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아발란치 광검출기 제조 공정에서 이용되는 확산방법

  • 기술번호 : KST2014002115
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 아발란치 광검출기 제조 공정에서 1번의 확산 공정으로 가드링 영역과 본접합 영역을 형성하는 새로운 방식의 확산방법으로서, 클래드층 상부에 본접합 영역을 개방하는 확산조절층의 패턴을 형성하고, 전체 구조 상부에 확산물질층을 형성하되, 본접합 영역과 가드링 영역 상부에 패턴이 잔류하도록 하고, 본접합 영역과 부유 가드링 영역에서의 확산 깊이가 서로 다르도록 확산물질층을 확산시키는 확산방법을 제공한다.확산조절층, 확산물질층, 아발란치 광검출기
Int. CL H01L 31/107 (2006.01.01) H01L 31/109 (2006.01.01) H01L 31/18 (2006.01.01) H01L 31/0304 (2006.01.01)
CPC H01L 31/107(2013.01) H01L 31/107(2013.01) H01L 31/107(2013.01) H01L 31/107(2013.01)
출원번호/일자 1020050089249 (2005.09.26)
출원인 한국광기술원
등록번호/일자 10-0790020-0000 (2007.12.21)
공개번호/일자 10-2007-0034747 (2007.03.29) 문서열기
공고번호/일자 (20080102) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2005.09.26)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국광기술원 대한민국 광주광역시 북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 류상완 대한민국 광주 북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 정태훈 대한민국 서울특별시 송파구 법원로 ***, A동 ****호(문정동, 엠스테이트)(특허법인 티앤아이)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국광기술원 대한민국 광주 북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2005.09.26 수리 (Accepted) 1-1-2005-0536486-12
2 보정요구서
Request for Amendment
2005.10.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2005-0099718-18
3 서지사항보정서
Amendment to Bibliographic items
2005.10.18 불수리 (Non-acceptance) 1-1-2005-0588554-71
4 서류반려이유안내서
Notice of Reason for Return of Document
2005.10.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2005-0108028-35
5 서지사항보정서
Amendment to Bibliographic items
2005.10.27 수리 (Accepted) 1-1-2005-0613792-18
6 서류반려안내서
Notification for Return of Document
2005.11.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2005-0121286-58
7 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2006.09.07 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
8 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2006.10.16 수리 (Accepted) 9-1-2006-0065448-50
9 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2006.10.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0635158-77
10 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.
2007.01.02 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2007-0001607-16
11 의견서
Written Opinion
2007.01.02 수리 (Accepted) 1-1-2007-0001629-10
12 등록결정서
Decision to grant
2007.03.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0155561-73
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.07.03 수리 (Accepted) 4-1-2020-5148105-81
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.07.09 수리 (Accepted) 4-1-2020-5153634-39
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
아발란치 광검출기 제조 공정에서 이용되는 확산방법에 있어서, 기판 상에 광흡수층과 클래드층을 구비하는 화합물 반도체 구조물을 준비하는 단계; 상기 클래드층 상부에 본접합 영역을 개방하는 확산조절층의 패턴을 형성하는 단계;상기 전체 구조 상부에 확산물질층을 형성하되, 상기 본접합 영역과 가드링 영역 상부에 패턴이 잔류하도록 하는 단계; 및상기 본접합 영역과 상기 부유 가드링 영역에서의 확산 깊이가 서로 다르도록, 상기 확산물질층을 확산시키는 단계를 구비하되,상기 확산조절층은 n형 도핑되어 있고,상기 확산조절층은 상기 클래드층과 동일한 물질로 구성하고, 도핑 물질과 그 도핑량의 조절함으로써, 상기 확산물질층의 확산시 상기 확산조절층을 통과하는 경우는 확산 깊이가 작아지도록 하는 것을 특징으로 하는 아발란치 광검출기 제조공정에서 이용되는 확산방법
2 2
제1 항에 있어서,상기 확산조절층 상부에 상기 확산 물질층을 형성할 때 상기 확산물질층의 가장자리 일부는 상기 확산조절층을 덮는 구조로 형성하는 아발란치 광검출기 제조공정에서 이용되는 확산방법
3 3
삭제
4 4
아발란치 광검출기 제조 공정에서 이용되는 확산방법에 있어서, 기판 상에 광흡수층과 클래드층을 구비하는 화합물 반도체 구조물을 준비하는 단계; 상기 클래드층 상부에 본접합 영역을 개방하는 확산조절층의 패턴을 형성하는 단계;상기 전체 구조 상부에 확산물질층을 형성하되, 상기 본접합 영역과 가드링 영역 상부에 패턴이 잔류하도록 하는 단계; 및상기 본접합 영역과 상기 부유 가드링 영역에서의 확산 깊이가 서로 다르도록, 상기 확산물질층을 확산시키는 단계를 구비하고,상기 클래드층이 InP 물질로 이루어진 경우, 상기 확산조절층은 InGaAs 또는 InGaAsP 물질로 이루어 지고,상기 확산조절층은 n 도핑되어 있는 아발란치 광검출기 제조공정에서 이용되는 확산방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.