| 1 |
1
칩이 기울어진 상태에서 건식식각법을 수행하여 형성된 기울어진 경사면을 가지고 발광층에서 생성된 광자의 내부 전반사율을 낮추는 기울어진 경사면을 포함하는 칩과, 상기 경사면으로 성형된 칩에서 탈출한 광자를 윗 방향으로 재반사하도록 칩의 표면에 증착된 반사용 금속을 포함하는 것을 특징으로 하는 경사식각된 발광다이오드
|
| 2 |
2
삭제
|
| 3 |
3
제 1항에 있어서, 상기 기울어진 경사면의 각도는 0°초과 90°미만인 것을 특징으로 하는 경사식각된 발광다이오드
|
| 4 |
4
삭제
|
| 5 |
5
삭제
|
| 6 |
6
제 1항에 있어서, 상기 기울어진 경사면을 포함하는 칩 형상은 상기 칩이 기울어진 상태에서 스텝 회전 또는 연속 회전하면서 건식식각법을 수행하여 이루어지는 다각기둥 또는 원기둥의 형상을 포함하는 것을 특징으로 하는 경사식각된 발광다이오드
|
| 7 |
7
삭제
|
| 8 |
8
제 1항에 있어서, 상기 반사용 금속은 가시광선, 적외선, 자외선 파장 영역에서 반사율이 높은 금속인 것을 특징으로 하는 경사식각된 발광다이오드
|
| 9 |
9
제 1항에 있어서, 상기 반사용 금속은 니켈(Ni), 알루미늄(Al), 금(Au), 은(Ag), 팔라듐(Pd), 백금(Pt) 중에서 선택된 어느 하나의 금속인 것을 특징으로 하는 경사식각된 발광다이오드
|
| 10 |
10
기판 위에 에피택시 박막을 성장시키는 단계;상기 에피택시 증착층 위에 감광액(Photo-Resist, PR)을 도포하고 패턴대로 노광 및 현상하는 단계; 및상기 칩을 0°초과 90°미만의 각도로 기울인 상태에서 스텝 회전 또는 연속 회전하면서 건식식각법을 수행하여 기울어진 경사면을 포함하도록 식각하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 경사식각된 발광다이오드의 제조방법
|
| 11 |
11
제 10항에 있어서, 상기 식각하는 단계 이후에 상기 성형된 칩의 표면에 반사용 금속을 증착하는 단계를 더 포함하되, 상기 반사용 금속은 가시광선, 적외선, 자외선 파장 영역에서 반사율이 높은 금속인 것을 특징으로 하는 경사식각된 발광다이오드의 제조방법
|
| 12 |
12
제 11항에 있어서, 상기 반사용 금속은 니켈(Ni), 알루미늄(Al), 금(Au), 은(Ag), 팔라듐(Pd), 백금(Pt) 중에서 선택된 어느 하나의 금속인 것을 특징으로 하는 경사식각된 발광다이오드의 제조방법
|
| 13 |
13
제 10항에 있어서, 상기 건식식각법은 반응 이온 식각법(Reactive Ion Etching, RIE), 축전 결합형 플라즈마 식각법(Capacitively Coupled Plasma, CCP), 유도 결합형 플라즈마 식각법(Inductively Coupled Plasma, ICP), 전자 공명 플라즈마 식각법(Electron Cyclotron Resonance, ECR) 중에서 선택된 어느 하나의 방법인 것을 특징으로 하는 경사식각된 발광다이오드의 제조방법
|
