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씨모스 이미지 센서 및 이미지 데이타 처리방법(1)

  • 기술번호 : KST2014002844
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 제1형불순물 반도체 기판상에 형성되는 씨모스 이미지 센서에 있어서, 제2형불순물로 도핑된 웰(well)을 포함하고, 수광하여 전기적인 신호를 생성하기 위한 광전변환용 모스(MOS), 상기 광전변환용 모스(MOS)에 리셋 신호를 인가하기 위한 리셋용 모스(MOS), 상기 광전변환용 모스(MOS)로부터 수신한 광전류를 전압으로 변환하기 위한 소스 팔로워용 모스(MOS) 및 상기 리셋용 모스(MOS)와 상기 광전변환용 모스(MOS)의 사이에 위치하여 전류를 축적하기 위한 플로팅 디퓨전 노드를 포함하며, 해당 로우(row)에 선택적으로 전원을 공급하는 방식을 적용하여이미지 데이타를 처리한다.따라서, 본 발명은 신호 검출을 제외하고는 오프(off)되어 있으므로 저전력으로 구동이 가능할 뿐만 아니라 종래의 암전류가 발생하는 현상을 방지할 수 있어 고감도의 이미지 센서의 구현이 가능하며, 광전변환방식을 적용한 PMOS를 사용하여 이미지 센서의 능동 픽셀을 구현함으로써, 미세한 빛이 존재하는 저조도에서도 고감도를 실현할 수 있으며, 고속의 동영상의 구현을 가능하게 하는 이점이 있다.씨모스 이미지센서, PMOS, NMOS
Int. CL H04N 5/374 (2011.01)
CPC H04N 5/3741(2013.01) H04N 5/3741(2013.01) H04N 5/3741(2013.01) H04N 5/3741(2013.01) H04N 5/3741(2013.01)
출원번호/일자 1020060135847 (2006.12.28)
출원인 전자부품연구원
등록번호/일자 10-0864179-0000 (2008.10.13)
공개번호/일자 10-2008-0061061 (2008.07.02) 문서열기
공고번호/일자 (20081017) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2006.12.28)
심사청구항수 19

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자기술연구원 대한민국 경기도 성남시 분당구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박광수 대한민국 경기 구리시
2 정민재 대한민국 경기도 용인시
3 김상진 대한민국 경기 화성시
4 조영창 대한민국 경기 수원시 영통구
5 김 훈 대한민국 서울 강남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 서천석 대한민국 서울특별시 서초구 서초중앙로**길 **, *층 (서초동, 서초다우빌딩)(특허법인세하)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 전자부품연구원 대한민국 경기도 성남시 분당구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2006.12.28 수리 (Accepted) 1-1-2006-0973664-50
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2007.09.06 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2007.10.15 수리 (Accepted) 9-1-2007-0062419-56
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2008.01.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0046846-91
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2008.03.31 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2008-0229357-11
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2008.03.31 수리 (Accepted) 1-1-2008-0229362-40
7 등록결정서
Decision to grant
2008.07.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0368302-39
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.04.17 수리 (Accepted) 4-1-2013-0013766-37
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.08.24 수리 (Accepted) 4-1-2020-5189497-57
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
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제1형불순물 반도체 기판상에 형성되는 씨모스 이미지 센서에 있어서,제2형불순물로 도핑된 웰(well)을 포함하고, 수광하여 전기적인 신호를 생성하기 위한 광전변환용 모스(MOS);상기 광전변환용 모스(MOS)에 리셋 신호를 인가하기 위한 리셋용 모스(MOS);상기 광전변환용 모스(MOS)로부터 수신한 광전류를 전압으로 변환하기 위한 소스 팔로워용 모스(MOS); 및상기 리셋용 모스(MOS)와 상기 광전변환용 모스(MOS)의 사이에 위치하여 전류를 축적하기 위한 플로팅 디퓨전 노드를 포함하고, 상기 리셋용 모스(MOS)는 상기 소스 팔로워용 모스(MOS)의 스위치로서 작용하여 상기 리셋용 모스(MOS)가 온 상태일 때 상기 소스 팔로워용 모스(MOS)는 오프 상태가 되고, 상기 리셋용 모스(MOS)가 오프 상태일 때 상기 소스 팔로워용 모스(MOS)는 온 상태가 되는 씨모스 이미지 센서
2 2
제 1 항에 있어서,상기 광전변환용 모스(MOS)는 컬러 이미지의 구현을 위하여 상부에 컬러 필터를 더 포함하는 씨모스 이미지 센서
3 3
제 1 항에 있어서,상기 광전변환용 모스(MOS)는 컬러 이미지의 구현을 위하여 게이트 전극의 두께를 조절하는 씨모스 이미지 센서
4 4
제 2 항에 있어서,상기 컬러 필터는 청색 컬러 필터, 녹색 컬러 필터, 적색 컬러 필터 중 적어도 어느 하나인 씨모스 이미지 센서
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제 3 항에 있어서,상기 게이트 전극의 두께는 녹색의 빛을 수광하기 위한 광전변환용 모스의 게이트 전극 두께를 청색의 빛을 수광하기 위한 광전변환용 모스의 게이트 전극 두께보다는 두껍게 형성하고 적색의 빛을 수광하기 위한 광전변환용 모스의 게이트 전극 두께보다는 얇게 형성하는 씨모스 이미지 센서
6 6
제 5 항에 있어서,상기 녹색의 빛을 수광하기 위한 광전변환용 모스의 게이트 전극 두께는 0
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제 2 항 또는 제 3 항에 있어서,상기 리셋용 모스(MOS)는 상기 소스 팔로워용 모스(MOS)를 앰프로 동작하게 하거나, 스위치로 동작하게 하는 씨모스 이미지 센서
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제 2 항 또는 제 3 항에 있어서,상기 광전변환용 모스(MOS)는 PMOS인 씨모스 이미지 센서
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제 7 항에 있어서,상기 리셋용 모스(MOS) 및 상기 소스 팔로워용 모스(MOS)는 NMOS인 씨모스 이미지 센서
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제 8 항에 있어서,상기 광전변환용 모스(MOS)의 게이트는 웰과 플로팅된 씨모스 이미지 센서
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제 8 항에 있어서,상기 광전변환용 모스(MOS)의 게이트는 웰과 타이(tie)된 씨모스 이미지 센서
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제 11 항에 있어서,상기 광전변환용 모스(MOS)는 게이트와 상기 웰(well)간의 타이를 위하여 연결부를 더 포함하는 씨모스 이미지 센서
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제 12 항에 있어서,상기 연결부는 상기 웰(well)과 동일한 타입의 불순물로 형성된 씨모스 이미지 센서
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제 13 항에 있어서,상기 연결부의 불순물 농도는 상기 웰(well)의 불순물 농도보다 고농도인 씨모스 이미지 센서
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제 9 항에 있어서,상기 리셋용 모스(MOS)는 그라운드와 연결을 위한 그라운드 연결부를 포함하는 씨모스 이미지 센서
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제 15 항에 있어서,상기 그라운드 연결부는 리셋용 모스(MOS)의 서브와 동일한 타입의 불순물로 형성된 씨모스 이미지 센서
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제 16 항에 있어서,상기 그라운드 연결부의 불순물 농도는 상기 서브의 불순물 농도보다 고농도인 씨모스 이미지 센서
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제 1 항에 의한 씨모스 이미지 센서의 이미지 데이타 처리 방법에 있어서,로우 인에이블 신호가 인가되고 셀렉트용 모스(MOS)가 턴-온되어 해당 픽셀에 전원을 공급하는 제1단계;로우(row)가 선택되면 상기 리셋용 모스(MOS)가 턴-오프되는 제2단계;일정한 시간 동안 빛에 노출됨으로써 상기 광전변환용 모스(MOS)에 생성된 광전류를 상기 플로팅 디퓨전 노드에 축적하는 제3단계;소스 팔로워용 모스(MOS)를 통하여 상기 생성된 광전류값을 전압 변환값으로 출력하는 제4단계;출력된 상기 전압 변환값을 신호처리 하는 제5단계를 포함하는 씨모스 이미지 센서의 이미지 데이타 처리 방법
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제 18항에 있어서,상기 제2단계는 로우(row)가 선택되기 전까지 리셋용 모스(MOS)가 온(on)되고 소스 팔로워 모스(MOS)가 오프(off)되며, 로우가(row)가 선택될 때 리셋용 모스(MOS)가 턴-오프(turn-off)되고 소스 팔로워 모스(MOS)가 온(on)되는 씨모스 이미지 센서의 이미지 데이타 처리 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.