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아발란치 광검출기 제조방법

  • 기술번호 : KST2014002105
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 아발란치 광검출기 제조 공정에서 1번의 확산 공정으로 가드링 영역과 본접합 영역을 형성하는 새로운 방식으로서, 기판 상에 광흡수층과 식각중지층이 삽입된 클래드층을 구비하는 화합물 반도체 구조물을 준비하는 단계와, 상기 클래드층 상부에 형성될 본접합 영역의 식각중지층이 노출되도록 상기 식각중지층의 상측에 구비된 클래드층을 식각하는 단계와, 상기 전체 구조 상부에 확산물질층을 형성하되, 상기 본접합 영역과 가드링 영역 상부에 패턴이 잔류하도록 하는 단계와, 상기 클래드층의 식각깊이에 따라 상기 본접합 영역과 상기 부유 가드링 영역에서의 확산 깊이가 서로 다르도록, 상기 확산물질층을 확산시키는 단계와, 상기 확산물질층의 패턴 및 상기 식각중지측의 상측에 구비된 클래드층을 제거한 후, 상기 본접합 영역 상에 형성된 식각중지층을 선택적으로 제거하는 단계를 포함함으로써, 식각 깊이의 조절이 용이하고, 식각된 표면이 평탄하여 공정수율을 증가시킬 수 있는 효과가 있다.식각중지층, 확산물질층, 아발란치 광검출기
Int. CL H01L 31/107 (2006.01.01) H01L 31/0304 (2006.01.01) H01L 31/0236 (2006.01.01) H01L 31/18 (2006.01.01)
CPC H01L 31/107(2013.01) H01L 31/107(2013.01) H01L 31/107(2013.01) H01L 31/107(2013.01)
출원번호/일자 1020060088645 (2006.09.13)
출원인 한국광기술원
등록번호/일자 10-0837808-0000 (2008.06.05)
공개번호/일자 10-2008-0024369 (2008.03.18) 문서열기
공고번호/일자 (20080613) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2006.09.13)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국광기술원 대한민국 광주광역시 북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 류상완 대한민국 광주 북구
2 김회종 대한민국 광주 북구
3 김효진 대한민국 광주 북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 정태훈 대한민국 서울특별시 송파구 법원로 ***, A동 ****호(문정동, 엠스테이트)(특허법인 티앤아이)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국광기술원 대한민국 광주광역시 북구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2006.09.13 수리 (Accepted) 1-1-2006-0661890-88
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2007.10.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0567748-11
3 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2007.11.15 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2007-0820359-20
4 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2007.11.15 수리 (Accepted) 1-1-2007-0820325-89
5 등록결정서
Decision to grant		 2008.03.06 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0128313-79
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.07.03 수리 (Accepted) 4-1-2020-5148105-81
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.07.09 수리 (Accepted) 4-1-2020-5153634-39
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
(a) 기판 상에 광흡수층과 식각중지층이 삽입된 클래드층을 구비하는 화합물 반도체 구조물을 준비하는 단계;(b) 상기 클래드층 상부에 형성될 본접합 영역의 식각중지층이 노출되도록 상기 식각중지층의 상측에 구비된 클래드층을 식각하는 단계;(c) 상기 노출된 식각중지층을 포함한 상기 클래드층의 상부에 확산물질층을 형성하되, 상기 본접합 영역과 가드링 영역 상부에 패턴이 잔류하도록 하는 단계;(d) 상기 클래드층의 식각깊이에 따라 상기 본접합 영역과 상기 부유 가드링 영역에서의 확산 깊이가 서로 다르도록, 상기 확산물질층을 확산시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 아발란치 광검출기의 제조방법
2 2
제1 항에 있어서, 상기 단계(a)에서,상기 클래드층은 InP물질이고, 상기 식각중지층은 InGaAs 또는 InGaAsP 물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 아발란치 광검출기의 제조방법
3 3
제2 항에 있어서, 상기 식각중지층의 Ga 및/또는 As의 비율은 30 내지 100%인 것을 특징으로 하는 아발란치 광검출기의 제조방법
4 4
제1 항에 있어서, 상기 식각중지층의 두께는 10nm 내지 1000 nm로 형성하는 것을 특징으로 하는 아발란치 광검출기의 제조방법
5 5
제1 항에 있어서, 상기 식각중지층의 두께는 0
6 6
제1 항에 있어서, 상기 단계(c)에서,상기 클래드층 상부에 상기 확산물질층을 형성할 때 상기 확산물질층의 가장자리 일부는 상기 클래드층을 덮는 구조로 형성하는 것을 특징으로 하는 아발란치 광검출기의 제조방법
7 7
제1 항에 있어서, 상기 단계(d)이후에,(e) 상기 확산물질층의 패턴 및 상기 식각중지측의 상측에 구비된 클래드층을 제거한 후, 상기 본접합 영역 상에 형성된 식각중지층을 선택적으로 제거하는 단계를 더 포함하는 아발란치 광검출기의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.