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저항성 메모리 장치에 사용되는 가변 저항 소자의 제조방법에 있어서,
기판상에 하부 전극을 형성하는 단계;
상기 하부 전극 상에 금속을 형성하는 단계;
상기 금속을 산화시켜서 가변 저항 산화막을 형성하는 단계; 및
상기 가변 저항 산화막 위에 상부 전극을 형성하는 단계
를 포함하는 방법
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제1항에 있어서,
상기 기판의 재료는 실리콘, 실리콘 질화물, 실리콘 산화물 또는 이들이 결합된 재료들의 군으로부터 선택되는 방법
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3
제1항에 있어서,
상기 금속은 Al, Ta, Nb, Ti, Zr 및 Hf를 포함하는 재료들의 군으로부터 선택되는 방법
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4
제1항에 있어서,
상기 하부 전극을 형성하는 단계는 버퍼층(buffer layer)을 상기 금속과 접하도록 형성하는 단계를 더 포함하는 방법
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5
제4항에 있어서,
상기 버퍼층은 Au, Pt, Ta, TiN 및 Cu를 포함하는 재료들의 군으로부터 선택되는 방법
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6
제1항에 있어서,
상기 가변 저항 산화막의 두께는 200nm이상이고 400nm 이하인 방법
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7
제1항에 있어서,
상기 가변 저항 산화막을 형성하는 단계는,
10℃ 이상이고 100℃미만의 온도에서 수행되는 방법
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8
제1항에 있어서,
상기 가변 저항 산화막을 형성하는 단계는,
산화제를 상기 금속상에 위치시키는 단계;
상기 금속상에 제1 전극을 부착하고, 상기 산화제로 덮여 있는 기판 영역의 상기 산화제에 제2 전극을 접촉시키는 단계; 및
상기 제1 전극과 제2 전극 각각에 제1 전기 신호 및 제2 전기 신호를 인가하는 단계
를 포함하는 방법
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9
제8항에 있어서,
상기 산화제는 H2O2, (NH4)2S2O8, HNO3, HClO4, H2SO4, HClO, HMnO4, H2CrO4, PbO2, MnO2, CuO 및 이들의 염으로 이루어진 재료들의 군으로부터 선택되는 방법
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10
제8항에 있어서,
상기 제1 전극은 Au 전극이고, 상기 제2 전극은 Pt 전극인 방법
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11
제8항에 있어서,
상기 제1 전기 신호는 양의 전위를 가지는 전압 신호이고, 상기 제2 전기 신호는 음의 전위를 가지는 전압 신호이며, 상지 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 일정한 전위차가 유지되도록 하는 방법
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제8항에 있어서,
상기 제1 전기 신호는 양의 전위이고, 제2 전기 신호는 음의 전위이며, 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 일정한 크기의 전류가 흐르게 하는 방법
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13
삭제
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저항성 메모리 장치에 사용되는 가변 저항 소자의 제조방법에 있어서,
기판상에 금속을 형성하는 단계;
상기 금속을 산화시켜서 가변 저항 산화막을 형성하는 단계; 및
상기 가변 저항 산화막 상에 상부 전극을 형성하는 단계
를 포함하는 방법
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제14항에 있어서,
상기 금속은 Al, Ta, Nb, Ti
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제14항에 있어서,
상기 가변 저항 산화막을 형성하는 단계는,
상기 기판과 접하고 있는 상기 금속의 일면의 반대측에 있는 상기 금속의 표면을 산화시키는 단계를 포함하는 방법
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17
저항성 메모리 장치에 있어서, 가변 저항 소자는
하부 전극;
상기 하부 전극 상에 금속을 산화시켜 생성된 가변 저항 산화막; 및
상기 가변 저항 산화막 상의 상부 전극
을 포함하는 장치
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18
제17항에 있어서,
상기 가변 저항 산화막은 Al2O3, NiO, TiO, TaO 및 ZrO를 포함하는 재료들의 군으로부터 선택되는 장치
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제17항에 있어서,
상기 하부 전극은 상기 가변 저항 산화막과 접하는 버퍼층을 더 포함하는 장치
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제17항에 있어서,
상기 상부 전극은 상기 가변 저항 산화막과 접하는 덮개층을 더 포함하는 장치
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제1항에 있어서,
상기 상부 전극을 형성하는 단계 이전에, 상기 가변 저항 산화막 상에 덮개층을 형성하는 단계를 더 포함하고,
상기 덮개층은 Au, Pt, Ta, TiN 및 Cu를 포함하는 재료들의 군으로부터 선택되는 방법
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