 통하여 전위가 성장하는 것을 막아주어 관통전위가 적은 질화물을 이용한 발광소자에 관한 것이다. 본 발명의 질화물 반도체 발광소자는 꼭지점을 구비하도록 패터닝 된 기판을 포함하는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 의하면 기판상에 요철을 가지는 결함이 적은 질화물 박막을 사용하여 발광소자를 구현함으로써 기판상의 산란 회절 효과를 증대 시켜 광 추출효율을 증대 시킬 수 있으며 결함이 적어짐으로 인해 고신뢰성, 고휘도의 질화물계 발광 소자를 제공할 수 있다.발광소자, 미세구조, 꼭지점, 관통전위, 측면성장, 질화물계
Int. CL H01L 33/22 (2010.01.01) H01L 33/00 (2010.01.01)
CPC H01L 33/22(2013.01) H01L 33/22(2013.01) H01L 33/22(2013.01)
출원번호/일자 1020060013781 (2006.02.13)
출원인 한국광기술원
등록번호/일자 10-0726971-0000 (2007.06.04)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20070614) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2006.02.13)
심사청구항수 8

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국광기술원 대한민국 광주광역시 북구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 김상묵 대한민국 광주광역시 서구
2 이상헌 대한민국 부산광역시 금정구
3 전성란 대한민국 전라북도 전주시 덕진구
4 김광철 대한민국 광주광역시 광산구
5 이승재 대한민국 전라북도 전주시 덕진구
6 김윤석 대한민국 서울특별시 강북구
7 김재범 대한민국 광주광역시 광산구
8 백종협 대한민국 대전광역시 서구
9 유영문 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 황이남 대한민국 서울시 송파구 법원로 ***, ****호 (문정동, 대명벨리온지식산업센터)(아시아나국제특허법률사무소)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국광기술원 대한민국 광주광역시 북구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2006.02.13 수리 (Accepted) 1-1-2006-0104828-03
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2006.10.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2006.11.13 수리 (Accepted) 9-1-2006-0071116-04
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2006.12.08 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0733870-33
5 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2007.02.08 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2007-0120090-14
6 의견서
Written Opinion		 2007.02.08 수리 (Accepted) 1-1-2007-0120092-16
7 등록결정서
Decision to grant		 2007.03.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0131326-09
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.07.03 수리 (Accepted) 4-1-2020-5148105-81
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.07.09 수리 (Accepted) 4-1-2020-5153634-39
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
발광소자에 있어서, 꼭지점을 구비하도록 패터닝된 기판; 상기 기판 상부에 형성된 제 1질화물 박막; 및상기 제 1질화물 박막 중 꼭지점의 상부에 해당되는 부위 상에 패터닝된 유전체막을 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자
2 2
제 1항에 있어서, 상기 기판은 실리콘, 실리콘카바이드 및 사파이어 중 선택되는 1종 이상의 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자
3 3
제 1항에 있어서, 상기 꼭지점을 가지는 패턴의 평면은 원형, 삼각형, 사각형 및 다각형 중 선택되는 1종의 형상을 구비하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자
4 4
삭제
5 5
제 1항에 있어서, 상기 제 1질화물 박막 중 하부에 기판에 형성된 꼭지점이 위치한 부분은 선택적으로 식각되는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자
6 6
제 1항에 있어서, 상기 제 1질화물 박막 중 하부에 기판에 형성된 꼭지점이 위치한 부분은 하부에 위치한 꼭지점의 일부와 동시에 선택적으로 식각되는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자
7 7
삭제
8 8
제 1항에 있어서, 상기 유전체막은 단일층으로 구성되는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자
9 9
제 1항에 있어서, 상기 유전체막은 복층으로 구성되는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자
10 10
제 1항에 있어서, 상기 기판의 패턴 크기는 에서 수십 ㎛ 인 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.