| 1 |
1
제1형불순물 반도체 기판상에 형성되는 씨모스 이미지 센서에 있어서,제2형불순물로 도핑된 웰(well)에 형성되고, 수광하여 전기적인 신호를 생성하기 위한 광전변환용 모스(MOS);상기 광전변환용 모스(MOS)로부터 수신한 신호를 출력하기 위한 셀렉트용 모스(MOS);상기 광전변환용 모스(MOS)에 리셋 신호를 인가하기 위한 리셋용 모스(MOS); 및상기 광전변환용 모스(MOS)의 소스와 드레인에 양단이 결합된 캐패시터를 포함하고, 상기 광전변환용 모스(MOS)는 자체적인 증폭 기능이 있는 씨모스 이미지 센서
|
| 2 |
2
제 1 항에 있어서,상기 광전 변환용 모스(MOS)는 컬러 이미지의 구현을 위하여 상부에 컬러 필터를 더 포함하는 씨모스 이미지 센서
|
| 3 |
3
제 1 항에 있어서,상기 광전 변환용 모스는 컬러 이미지의 구현을 위하여 게이트 전극의 두께를 조절하는 씨모스 이미지 센서
|
| 4 |
4
제 2 항에 있어서,상기 컬러 필터는 청색 컬러 필터, 녹색 컬러 필터, 적색 컬러 필터 중 적어도 어느 하나인 씨모스 이미지 센서
|
| 5 |
5
제 3 항에 있어서,상기 게이트 전극의 두께는 녹색 빛을 수광하기 위한 광전 변환용 모스의 게이트 전극의 두께를 청색 빛을 수광하기 위한 광전 변환용 모스의 게이트 전극의 두께보다는 두껍고 적색 빛을 수광하기 위한 광전 변환용 모스의 게이트 전극의 두께보다는 얇게 형성하는 씨모스 이미지 센서
|
| 6 |
6
제 5 항에 있어서,상기 청색 빛을 수광하기 위한 광전 변환용 모스의 게이트 전극의 두께는 0
|
| 7 |
7
제 5 항에 있어서,상기 녹색 빛을 수광하기 위한 광전 변환용 모스의 게이트 전극의 두께는 0
|
| 8 |
8
제 5 항에 있어서,상기 적색 빛을 수광하기 위한 광전 변환용 모스의 게이트 전극의 두께는 1
|
| 9 |
9
제 4 항 또는 제 5 에 있어서,상기 광전 변환용 모스(MOS)는 PMOS인 씨모스 이미지 센서
|
| 10 |
10
제 4 항 또는 제 5 에 있어서,상기 리셋용 모스(MOS) 및 상기 셀렉트용 모스(MOS)는 NMOS인 씨모스 이미지 센서
|
| 11 |
11
제 9 항에 있어서,상기 PMOS는 게이트와 웰은 플로팅된 씨모스 이미지 센서
|
| 12 |
12
제 10 항에 있어서,상기 리셋용 모스(MOS)는 전원전압(VDD) 및 캐패시터와 연결된 씨모스 이미지 센서
|
| 13 |
13
제 10 항에 있어서,상기 셀렉트용 모스(MOS)는 캐패시터 및 외부 신호처리단과 연결된 씨모스 이미지 센서
|
| 14 |
14
제 4 항 또는 제 5 항에 있어서, 상기 캐패시터는 상기 광전변환용 모스(MOS)에 형성된 웰(well)의 외부에 형성된 트랜치형인 씨모스 이미지 센서
|
| 15 |
15
제 14 항에 있어서,상기 트랜치형의 캐패시터는 상기 웰의 이온주입 깊이보다 깊게 형성된 씨모스 이미지 센서
|
| 16 |
16
제 4 항 또는 제 5항에 있어서,상기 제 1 불순물형은 P형인 씨모스 이미지 센서
|
| 17 |
17
제 4 항 또는 제 5 항에 있어서,상기 제 2 불순물형은 N형인 씨모스 이미지 센서
|
| 18 |
18
제 1 항에 따른 씨모스 이미지 센서의 이미지 데이타 처리 방법으로서,로우 인에이블 신호가 인가되고 상기 리셋용 모스(MOS)가 턴-온되어 상기 캐패시터내에 전하를 충전하는 제1단계;상기 리셋용 모스(MOS)를 턴-오프하는 제2단계;일정한 시간 동안 빛에 노출되어 상기 캐패시터내의 전하가 감소되었을 경우, 상기 셀렉트용 모스(MOS)를 턴-온하여 잔여하는 전하를 출력하는 제3단계; 및상기 3단계에서 출력된 값을 신호 처리하는 제4단계를 포함하는 씨모스 이미지 센서의 이미지 데이타 처리 방법
|
