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은 / 염화은 전극구조를 갖는 MEMS Ph 센서 및 그 센서의 형성방법

  • 기술번호 : KST2014002935
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 Ag/AgCl 전극구조를 갖는 MEMS pH센서 및 그 전극구조를 갖는 MEMS pH센서의 형성방법에 관한 것으로서, Ag/AgCl 전극구조를 갖는 MEMS pH센서는 하부 Si/SiO2층에 기준 전극과 검출 전극이 형성된 MEMS pH센서에 있어서, 상부 Si/SiO2층 하면에 실크프린팅으로 형성된 Ag 후막층과, 상기 Ag 후막층을 덮는 AgCl층으로 이루어진 한 쌍의 Ag/AgCl 전극을 포함하고, 양극산화공정에 의해 상기 상·하부 Si/SiO2층을 접합함으로써 구성되며, 실리콘웨이퍼 상에서 실크프린팅하여 한 쌍의 Ag 후막을 얻는 단계; 상기 한 쌍의 Ag 후막의 용제를 휘발시킨 후 열처리하여 경화된 한 쌍의 Ag 후막층을 얻는 단계; 상기 경화된 한 쌍의 Ag 후막층을 전기분해하여 한 쌍의 Ag/AgCl 전극을 형성하는 단계; 및 MEMS pH센서의 기준 전극과 검출 전극 상면에 상기 Ag/AgCl 전극 각각을 정렬하여 피복한 후, 양극산화공정을 통하여 상하 실리콘웨이퍼를 부착하는 단계에 의해 제조되는 것으로, 이러한 구조 및 방법에 의해 초소형 MEMS pH센서의 전극부의 Ag가 KCl 용액 중에 용출되는 문제점을 해결함에 따라 그 센서의 사용수명을 연장시키고 측정의 안정도를 향상시킬 수 있다. MEMS pH센서, 실크프린팅, Ag/AgCl전극, 양극산화공정
Int. CL B81B 7/00 (2006.01)
CPC B81B 7/02(2013.01) B81B 7/02(2013.01) B81B 7/02(2013.01) B81B 7/02(2013.01)
출원번호/일자 1020020082783 (2002.12.23)
출원인 재단법인 포항산업과학연구원
등록번호/일자 10-0477451-0000 (2005.03.09)
공개번호/일자 10-2004-0056212 (2004.06.30) 문서열기
공고번호/일자 (20050323) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2002.12.23)
심사청구항수 2

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인 포항산업과학연구원 대한민국 경북 포항시 남구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 정우철 대한민국 경상북도포항시남구
2 김흥락 대한민국 경상북도경주시
3 김영덕 대한민국 경상북도포항시북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인맥 대한민국 서울특별시 서초구 강남대로 ***, *층 (양재동, 화승빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인 포항산업과학연구원 대한민국 경북 포항시 남구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2002.12.23 수리 (Accepted) 1-1-2002-0425691-81
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2004.05.13 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2004.06.15 수리 (Accepted) 9-1-2004-0037196-79
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2004.06.15 수리 (Accepted) 4-1-2004-0025494-38
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2004.10.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2004-0458430-60
6 명세서 등 보정서
Amendment to Description, etc.
2004.12.30 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2004-0626759-70
7 의견서
Written Opinion
2004.12.30 수리 (Accepted) 1-1-2004-0626763-53
8 등록결정서
Decision to grant
2005.01.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2005-0012411-00
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2005.03.04 수리 (Accepted) 4-1-2005-5020373-24
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.05.14 수리 (Accepted) 4-1-2013-0019112-38
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2016.09.28 수리 (Accepted) 4-1-2016-5138263-79
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.10.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5211042-46
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번호 청구항
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하부 Si/SiO2층에 기준 전극과 검출 전극이 형성된 MEMS pH센서에 있어서, 상부 Si/SiO2층 하면의 소정의 부분에 실크프린팅으로 형성된 Ag 후막층과, 상기 Ag 후막층을 덮는 AgCl층으로 이루어진 한 쌍의 Ag/AgCl 전극을 포함하고, 양극산화공정에 의해 상기 상·하부 Si/SiO2층을 접합함으로써, 상기 Ag/AgCl 전극이 기준 전극과 검출 전극의 중앙에 각각 위치하는 것을 특징으로 하는 Ag/AgCl 전극구조를 갖는 MEMS pH센서
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Ag 페이스트(paste)를 실리콘웨이퍼 상에서 실크프린팅하여 용제와 분말로 이루어진 한 쌍의 Ag 후막을 얻는 단계; 상기 한 쌍의 Ag 후막에서 용제 성분을 휘발시킨 후, 분말 성분을 열처리하여 경화된 한 쌍의 Ag 후막층을 얻는 단계; 상기 경화된 한 쌍의 Ag 후막층을 전기분해-KCl 용액에 충진함-하여 Ag 전극 표면에 AgCl 층을 형성하여 한 쌍의 Ag/AgCl 전극을 형성하는 단계; 및 MEMS pH센서의 기준 전극과 검출 전극 상면에 상기 Ag/AgCl 전극 각각을 정렬하여 피복한 후, 양극산화공정을 통하여 상하 실리콘웨이퍼를 부착하는 단계 를 포함하는 것을 특징으로 하는 Ag/AgCl 전극구조를 갖는 MEMS pH센서의 형성방법
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Ag 페이스트(paste)를 실리콘웨이퍼 상에서 실크프린팅하여 용제와 분말로 이루어진 한 쌍의 Ag 후막을 얻는 단계; 상기 한 쌍의 Ag 후막에서 용제 성분을 휘발시킨 후, 분말 성분을 열처리하여 경화된 한 쌍의 Ag 후막층을 얻는 단계; 상기 경화된 한 쌍의 Ag 후막층을 전기분해-KCl 용액에 충진함-하여 Ag 전극 표면에 AgCl 층을 형성하여 한 쌍의 Ag/AgCl 전극을 형성하는 단계; 및 MEMS pH센서의 기준 전극과 검출 전극 상면에 상기 Ag/AgCl 전극 각각을 정렬하여 피복한 후, 양극산화공정을 통하여 상하 실리콘웨이퍼를 부착하는 단계 를 포함하는 것을 특징으로 하는 Ag/AgCl 전극구조를 갖는 MEMS pH센서의 형성방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.