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서브 마운트를 적용하지 않는 고방열기판을 구비한 발광다이오드 패키지

  • 기술번호 : KST2014002103
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 한 개 이상의 발광 다이오드 소자를 이용하여 열 방출 특성이 우수하면서 플립-칩 패키징을 위한 칩을 와이어 본딩 만을 하여도 패키징이 가능한 패키지 구조에 관한 것으로써, 열을 발생시키는 발광 다이오드 칩을 열 전도성이 높은 고방열 기판에 캐비티(Cavity)를 형성하여 실장 함으로써, 기존 플립-칩 본딩 방식의 발광 다이오드 칩을 와이어 본딩 만으로도 패키징이 가능하며, 전기 배선부와 열 방출부를 분리하여 열 방출을 극대화할 수 있다. 열 방출 특성을 높이기 위하여 와이어 본딩이 가능하도록 캐비티를 형성한 열 전도성이 높은 고방열 기판; 상기 캐비티의 상면은 발광 다이오드가 실장이 가능하도록 화학적인 건식 및 습식 식각 후 발광 다이오드 외곽부의 전면이 접착 될 수 있도록 기계적인 가공; 상기 고방열 기판의 배면에 전원과 입출력 신호를 인가하면서 발광 다이오드의 전극 패드로부터 와이어 본딩이 가능하도록 캐비티가 형성된 배선 기판; 상기 배선기판은 저온 소성 세라믹 기판(LTCC : Low Temperature Co-fired Ceramic), 고온 소성 세라믹 기판(HTCC : High Temperature Co-fired Ceramic), PCB(Printed Circuit Board) 등의 배선 형성이 가능한 모든 기판; 와이어 본딩 후 기계적 및 화학적 충격과 이물에 의한 단락을 방지하기 위해 캐비티를 매립하기 위한 몰딩제; 상기 열 전도성이 높은 고방열 기판 위에 발광 다이오드로부터 산란된 빛을 반사하기 위한 반사컵; 상기 발광 다이오드 칩의 외곽부는 고방열 기판과 단락이 되지 않도록 하기 위하여 절연 매질을 증착한 절연층(Passivation Layer); 상기 절연층 위에 고방열 기판과 접착력을 높이기 위하여 도금 또는 증착되는 금속층(Metal Layer)을 가지는 것을 그 특징으로 한다.발광다이오드, 패키지, 서브마운트
Int. CL H01L 33/64 (2010.01.01) H01L 33/62 (2010.01.01) H01L 33/10 (2010.01.01) H01L 33/20 (2010.01.01)
CPC H01L 33/64(2013.01) H01L 33/64(2013.01) H01L 33/64(2013.01) H01L 33/64(2013.01) H01L 33/64(2013.01)
출원번호/일자 1020050114256 (2005.11.28)
출원인 한국광기술원
등록번호/일자 10-0726969-0000 (2007.06.04)
공개번호/일자 10-2007-0055814 (2007.05.31) 문서열기
공고번호/일자 (20070614) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2005.11.28)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국광기술원 대한민국 광주광역시 북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김영우 대한민국 광주광역시 광산구
2 박승현 대한민국 광주 북구
3 이재문 대한민국 광주 북구
4 유영문 대한민국 대전시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 황이남 대한민국 서울시 송파구 법원로 ***, ****호 (문정동, 대명벨리온지식산업센터)(아시아나국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국광기술원 대한민국 광주광역시 북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2005.11.28 수리 (Accepted) 1-1-2005-0689942-74
2 보정요구서
Request for Amendment
2005.12.02 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2005-0121968-88
3 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period
2006.01.02 수리 (Accepted) 1-1-2006-0001764-31
4 서지사항보정서
Amendment to Bibliographic items
2006.01.05 수리 (Accepted) 1-1-2006-0008128-21
5 서지사항보정서
Amendment to Bibliographic items
2006.07.11 수리 (Accepted) 1-1-2006-0494971-15
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2006.10.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0627611-16
7 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.
2006.11.23 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2006-0862093-19
8 의견서
Written Opinion
2006.11.23 수리 (Accepted) 1-1-2006-0862095-11
9 등록결정서
Decision to grant
2007.04.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0197975-34
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.07.03 수리 (Accepted) 4-1-2020-5148105-81
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.07.09 수리 (Accepted) 4-1-2020-5153634-39
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
빛을 발산하는 발광다이오드; 상기 발광다이오드가 안착되고 상기 발광 다이오드에서 방출되는 고열을 방열하는 고방열기판; 상기 발광 다이오드에 신호를 입력하는 배선기판; 상기 배선기판과 외부회로를 연결하는 범프; 상기 발광 다이오드와 상기 배선기판을 연결하는 와이어본딩; 및 상기 와이어본딩이 외부의 충격에 보호되도록 하는 몰딩부를 포함하는 서브마운트를 적용하지 않는 고방열기판을 구비한 발광다이오드 패키지
2 2
제 1항에 있어서, 상기 배선기판과 상기 범프는 비아홀에 의해 연결되는 것을 특징으로 하는 서브마운트를 적용하지 않는 고방열기판을 구비한 발광다이오드 패키지
3 3
제 1항에 있어서, 상기 고방열기판과 상기 배선기판 사이에는 전기적으로 연결되는 것을 방지하기 위한 고방열기판 절연층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 서브마운트를 적용하지 않는 고방열기판을 구비한 발광다이오드 패키지
4 4
제 1항에 있어서, 상기 배선기판과 상기 범프는 전기적으로 연결되는 것을 방지하기 위한 배선기판 절연층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 서브마운트를 적용하지 않는 고방열기판을 구비한 발광다이오드 패키지
5 5
제 4항에 있어서, 상기 배선기판 절연층은 LTCC, HTCC, PCB의 층간 절연 물질인 세라믹, FR-4, 에폭시 중 선택되는 1종 이상의 물질인 것을 특징으로 하는 서브마운트를 적용하지 않는 고방열기판을 구비한 발광다이오드 패키지
6 6
제 4항 또는 제 5항에 있어서, 상기 배선기판 절연층의 두께는 50㎛ 이하인 것을 특징으로 하는 서브마운트를 적용하지 않는 고방열기판을 구비한 발광다이오드 패키지
7 7
제 1항에 있어서, 상기 고방열기판 상부에는 상기 발광다이오드의 광 발광효율을 증가시키기 위한 반사컵을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 서브마운트를 적용하지 않는 고방열기판을 구비한 발광다이오드 패키지
8 8
제 1항에 있어서, 상기 고방열기판 상부에는 상기 발광다이오드를 안착시키기 위한 캐비티가 형성되는 것을 특징으로 하는 서브마운트를 적용하지 않는 고방열기판을 구비한 발광다이오드 패키지
9 9
제 8항에 있어서, 상기 캐비티는 경사면을 이루어 형성되는 것을 특징으로 하는 서브마운트를 적용하지 않는 고방열기판을 구비한 발광다이오드 패키지
10 10
제 1항에 있어서, 상기 고방열기판 상부는 상기 발광다이오드가 실장되는 면이 니켈, 은, 금 중 선택되는 1종 이상의 물질이 도금되어 있는 것을 특징으로 하는 서브마운트를 적용하지 않는 고방열기판을 구비한 발광다이오드 패키지
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.