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인쇄회로기판 상부에 형성된 IC 기판;상기 IC 기판의 측면에 형성된 광소자 어레이;일측이 상기 IC 기판에 접합된 광소자 어레이의 타측에 형성되며, 상기 광소자 어레이와 광 접속되는 광 도파로 어레이; 및상기 IC 기판의 상부에 형성되며, 상기 광소자 어레이를 구동시키는 구동 회로가 내장된 반도체칩을 포함하여 이루어지는 광전변환모듈
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제1항에 있어서,상기 광 도파로 어레이는 상기 인쇄회로기판에 매립되어 있고, 상기 인쇄회로기판에는 상기 IC 기판을 실장하기 위한 실장용 홈이 형성되어 있으며, 상기 IC 기판은 상기 실장용 홈에 실장되어 인쇄회로기판과 접합되는 것을 특징으로 하는 광전변환모듈
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IC 기판의 측면에 각각 형성된 제1 광소자 어레이 및 제2 광소자 어레이;일측이 상기 IC 기판에 접합된 제1 광소자 어레이의 타측에 형성되며, 상기 제1 광소자 어레이와 광 접속되는 제1 광 도파로 어레이;일측이 상기 IC 기판에 접합된 제2 광소자 어레이의 타측에 형성되며, 상기 제2 광소자 어레이와 광 접속되는 제2 광 도파로 어레이; 및상기 IC 기판의 상부에 형성되며, 상기 제1 광소자 어레이 및 제2 광소자 어레이를 구동시키는 구동 회로가 내장된 반도체칩을 포함하여 이루어지며,상기 제1 광 도파로 어레이 및 제2 광 도파로 어레이는 인쇄회로기판에 매립되어 있고, 상기 인쇄회로기판에는 소정 영역에는 인쇄회로기판을 관통하는 공간부가 형성되어 있으며, 상기 IC 기판은 상기 공간부에 위치하는 것을 특징으로 하는 광전변환모듈
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제1항 내지 제3항 중 어느 하나의 항에 있어서,상기 IC 기판에는 상기 IC 기판의 상부면에서 상기 IC 기판의 측면을 관통하며 도전성 물질이 충진된 복수 개의 관통홀이 형성되어 있고, 상기 반도체칩과 광소자 어레이는 상기 관통홀에 의해 전기적으로 접속되는 것을 특징으로 하는 광전변환모듈
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제1항 내지 제3항 중 어느 하나의 항에 있어서,상기 IC 기판에는 상기 IC 기판의 상부면에서 상기 IC 기판의 측면을 따라 배선 패턴이 형성되어 있고, 상기 반도체칩과 광소자 어레이는 상기 배선 패턴에 의해 전기적으로 접속되는 것을 특징으로 하는 광전변환모듈
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제1항 내지 제3항 중 어느 하나의 항에 있어서,상기 IC 기판의 상부면과 상기 광소자 어레이의 상부면에는 접속 패드 및 상기 접속 패드를 연결하는 본딩 와이어가 형성되어 있고, 상기 반도체칩과 광소자 어레이는 상기 접속 패드 및 본딩 와이어에 의해 전기적으로 접속되는 것을 특징으로 하는 광전변환모듈
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7
제1항 내지 제3항 중 어느 하나의 항에 있어서,상기 광소자 어레이는 플립 칩 본딩 또는 와이어 본딩 방식에 의해 상기 IC 기판의 측면에 형성되는 것을 특징으로 하는 광전변환모듈
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8
제1항 내지 제3항 중 어느 하나의 항에 있어서,상기 반도체칩은 플립 칩 본딩 또는 와이어 본딩 방식에 의해 상기 IC 기판의 상부에 형성되는 것을 특징으로 하는 광전변환모듈
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9
제1항 내지 제3항 중 어느 하나의 항에 있어서,상기 광소자 어레이 및 광 도파로 어레이 사이에 광 투과성 에폭시가 개재되어 광 접속되는 것을 특징으로 하는 광전변환모듈
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10
제9항에 있어서,상기 광소자 어레이는 발광 소자 또는 수광 소자가 M×N 형태로 배열되어 있는 것을 특징으로 하는 광전변환모듈
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제10항에 있어서,상기 광 도파로 어레이는 광 도파로가 상기 M×N 형태로 배열되며, 상기 광 도파로는 상기 광소자 어레이의 광소자와 일대일로 대응되어 광 접속되는 것을 특징으로 하는 광전변환모듈
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제9항에 있어서,상기 광 투과성 에폭시는 1
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제1항 내지 제3항 중 어느 하나의 항에 있어서,상기 IC 기판 상부에 상기 반도체칩을 감싸며 보호 수지가 더 형성된 것을 특징으로 하는 광전변환모듈
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제1항 또는 제2항에 있어서,상기 인쇄회로기판과 IC 기판, IC 기판과 반도체칩, IC 기판과 광소자 어레이 사이에 에폭시가 더 충진되어 있는 것을 특징으로 하는 광전변환모듈
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제3항에 있어서,상기 IC 기판과 상기 인쇄회로기판 사이에 상기 제1 광소자 어레이 및 제2 광소자 어레이를 감싸며 보호 수지가 더 형성된 것을 특징으로 하는 광전변환모듈
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IC 기판의 상부에 반도체칩을 접합하는 단계;상기 IC 기판의 측면에 광소자 어레이를 접합하는 단계;일측이 상기 IC 기판에 접합된 광소자 어레이의 타측에 광 도파로 어레이를 광 접속되도록 접합하는 단계; 및상기 IC 기판을 인쇄회로기판상에 접합하는 단계를 포함하여 이루어지는 광전변환모듈의 제조방법
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IC 기판의 상부에 반도체칩을 접합하는 단계;상기 IC 기판의 측면에 제1 광소자 어레이 및 제2 광소자 어레이를 각각 접합하는 단계;제1 광 도파로 어레이 및 제2 광 도파로 어레이가 매립되어 있는 인쇄회로기판에 상기 IC 기판을 실장하기 위한 실장용 홈을 형성하는 단계; 및상기 IC 기판을 상기 인쇄회로기판의 실장용 홈에 실장하여 접합하고, 상기 제1 광소자 어레이 및 제1 광 도파로 어레이와 상기 제2 광소자 어레이 및 제2 광 도파로 어레이를 광 접속되도록 각각 접합하는 단계를 포함하여 이루어지는 광전변환모듈의 제조방법
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IC 기판의 상부에 반도체칩을 접합하는 단계;상기 IC 기판의 측면에 제1 광소자 어레이 및 제2 광소자 어레이를 각각 접합하는 단계;제1 광 도파로 어레이 및 제2 광 도파로 어레이가 매립되어 있는 인쇄회로기판에 상기 IC 기판이 위치할 공간부를 형성하는 단계;상기 IC 기판을 상기 인쇄회로기판의 공간부에 위치시키고, 상기 제1 광소자 어레이 및 제1 광 도파로 어레이와 상기 제2 광소자 어레이 및 제2 광 도파로 어레이를 광 접속되도록 각각 접합하는 단계;상기 인쇄회로기판과 IC 기판 사이에 상기 제1 광소자 어레이 및 제2 광소자 어레이를 감싸며 보호 수지를 형성하는 단계; 및본딩 와이어를 이용하여 상기 IC 기판과 상기 인쇄회로기판을 전기적으로 연결하는 단계를 포함하여 이루어지는 광전변환모듈의 제조방법
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제16항 내지 제18항 중 어느 하나의 항에 있어서,상기 광소자 어레이와 광 도파로 어레이는 광 투과성 에폭시가 개재되어 접합되는 것을 특징으로 하는 광전변환모듈의 제조방법
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제16항 내지 제18항 중 어느 하나의 항에 있어서,상기 IC 기판의 상부에 반도체칩을 접합한 이후에,상기 IC 기판의 상부에 반도체칩을 감싸며 보호 수지를 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 광전변환모듈의 제조방법
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제16항 내지 제18항 중 어느 하나의 항에 있어서,상기 광소자 어레이와 광 도파로 어레이를 접합하는 단계는,상기 광소자 어레이에 테스트 전원을 인가하여 구동시킨 후, 액티브 얼라인(Active Align) 방식의 광 정렬 방식을 이용하여 각 광소자와 광 도파로를 일대일 대응시켜 접합하는 것을 특징으로 하는 광전변환모듈의 제조방법
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