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기판 상부에 포토레지스트를 도포하고 소정의 패턴을 형성하는 단계;상기 포토레지스트를 마스크로 하여 상기 기판을 식각한 후 상기 포토레지스트를 제거하여 패터닝 하는 단계;상기 패터닝 된 기판의 상부에 질화물계 박막층을 성장시키는 단계;상기 질화물계 박막층 상부에 오믹금속, 반사금속 및 본딩금속을 차례로 적층하는 단계;상기 본딩금속의 상부에 본딩금속이 증착된 캐리어 웨이퍼를 증착하는 단계; 및상기 기판 및 질화물계 박막층을 제거하고, 오믹접합금속을 형성하는 단계를 포함하는 웨이퍼 본딩 공정을 이용한 실리콘 기반 발광다이오드 제조방법
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제 1항에 있어서, 상기 포토레지스트는 포지티브, 네가티브, 이미지 리버스 형 중 어느 하나의 물질을 사용하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 본딩 공정을 이용한 실리콘 기반 발광다이오드 제조방법
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제 1항에 있어서, 상기 패턴의 형상은 원, 직선형, 정사각형, 다각형 형상 중 적어도 하나 이상의 형태를 가지는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 본딩 공정을 이용한 실리콘 기반 발광다이오드 제조방법
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제 3항에 있어서, 상기 소정의 패턴이 사각형의 형태를 형성하는 경우 선 폭의 길이는 0
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제 3항에 있어서, 상기 소정의 패턴이 사각형의 형태를 형성하는 경우 선폭간격은 0
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제 1항에 있어서, 상기 포토레지스트는 용제세척법 또는 건식세척법을 이용하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 본딩 공정을 이용한 실리콘 기반 발광다이오드 제조방법
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제 6항에 있어서, 상기 용제세척법을 이용하는 경우 용제는 H2SO4:H2O2 인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 본딩 공정을 이용한 실리콘 기반 발광다이오드 제조방법
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제 6항에 있어서, 건식세척법을 이용하는 경우 Ar 와 산소 등의 혼합기체를 이용한 플라즈마 제거기를 이용하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 본딩 공정을 이용한 실리콘 기반 발광다이오드 제조방법
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제 1항에 있어서, 상기 질화물계 박막층은 3족 원자를 포함하는 기체와 질소 원자를 포함하는 기체를 원료로 하여 형성되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 본딩 공정을 이용한 실리콘 기반 발광다이오드 제조방법
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제 9항에 있어서, 상기 3족 원자를 포함하는 기체는 트리메틸인듐(TMIn), 트리메틸갈륨(TMGa), 트리메닐알루미늄(TMAl) 중 선택되는 1종 이상의 기체인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 본딩 공정을 이용한 실리콘 기반 발광다이오드 제조방법
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제 9항에 있어서, 상기 질소 원자를 포함하는 기체는 암모니아(NH3) 또는 하이드라진(H2NNH2)을 이용하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 본딩 공정을 이용한 실리콘 기반 발광다이오드 제조방법
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제 1항에 있어서, 상기 질화물계 박막층을 성장시키는 방법은 화학기상증착법(CVD), 분자선증착법(MBE), 플라즈마화학기상증착법(PCVD) 및 스퍼터링법 중 선택되는 1종의 방법인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 본딩 공정을 이용한 실리콘 기반 발광다이오드 제조방법
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제 1항에 있어서, 상기 질화물계 박막층은 InxGayAlzN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤z≤1, x+y+z=1) 의 조성을 가지는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 본딩 공정을 이용한 실리콘 기반 발광다이오드 제조방법
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제 1항에 있어서, 상기 오믹금속은 Ni/Au, ITO, ZnO 등 선택되는 1종 이상의 금속을 이용하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 본딩 공정을 이용한 실리콘 기반 발광다이오드 제조방법
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제 1항에 있어서, 상기 반사금속은 Pt, Al, W/Pt, Pd, Ag 중 선택되는 1종 이상의 금속을 이용하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 본딩 공정을 이용한 실리콘 기반 발광다이오드 제조방법
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제 1항에 있어서, 상기 본딩금속은 Au/Ti, AuSn/Ti, AuGe/Ti, Au/Cr, AuSn/Cr, AuGe/Cr, InAu/Ti, InAu/Cr, GaAu/Ti, GaAu/Cr 중 선택되는 1종 이상의 금속을 이용하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 본딩 공정을 이용한 실리콘 기반 발광다이오드 제조방법
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제 1항에 있어서, 상기 기판 및 질화물계 박막층을 제거하는 방법은 습식식각법, 기계적 식각법, 건식식각법 중 1종의 방법을 이용하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 본딩 공정을 이용한 실리콘 기반 발광다이오드 제조방법
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제 17항에 있어서, 상기 습식식각법은 KOH, HF+HNO3, HF+HNO3+CH3COOH 중 어느 하나의 용액을 이용하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 본딩 공정을 이용한 실리콘 기반 발광다이오드 제조방법
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제 17항에 있어서, 상기 기계적 식각법은 다이아몬드 슬러리와 알루미나 슬러리를 이용하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 본딩 공정을 이용한 실리콘 기반 발광다이오드 제조방법
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제 17항에 있어서, 상기 건식식각법은 XeF2, Cl2, SF6, C2F6+Cl2, CClF5, ClF3 중 선택되는 1종 이상의 기체를 이용하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 본딩 공정을 이용한 실리콘 기반 발광다이오드 제조방법
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