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다이플렉서

  • 기술번호 : KST2014002813
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 하나의 안테나를 통해 송신 및 수신되는 제 1 밴드의 신호와 제 2 밴드의 신호를 상호간에 분리하는 다이플렉서를 제공한다.하나의 안테나와 제 1 밴드의 듀플렉서 및 제 2 밴드의 듀플렉서의 사이에 저역통과필터 및 고역통과필터가 각기 구비되고, 그 저역통과필터 및 고역통과필터에는 직렬공진기를 구비하여 상대 대역의 신호를 차단한다. 그리고 다이플렉서를 하나의 칩으로 구현함에 있어서, 커패시터의 두 패턴의 사이에는 고유전율의 유기기판을 사용하여 크기를 줄이고, 인덕터의 패턴은 저유전율의 유기기판에 형성하여 인덕터의 패턴들 사이에서 발생하는 기생 커패시턴스를 감소시킨다.다이플렉서, 듀얼밴드, 단말기, 직렬공진회로, 유기기판, 유전율, 듀플렉서
Int. CL H01P 1/213 (2006.01)
CPC H01P 1/213(2013.01) H01P 1/213(2013.01) H01P 1/213(2013.01) H01P 1/213(2013.01)
출원번호/일자 1020070050872 (2007.05.25)
출원인 전자부품연구원
등록번호/일자 10-0862886-0000 (2008.10.06)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20081013) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.05.25)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자기술연구원 대한민국 경기도 성남시 분당구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 유찬세 대한민국 경기도 안양시 동안구
2 박세훈 대한민국 경기도 성남시 분당구
3 이우성 대한민국 경기도 성남시 분당구
4 김준철 대한민국 경기도 성남시 분당구
5 강남기 대한민국 서울특별시 서초구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 정종옥 대한민국 서울특별시 강남구 논현로**길 **, *층 노벨국제특허법률사무소 (도곡동, 덕영빌딩)
2 조현동 대한민국 서울특별시 강남구 논현로**길 **, *층 (도곡동, 덕영빌딩)(노벨국제특허법률사무소)
3 진천웅 대한민국 서울특별시 강남구 논현로**길 **, *층 노벨국제특허법률사무소 (도곡동, 덕영빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 전자부품연구원 대한민국 경기도 성남시 분당구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2007.05.25 수리 (Accepted) 1-1-2007-0383381-41
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2008.03.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2008.04.16 수리 (Accepted) 9-1-2008-0024506-85
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2008.05.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0291075-86
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2008.06.09 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2008-0408739-58
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2008.06.09 수리 (Accepted) 1-1-2008-0408731-94
7 등록결정서
Decision to grant
2008.09.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0503599-50
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.04.17 수리 (Accepted) 4-1-2013-0013766-37
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.08.24 수리 (Accepted) 4-1-2020-5189497-57
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
안테나 단자와 제 1 밴드의 듀플렉서의 사이에 위치하는 저역통과필터; 및상기 안테나 단자와 제 2 밴드의 듀플렉서의 사이에 위치하는 고역통과필터로 이루어지고,상기 저역통과필터는;상기 안테나 단자와 상기 제 1 밴드의 듀플렉서의 사이에 연결되어 저역신호를 통과시키는 매칭용 인덕터; 및상기 제 1 밴드의 듀플렉서 및 상기 매칭용 인덕터의 접속점과 접지의 사이에 연결되는 제 1 직렬공진기를 포함하고,상기 고역통과필터는;상기 안테나 단자와 상기 제 2 밴드의 듀플렉서의 사이에 연결되어 고역 신호를 통과시키는 매칭용 커패시터; 및상기 제 2 밴드의 듀플렉서 및 상기 매칭용 커패시터의 접속점과 접지의 사이에 연결되는 제 2 직렬공진기를 포함하여 구성된 다이플렉서
2 2
삭제
3 3
제 1 항에 있어서,상기 매칭용 인덕터의 패턴과, 상기 제 1 및 제 2 직렬공진기에 구비되어 있는 인덕터의 패턴은 제 1 층 및 제 3 층 기판에 형성되고,상기 매칭용 커패시터의 제 1 및 제 2 전극 패턴과, 상기 제 1 및 제 2 직렬공진기에 구비되어 있는 커패시터의 제 1 및 제 2 전극 패턴은 제 2 층 기판을 사이에 두고 형성되며;상기 제 3 층 기판의 저면에는 접지패턴이 형성되어 상기 제 1 층 내지 제 3 층 기판은 순차적으로 적층되는 것을 특징으로 하는 다이플렉서
4 4
제 3 항에 있어서, 상기 제 2 층 기판의 유전율은;상기 제 1 층 및 제 3 층 기판의 유전율보다 높은 고유전율을 갖는 것을 특징으로 하는 다이플렉서
5 5
제 3 항 또는 제 4 항에 있어서,상기 제 1 층 및 제 3 층 기판의 유전율은 4이고, 상기 제 2 층 기판의 유전율은 40인 것을 특징으로 하는 다이플렉서
6 6
제 3 항 또는 제 4 항에 있어서, 상기 제 1 층 내지 제 3 층 기판은;유기기판인 것을 특징으로 하는 다이플렉서
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.