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반도체 막대를 구비하는 태양전지, 이의 제조방법 및 태양전지-열전소자 통합 모듈

  • 기술번호 : KST2014002791
  • 담당센터 : 인천기술혁신센터
  • 전화번호 : 032-420-3580
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 반도체 막대를 구비하는 태양 전지, 이의 제조방법, 및 태양 전지 - 열전 소자 통합 모듈을 제공한다. 상기 태양 전지는 기판 상에 돌출된 반도체 막대를 구비한다. 상기 반도체 막대는 차례로 적층된 조성이 다른 복수의 화합물 박막들을 구비하되, 상기 화합물 박막들의 중앙부들은 제1 도전형 반도체 코어를 형성하고, 상기 화합물 박막들의 단부들은 제2 도전형 반도체 쉘을 형성한다. 상기 제1 도전형 반도체 코어에 제1 PV 전극이 전기적으로 접속한다. 상기 제2 도전형 반도체 쉘에 제2 PV 전극이 전기적으로 접속한다.
Int. CL H01L 31/0352 (2006.01.01) H01L 31/068 (2006.01.01) H01L 31/18 (2006.01.01) H01L 31/0525 (2014.01.01) H01L 31/0224 (2006.01.01)
CPC H01L 31/035227(2013.01) H01L 31/035227(2013.01) H01L 31/035227(2013.01) H01L 31/035227(2013.01) H01L 31/035227(2013.01) H01L 31/035227(2013.01) H01L 31/035227(2013.01)
출원번호/일자 1020080125440 (2008.12.10)
출원인 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1039208-0000 (2011.05.30)
공개번호/일자 10-2010-0066922 (2010.06.18) 문서열기
공고번호/일자 (20110603) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.12.10)
심사청구항수 22

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이정호 대한민국 서울특별시 도봉구
2 지상원 대한민국 경기도 안산시 상록구
3 엄한돈 대한민국 서울특별시 종로구
4 서홍석 대한민국 인천광역시 부평구
5 박광태 대한민국 경기도 성남시 수정구
6 정진영 대한민국 울산광역시 북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인이상 대한민국 서울특별시 서초구 바우뫼로 ***(양재동, 우도빌딩 *층)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 에리카산학협력단 경기도 안산시 상록구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2008.12.10 수리 (Accepted) 1-1-2008-0851175-87
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2010.04.09 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2010.05.19 수리 (Accepted) 9-1-2010-0031268-25
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2010.09.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0416080-17
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2010.10.12 재발송완료 (Re-dispatched) 9-5-2010-0453233-18
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2010.11.02 재발송완료 (Re-dispatched) 9-5-2010-0497050-79
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.01.03 수리 (Accepted) 1-1-2011-0000389-17
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.01.03 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0000405-50
9 등록결정서
Decision to grant		 2011.05.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0285831-94
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.06.05 수리 (Accepted) 4-1-2014-5068294-39
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.16 수리 (Accepted) 4-1-2015-5022074-70
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5155816-75
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.06 수리 (Accepted) 4-1-2019-5156285-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판 상에 서있고 제1 도전형 반도체 코어와 이를 둘러싸는 제2 도전형 반도체 쉘을 구비하는 다수 개의 반도체 막대들, 상기 각 반도체 막대는 차례로 적층된 조성이 다른 복수의 화합물 박막들을 구비하되 상기 화합물 박막들의 중앙부들은 상기 제1 도전형 반도체 코어를 형성하고 상기 화합물 박막들의 단부들은 상기 제2 도전형 반도체 쉘을 형성하여, 상기 각 반도체 막대는 상기 제1 도전형 반도체 코어와 상기 제2 도전형 반도체 쉘 사이에 형성된 밴드갭이 서로 다른 다층의 PN 접합들을 구비하고; 상기 제1 도전형 반도체 코어에 전기적으로 연결된 제1 전극; 및 상기 제2 도전형 반도체 쉘에 전기적으로 연결된 제2 전극을 포함하는 태양전지
2 2
제1항에 있어서, 상기 반도체 막대의 하부영역에 위치한 화합물 박막의 밴드갭은 상기 반도체 막대의 상부영역에 위치한 화합물 박막의 밴드갭에 비해 좁은 태양전지
3 3
제1항에 있어서, 상기 화합물 박막들은 Si1-XGeX 박막들로서, 상기 X는 상기 반도체 막대의 하단에서 상단에 이르기까지 0
4 4
제3항에 있어서, 상기 X는 상기 반도체 막대의 하단에서 상단에 이르기까지 0
5 5
제1항에 있어서, 상기 제1 도전형 반도체 코어는 P형 반도체이고, 상기 제2 도전형 반도체 쉘은 N형 반도체인 태양 전지
6 6
기판 상에 서있는 다수 개의 제1 도전형 반도체 막대들을 형성하되, 상기 각 제1 도전형 반도체 막대는 차례로 적층된 조성이 다른 복수의 화합물 박막들을 구비하고; 상기 각 제1 도전형 반도체 막대의 표면 내에 제2 도전형 이온을 도핑하여 제1 도전형 반도체 코어와 이를 둘러싸는 제2 도전형 반도체 쉘을 형성하여, 상기 제1 도전형 반도체 코어와 상기 제2 도전형 반도체 쉘 사이에 밴드갭이 서로 다른 다층의 PN 접합들을 형성하고; 상기 제1 도전형 반도체 코어에 전기적으로 접속하는 제1 전극을 형성하는 단계; 및 상기 제2 도전형 반도체 쉘에 전기적으로 접속하는 제2 전극을 형성하는 단계를 포함하는 태양 전지 제조방법
7 7
제6항에 있어서, 상기 제2 도전형 이온을 도핑하는 것은 플라즈마 이온 도핑법 또는 단층 도핑법을 사용하여 수행하는 태양 전지 제조방법
8 8
제6항에 있어서, 상기 제1 도전형 반도체 막대들을 형성하는 것은 상기 기판 상에 차례로 적층된 조성이 다른 복수의 화합물 박막들을 구비하는 화합물 반도체층을 형성하는 단계; 상기 화합물 반도체층 상에 산화유도 패턴을 형성하는 단계; 및 상기 산화유도 패턴과 상기 화합물 반도체층을 전해질에 접촉시키는 단계를 포함하는 태양 전지 제조방법
9 9
제6항에 있어서, 상기 제1 도전형 반도체 막대들은 VLS(Vaphor-Liquid-Solid phase)법을 사용하여 형성하는 태양 전지 제조방법
10 10
기판 상에 서있고 제1 도전형 반도체 코어와 이를 둘러싸는 제2 도전형 반도체 쉘을 구비하는 다수 개의 반도체 막대들, 상기 제1 도전형 반도체 코어에 전기적으로 접속하는 제1 태양전지 전극; 및 상기 제2 도전형 반도체 쉘에 전기적으로 접속하는 제2 태양전지 전극을 구비하되, 상기 각 반도체 막대는 차례로 적층된 조성이 다른 복수의 화합물 박막들을 구비하되 상기 화합물 박막들의 중앙부들은 상기 제1 도전형 반도체 코어를 형성하고 상기 화합물 박막들의 단부들은 상기 제2 도전형 반도체 쉘을 형성하고, 상기 각 반도체 막대는 상기 제1 도전형 반도체 코어와 상기 제2 도전형 반도체 쉘 사이에 형성된 밴드갭이 서로 다른 다층의 PN 접합들을 구비하고; 및 상기 태양 전지 하부에 위치하고, 양극, 음극, 및 상기 양극과 상기 음극 사이에서 전기적으로 직렬 연결된 P형 반도체 기둥 및 N형 반도체 기둥을 구비하는 제베크 소자(seebeck device)를 포함하는 태양 전지-열전 소자 통합 모듈
11 11
제10항에 있어서, 상기 반도체 막대들 사이에 위치하는 투명도전막을 더 포함하고, 상기 제2 전극은 상기 투명도전막 상에 위치하는 태양 전지-열전 소자 통합 모듈
12 12
제10항에 있어서, 상기 태양 전지와 상기 제베크 소자 사이에 위치하는 열전달층을 더 포함하는 태양 전지-열전 소자 통합 모듈
13 13
제12항에 있어서, 상기 열전달층은 금속 질화막, 금속 탄화막, 금속 산화막 또는 수지막인 태양 전지-열전 소자 통합 모듈
14 14
제10항에 있어서, 상기 P형 반도체 기둥과 상기 N형 반도체 기둥은 초격자 구조층, 나노 복합체층 또는 나노결정 벌크 합금층인 태양 전지-열전 소자 통합 모듈
15 15
제10항에 있어서, 상기 기판 및 상기 제1 도전형 반도체 코어는 P형 반도체이고, 상기 제2 도전형 반도체 쉘은 N형 반도체인 태양 전지-열전 소자 통합 모듈
16 16
제10항에 있어서, 상기 태양 전지와 상기 제베크 소자는 전기적으로 병렬 연결된 태양 전지-열전 소자 통합 모듈
17 17
제16항에 있어서, 상기 제1 도전형 반도체 코어는 P형 반도체이고, 상기 제2 도전형 반도체 쉘은 N형 반도체이고, 상기 제베크 소자의 양극은 상기 제1 태양전지 전극과 전기적으로 연결되고, 상기 제베크 소자의 음극은 상기 제2 태양전지 전극과 전기적으로 연결된 태양 전지-열전 소자 통합 모듈
18 18
제1항에 있어서, 상기 반도체 막대들 사이에 위치하는 투명도전막을 더 포함하고, 상기 제2 전극은 상기 투명도전막 상에 위치하는 태양 전지
19 19
제6항에 있어서, 상기 제2 전극을 형성하기 전에, 상기 반도체 막대들 사이의 공간을 채우는 투명도전막을 형성하는 단계를 더 포함하고, 상기 제2 전극은 상기 투명도전막 상에 형성하는 태양 전지 제조방법
20 20
기판 상에 서있고 제1 도전형 반도체 코어와 이를 둘러싸는 제2 도전형 반도체 쉘을 구비하는 다수 개의 반도체 막대들, 상기 각 반도체 막대는 상기 제1 도전형 반도체 코어와 상기 제2 도전형 반도체 쉘 사이에 형성되고 밴드갭이 서로 다른 다층의 PN 접합들을 구비하고, 상기 제1 도전형 반도체 코어에 전기적으로 연결된 제1 전극; 및 상기 제2 도전형 반도체 쉘에 전기적으로 연결된 제2 전극을 포함하는 태양전지
21 21
제20항에 있어서, 상기 반도체 막대의 하부영역에 위치한 PN 접합의 밴드갭은 상기 반도체 막대의 상부영역에 위치한 PN 접합의 밴드갭에 비해 좁은 태양전지
22 22
제20항에 있어서, 상기 반도체 막대들 사이에 위치하는 투명도전막을 더 포함하고, 상기 제2 전극은 상기 투명도전막 상에 위치하는 태양 전지
지정국 정보가 없습니다
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3 US20110240104 US 미국 FAMILY
4 WO2010067958 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY
5 WO2010067958 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

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