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광도파로 및 주기적 분극 반전 패턴을 포함하는 비선형 매질의 강유전체 결정 기판;상기 광도파로 및 분극 반전 패턴 상의 버퍼층;상기 강유전체 결정 기판 및 버퍼층의 일 측면에 형성된 앵글 폴리싱 면; 및상기 앵글 폴리싱 면 상에 형성된 코팅층을 포함하는 비선형 칩
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제 1 항에 있어서,상기 강유전체 결정 기판 하부의 온도제어부; 및상기 온도제어부 하부의 서브마운트를 더 포함하는 비선형 칩
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제 2 항에 있어서,상기 온도제어부는 열전 소자(TEC)인 비선형 칩
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제 2 항에 있어서,상기 온도제어부는 박막 저항 히터 및 전기적 열적 버퍼층인 비선형 칩
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제 2 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 서브마운트는 실리콘, AlN, SiC 및 열전도체 물질과 열배리어 물질의 조합 중 어느 하나인 비선형 칩
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제 2 항에 있어서,상기 앵글 폴리싱 면에 대응되는 버퍼층 상의 기판 및 마이크로 렌즈를 더 포함하는 비선형 칩
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제 6 항에 있어서,상기 코팅층은 펌핑 광원에 대해서는 무반사이고, 비선형 칩 내부에서 생성되는 파장의 광원에 대해서는 고반사의 특징을 가지는 비선형 칩
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8
제 2 항에 있어서,상기 광도파로에 수직으로 상기 코팅면에 형성되는 기판 및 마이크로 렌즈를 더 포함하고, 상기 기판은 상기 앵글 폴리싱 면에 맞추어 폴리싱 된 비선형 칩
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제 8 항에 있어서,상기 코팅층은 펌핑 광원에 대해서는 고반사이고, 비선형 칩 내부에서 생성되는 파장의 광원에 대해서는 무반사의 특징을 가지는 비선형 칩
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제 7 항 또는 제 9 항에 의한 비선형 칩;광원; 및상기 앵글 폴리싱 면의 반대 방향에 위치하고 상기 광원과 상기 비선형 칩 사이에 위치하는 집속 렌즈를 포함하는 파장변환 장치
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제 10 항에 있어서,분극반전영역에 전계를 가하는 전극 구조물을 더 포함하는 파장변환 장치
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제 10 항에 있어서,상기 집속 렌즈는 마이크로 렌즈인 파장변환 장치
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제 2 항에 의한 비선형 칩;광원;상기 앵글 폴리싱 면의 반대 방향에 위치하고 상기 광원과 상기 비선형 칩 사이에 위치하는 두 세트의 집속 렌즈;상기 두 세트의 집속 렌즈 사이에서 광원 방향에 위치하는 편광분리기; 및상기 두 세트의 집속 렌즈 사이에서 비선형 칩 방향에 위치하는 패러데이 로테이터를 포함하는 파장변환 장치
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제 13 항에 있어서,상기 비선형 칩의 수평방향은 상기 광원의 수평방향에 대하여 회전된 파장변환 장치
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제 14 항에 있어서,상기 앵글 폴리싱 면 및 상기 코팅층은 수직을 이루고,상기 코팅층은 펌핑 광원 및 비선형 칩 내부에서 생성되는 파장의 광원에 대해 고반사의 특징을 가지는 파장변환 장치
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제 15 항에 있어서,상기 편광분리기는 TM 모드는 반사하고, TE 모드는 투과하며,상기 패러데이 로테이터는 광의 편광방향을 회전시키는 파장변환 장치
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제 16 항에 있어서,분극반전영역에 전계를 가하는 전극 구조물을 더 포함하는 파장변환 장치
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제 16 항에 있어서,상기 집속 렌즈는 마이크로 렌즈인 파장변환 장치
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제 16 항에 있어서,상기 편광분리기에서 반사되는 파장을 분리하는 파장분할 필터를 더 포함하는 파장변환 장치
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제 15 항에 있어서,상기 편광분리기는 상기 광원 방향의 제1면과 반대방향의 제2면을 가지며,상기 제1면은 P-편광의 펌핑 광원에 대해서는 무반사율을, S-편광의 펌핑 광원에 대해서는 고반사율을 가지고,상기 제2면은 S-편광의 비선형 칩 내부에서 생성되는 파장의 광원에 대해서는 고반사율을, S-편광의 펌핑광원에 대해서는 무반사율을 가지는 파장변환 장치
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제 20 항에 있어서,분극반전영역에 전계를 가하는 전극 구조물을 더 포함하는 파장변환 장치
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제 20 항에 있어서,상기 집속 렌즈는 마이크로 렌즈인 파장변환 장치
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강유전체 기판 상부에 시드층과 감광막을 순차적으로 형성하고 상기 감광막을 패터닝하는 단계;상기 감광막이 패턴된 공간 사이에 보호층을 형성하고 상기 감광막을 제거하는 단계;상기 보호층을 마스크로 하여 강유전체 기판을 식각하는 단계;전계를 인가해 주기적 분극 반전을 형성하는 단계;상기 기판을 평탄화하는 단계;상기 기판을 패터닝하고 식각하여 광도파로를 형성하는 단계;상기 기판 상에 버퍼층을 형성하는 단계;상기 기판의 단면을 앵글 폴리싱하는 단계;앵글 폴리싱한 상기 기판의 단면에 코팅층을 형성하는 단계;상기 기판에 마이크로 렌즈를 부착하는 단계; 및상기 기판을 입력 펌핑광원 수단과 접합된 서브마운트와 접합하는 단계를 포함하는 파장변환 장치 제조 방법
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제 23 항에 있어서,상기 광도파로는 측면 각도가 75°~ 85°인 좁은 사다리꼴 형태인 파장변환 장치 제조 방법
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제 23 항에 있어서,상기 기판을 입력 펌핑광원 수단과 접합된 서브마운트와 접합하는 단계 이후에,열전 소자(TEC)를 접합하는 단계를 더 포함하는 파장변환 장치 제조 방법
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제 23 항에 있어서,상기 기판을 입력 펌핑광원 수단과 접합된 서브마운트와 접합하는 단계 이전에,상기 서브마운트 상에 박막 저항 히터 및 버퍼층을 형성하는 단계를 더 포함하는 파장변환 장치 제조 방법
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