맞춤기술찾기

홈으로 가기
맞춤기술찾기
이전대상기술
프린트하기

이전대상기술

실리콘 기반 질화물계 반도체 발광다이오드 제조방법 및 이에 따른 발광 다이오드

  • 기술번호 : KST2014002108
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
상담신청 PDF 받기
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 실리콘 기반 질화물계 반도체 발광다이오드 제조방법 및 이에 따른 발광 다이오드에 관한 것으로서, 특히 실리콘 기판을 기용한 질화물계 발광다이오드 제작에 있어서 기판의 일부를 식각하여 금속 반사막을 증착함으로서 발광다이오드의 전기적 특성과 발광효율을 높이는 발광다이오드 제조방법에 관한 것이다. 본 발명의 실리콘기반 질화물계 발광다이오드 제작방법은 기판 상부에 질화물계 발광다이오드를 성장시키는 단계; 및 기판에 하부에 반사막을 증착하는 단계를 포함한다. 상기 본 발명에 따른 실리콘 기반 질화물계 발광다이오드는 전력소모를 줄이고 고휘도 구현을 가능하게 한다.발광다이오드, 반사막, 오믹
Int. CL H01L 33/10 (2010.01.01) H01L 33/20 (2010.01.01) H01L 33/64 (2010.01.01)
CPC H01L 33/10(2013.01) H01L 33/10(2013.01) H01L 33/10(2013.01) H01L 33/10(2013.01) H01L 33/10(2013.01) H01L 33/10(2013.01)
출원번호/일자 1020060054036 (2006.06.15)
출원인 한국광기술원
등록번호/일자 10-0785494-0000 (2007.12.06)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20071213) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2006.06.15)
심사청구항수 9

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국광기술원 대한민국 광주광역시 북구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 백종협 대한민국 대전광역시 서구
2 김광철 대한민국 광주광역시 광산구
3 이상헌 대한민국 부산광역시 금정구
4 김윤석 대한민국 서울특별시 강북구
5 이승재 대한민국 전라북도 전주시 덕진구
6 김상묵 대한민국 광주광역시 서구
7 전성란 대한민국 전라북도 전주시 덕진구
8 유영문 대한민국 대전시 유성구
9 염홍서 대한민국 서울특별시 마포구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 황이남 대한민국 서울시 송파구 법원로 ***, ****호 (문정동, 대명벨리온지식산업센터)(아시아나국제특허법률사무소)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국광기술원 대한민국 광주광역시 북구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2006.06.15 수리 (Accepted) 1-1-2006-0420287-25
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2007.07.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0396439-41
3 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2007.09.27 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2007-0697154-14
4 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2007.09.27 수리 (Accepted) 1-1-2007-0697155-60
5 등록결정서
Decision to grant		 2007.11.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0630931-27
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.07.03 수리 (Accepted) 4-1-2020-5148105-81
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.07.09 수리 (Accepted) 4-1-2020-5153634-39
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
질화물계 발광다이오드 제작방법에 있어서,기판 상부에 질화물계 발광다이오드를 성장시키는 단계; 및기판에 하부에 반사막을 증착하는 단계를 포함하는 실리콘기반 질화물계 발광다이오드 제작방법
2 2
제 1항에 있어서, 상기 기판 상부에 질화물계 발광다이오드를 성장시킨 이후 웨이퍼를 박판화(thinning)하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘기반 질화물계 발광다이오드 제작방법
3 3
제 1항에 있어서, 상기 기판 상부에 질화물계 발광다이오드를 성장시키는 단계 이후에는 기판에 비아홀(via hole)을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘기반 질화물계 발광다이오드 제작방법
4 4
제 3항에 있어서, 상기 비아홀은 노광공정을 통해서 형성되는 것을 특징으로 하는 실리콘기반 질화물계 발광다이오드 제작방법
5 5
제 3항에 있어서, 상기 비아홀은 건식 식각법 또는 습식 식각법으로 형성되는 것을 특징으로 하는 실리콘기반 질화물계 발광다이오드 제작방법
6 6
제 5항에 있어서, 상기 습식 식각법은 질산 또는 불산을 이용하는 것을 특징으로 하는 실리콘기반 질화물계 발광다이오드 제작방법
7 7
제 3항에 있어서, 상기 비아홀은 기판과 동일한 두께의 깊이로 형성되는 것을 특징으로 하는 실리콘기반 질화물계 발광다이오드 제작방법
8 8
삭제
9 9
제 3항에 있어서, 상기 비아홀의 평면형상은 원형 또는 다각형의 형상인 것을 특징으로 하는 실리콘기반 질화물계 발광다이오드 제작방법
10 10
제 1항에 있어서, 상기 반사막은 Ti, Cr, Au, Al, Ni 중 선택되는 1종 이상의 금속인 것을 특징으로 하는 실리콘기반 질화물계 발광다이오드 제작방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.